【74HC32 ; 74HCT32四2输入或门启5 - 2012年9月4日产品数据表1.概述该74HC】,IC型号74HC32BQ,74HC32BQ PDF资料,74HC32BQ经销商,ic,电子元器件-51电子网

74HC32 ; 74HCT32

四2输入或门

启5 - 2012年9月4日

产品数据表

1.概述

该74HC32 ; 74HCT32是四2输入或门。输入包括钳位二极管。这

使得能够利用限流电阻器的接口的输入电压超过

V

CC

.

2.特点和好处科幻TS

宽电源电压范围为2.0 V至6.0 V

符合JEDEC标准JESD7A

对称的输出阻抗

高噪声抗扰度

低功耗

平衡传输延迟

输入电平：

对于74HC32 ： CMOS电平

对于74HCT32 ： TTL电平

ESD保护：

HBM JESD22- A114F超过2000伏

MM JESD22 - A115 - A超过200 V

多种封装选择

从指定的

40 C

+85

C

从

40 C

+125

C

恩智浦半导体

74HC32 ; 74HCT32

四2输入或门

3.订购信息

表1中。

订购信息

包

温度范围

74HC32N

74HCT32N

74HC32D

74HCT32D

74HC32DB

74HCT32DB

74HC32PW

74HCT32PW

74HC32BQ

74HCT32BQ

40 C

+125

C

DHVQFN14

40 C

+125

C

TSSOP14

40 C

+125

C

SSOP14

40 C

+125

C

SO14

塑料小外形封装; 14线索;车身宽度

3.9 mm

塑料小外形封装; 14线索;体

宽度5.3毫米

塑料薄小外形封装; 14线索;

体宽4.4毫米

SOT108-1

SOT337-1

SOT402-1

40 C

+125

C

名字

DIP14

描述

塑料双列直插式封装; 14引线（ 300万）

VERSION

SOT27-1

类型编号

塑料双列直插兼容的热增强型非常SOT762-1

薄型四方扁平的封装;没有线索; 14终端;

机身2.5

3

0.85 mm

4.功能图

1

2

≥1

3

4

1

2

4

5

9

10

12

13

1A

1B

2A

2B

3A

3B

4A

4B

1Y

3

5

≥1

6

2Y

6

9

10

≥1

8

3Y

8

A

12

13

4Y

11

≥1

11

B

Y

mna241

mna242

mna243

图1 。

逻辑符号

图2 。

IEC逻辑符号

图3 。

逻辑图（ 1门）

74HC_HCT32

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恩智浦半导体

74HC32 ; 74HCT32

四2输入或门

5.管脚信息

5.1钢钉

1号航站楼

索引区

1B

1Y

2A

2B

2Y

GND

5

6

7

001aad101

1A

1B

1Y

2A

1

2

3

4

14 V

CC

13 4B

12 4A

2

3

4

5

6

7

GND

3Y

8

14 V

CC

13 4B

12 4A

11 4Y

10 3B

9

3A

32

11 4Y

10 3B

9

8

3A

3Y

GND

(1)

2Y

1

1A

32

001aad102

透明的顶视图

（1）模具基体是利用连接到该垫

导电芯片粘接材料。它不能被用作一个

电源引脚或输入。

图4 。

引脚CON组fi guration DIP14 ， SO14和（ T） SSOP14

图5 。

引脚配置DHVQFN14

5.2引脚说明

表2中。

符号

1A至4A

1B到4B

1Y到4Y

GND

V

CC

引脚说明

针

1, 4, 9, 12

2, 5, 10,13

3, 6, 8, 11

7

14

描述

数据输入

数据输出

接地（ 0 V ）

电源电压

6.功能描述

表3中。

输入

nA

L

H

[1]

H =高电压电平;

L =低电压电平;

X =不在乎。

功能表

[1]

产量

nB

L

H

L

H

nY

L

H

74HC_HCT32

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恩智浦半导体

74HC32 ; 74HCT32

四2输入或门

7.极限值

表4 。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。电压参考GND（地= 0V）。

符号

V

CC

I

IK

I

OK

I

O

I

CC

I

GND

T

英镑

P

合计

参数

电源电压

输入钳位电流

输出钳位电流

输出电流

电源电流

地电流

储存温度

总功耗

DIP14封装

SO14 ，（ T）和SSOP14

DHVQFN14包

[1]

[2]

条件

V

I

＆ LT ;

0.5

V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5 V

V

O

＆ LT ;

0.5

V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5 V

0.5

V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5 V

[1]

民

0.5

-

50

65

-

最大

+7

20

25

50

-

+150

750

500

单位

V

mA

C

mW

如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。

对于DIP14封装：P

合计

减额直线为12毫瓦/ K以上70

C.

