74HC32
四2输入或门
高性能硅栅CMOS
该74HC32是引出线的LS32相同。该器件的输入是
与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，它们
与LSTTL输出兼容。
特点
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记号
图表
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合JEDEC标准号7A要求
ESD性能： HBM
＆ GT ;
2000伏;机器型号
＆ GT ;
200 V
芯片的复杂性： 48场效应管或12个等效门
这些无铅器件
14
14
1
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
HC32G
AWLYWW
14
14
1
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
HC
32
ALYWG
G
HC32
=器件代码
A
=大会地点
L， WL
=晶圆地段
Y
=年
W， WW =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
2007年3月，
第1版
1
出版订单号：
74HC32/D
74HC32
引脚说明： 14引脚封装
（ TOP VIEW ）
V
CC
14
B4
13
A4
12
Y4
11
B3
10
A3
9
Y3
8
A1
B1
A2
B2
A3
1
A1
2
B1
3
Y1
4
A2
5
B2
6
Y2
7
GND
A4
B4
B3
1
2
4
5
9
10
12
13
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
逻辑图
3
Y1
6
Y2
Y = A + B
8
Y3
11
Y4
功能表
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
L
H
H
H
订购信息
设备
74HC32DR2G
74HC32DTR2G
包
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
航运
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
74HC32
最大额定值
符号
V
CC
V
in
I
in
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
T
L
V
OUT
参数
价值
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
_C
_C
260
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±20
±25
±50
500
450
- 65至+ 150
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
SOIC和TSSOP封装
SOIC封装
TSSOP封装
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
in
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参照
GND ）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
民
2.0
0
– 55
0
0
0
最大
6.0
V
CC
+ 125
1000
500
400
单位
V
V
_C
ns
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3
74HC32
DC特性
（电压参考GND）
符号
V
IH
参数
最低高电平输入电压
条件
V
OUT
= 0.1V或V
CC
0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
≤
2.4mA
|I
OUT
|
≤
4.0mA
|I
OUT
|
≤
5.2mA
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
≤
2.4mA
|I
OUT
|
≤
4.0mA
|I
OUT
|
≤
5.2mA
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
保证限额
55
至25℃
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
±0.1
2.0
≤85°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
±1.0
20
≤125°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.20
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
0.40
±1.0
40
mA
mA
V
单位
V
V
IL
最大低电平输入电压
V
OUT
= 0.1V或V
CC
0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
=V
IH
或V
IL
V
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
in
I
CC
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0毫安
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
AC特性
(C
L
= 50pF的，输入吨
r
= t
f
= 6ns的）
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大传输延迟，输入A或B到输出Y
（图1和图2）
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
55
至25℃
75
30
15
13
75
27
15
13
10
≤85°C
95
40
19
16
95
32
19
16
10
≤125°C
110
55
22
19
110
36
22
19
10
单位
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和图2）
ns
C
in
最大输入电容
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V
C
PD
功率耗散电容（每缓冲器） *
20
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
http://onsemi.com
4
QQ：2880707522 复制
