集成电路
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该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要
74HC/HCT354
8输入多路复用器/寄存器
透明锁存器;三态
产品speci fi cation
在集成电路, IC06文件
1990年12月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8输入多路复用器/寄存器
透明锁存器;三态
特点
透明的数据锁存器
透明的地址锁存
轻松扩展
互补输出
输出能力:公交车司机
I
CC
类别: MSI
概述
该74HC / HCT354是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
74HC/HCT354
( LSTTL ) 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
该74HC / HCT354数据选择器/多路复用器包含完整
片上的二进制解码,以选择一对的八个数据
源。数据选择地址被存储在透明
是由一个低电平锁存使能锁存器启用
输入(LE) 。
透明的8位数据锁存器被使能时
低电平有效的数据使能输入( E)低。当输出
使能输入OE
1
= HIGH , OE
2
=高或OE
3
= LOW ,
输出变为高阻关断状态。
这些输出使能输入操作不影响
锁存器的状态。
典型
符号
t
PHL /
t
PLH
参数
传播延迟
D
n
,E为Y ,Y
S
n
, LE为Y ,Y
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ ∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
) =产出的总和
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在V =电源电压
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V
订购信息
SEE
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑封装信息” 。
输入电容
每个锁存器的功率耗散电容
注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
20
24
3.5
68
22
27
3.5
71
ns
ns
pF
pF
HCT
单位
1990年12月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8输入多路复用器/寄存器
透明锁存器;三态
功能表
输入
地址
(1)
S
2
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
笔记
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
S
1
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
S
0
E
X
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
OUTPUT ENABLE
OE
1
X
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
2
X
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
3
Y
Z
Z
Z
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
0n
D
1n
D
2n
D
3n
D
4n
D
5n
D
6n
D
7n
Y
Z
Z
Z
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
0n
D
1n
D
2n
D
3n
D
4n
D
5n
D
6n
D
7n
输出
74HC/HCT354
描述
产出
高阻抗
关闭状态
数据锁存器
透明
数据
LATCHED
1.此列显示输入地址建立与LE =低(地址锁存器是透明的) 。
2. D
0
到D
7
=在输入数据D
0
到D
7
D
0n
到D
7n
=在输入数据D
0
到D
7
E的最新低到高的转变之前,
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻关断状态
1990年12月
4