对于SO14封装：P

合计

减额线性8毫瓦/ K以上70

C.

对于（T ） SSOP14封装：P

合计

减额线性5.5毫瓦/ K以上60

C.

对于DHVQFN14包：P

合计

减额线性4.5毫瓦/ K以上60

C.

8.推荐工作条件

表5 。

推荐工作条件

电压参考GND（地= 0 V）的

符号参数

V

CC

V

I

V

O

T

AMB

ΔT/ ΔV

电源电压

输入电压

输出电压

环境温度

输入过渡上升和下降率

V

CC

= 2.0 V

V

CC

= 4.5 V

V

CC

= 6.0 V

条件

74HC32

民

2.0

0

40

-

典型值

5.0

-

1.67

-

最大

6.0

V

CC

V

CC

+125

625

139

83

74HCT32

民

4.5

0

40

-

典型值

5.0

-

1.67

-

最大

5.5

V

CC

V

CC

+125

-

139

-

V

C

NS / V

单位

74HC_HCT32

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恩智浦半导体

74HC32 ; 74HCT32

四2输入或门

9.静态特性

表6 。

静态特性

在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。

符号参数

74HC32

V

IH

高位

输入电压

V

CC

= 2.0 V

V

CC

= 4.5 V

V

CC

= 6.0 V

V

IL

低电平

输入电压

V

CC

= 2.0 V

V

CC

= 4.5 V

V

CC

= 6.0 V

V

OH

高位

输出电压

V

I

= V

IH

或V

IL

I

O

=

20 A;

V

CC

= 2.0 V

I

O

=

20 A;

V

CC

= 4.5 V

I

O

=

20 A;

V

CC

= 6.0 V

I

O

=

4.0

毫安; V

CC

= 4.5 V

I

O

=

5.2

毫安; V

CC

= 6.0 V

V

OL

低电平

输出电压

V

I

= V

IH

或V

IL

I

O

= 20

A;

V

CC

= 2.0 V

I

O

= 20

A;

V

CC

= 4.5 V

I

O

= 20

A;

V

CC

= 6.0 V

I

O

= 4.0毫安; V

CC

= 4.5 V

I

O

= 5.2毫安; V

CC

= 6.0 V

I

CC

C

I

74HCT32

V

IH

V

IL

V

OH

高位

输入电压

低电平

输入电压

高位

输出电压

V

CC

= 4.5 V至5.5 V

V

CC

= 4.5 V至5.5 V

V

I

= V

IH

或V

IL

; V

CC

= 4.5 V

I

O

=

20 A

I

O

=

4.0

mA

V

OL

低电平

输出电压

V

I

= V

IH

或V

IL

; V

CC

= 4.5 V

I

O

= 20

A

I

O

= 5.2毫安

I

输入漏

当前

V

I

= V

CC

或GND ;

V

CC

= 5.5 V

-

0

0.15

-

0.1

0.25

0.1

-

0.1

0.33

1

-

0.1

0.4

1

V

A

4.4

3.98

4.5

4.32

-

4.4

3.84

-

4.4

3.7

-

V

2.0

-

1.6

1.2

-

0.8

2.0

-

0.8

2.0

-

0.8

V

输入漏

当前

电源电流

输入

电容

V

I

= V

CC

或GND ;

V

CC

= 6.0 V

V

I

= V

CC

或GND ;我

O

= 0 A;

V

CC

= 6.0 V

-

0

0.15

0.16

-

3.5

0.1

0.26

0.1

2.0

-

0.1

0.33

1

20

-

0.1

0.4

1

40

-

V

A

pF

1.9

4.4

5.9

3.98

5.48

2.0

4.5

6.0

4.32

5.81

-

1.9

4.4

5.9

3.84

5.34

-

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

-

V

1.5

3.15

4.2

-

1.2

2.4

3.2

0.8

2.1

2.8

-

0.5

1.35

1.8

1.5

3.15

4.2

-

0.5

1.35

1.8

1.5

3.15

4.2

-

0.5

1.35

1.8

V

条件

民

25

C

典型值

最大

40 C

+85

C 40 C

+125

C

单位

民

最大

民

最大

74HC_HCT32

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