集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料，也请下载：
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要
74HC/HCT32
四2输入或门
产品speci fi cation
在集成电路， IC06文件
1990年12月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入或门
特点
输出能力：标准
I
CC
类别： SSI
概述
74HC/HCT32
该74HC / HCT32是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
该74HC / HCT32提供二输入或功能。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
典型
符号
t
PHL
/ t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ ∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在V =电源电压
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V
订购信息
SEE
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑封装信息” 。
参数
传播延迟呐， NB到纽约
输入电容
每门功率耗散电容
注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
6
3.5
16
HCT
9
3.5
28
ns
pF
pF
单位
1990年12月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入或门
直流特性FOR 74HC
对于DC特性见
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。
输出能力：标准
I
CC
类别： SSI
AC特性74HC
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的
T
AMB
(°C)
74HC
符号
参数
分钟。
t
PHL
/ t
PLH
传播延迟
呐， NB到纽约
t
THL
/ t
TLH
输出转换时间
+25
典型值。
22
8
6
19
7
6
马克斯。
90
18
15
75
15
13
40
to
+85
分钟。
马克斯。
115
23
20
95
19
16
40
to
+125
分钟。
马克斯。
135
27
23
110
22
19
ns
74HC/HCT32
测试条件
单位V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
波形
Fig.7
ns
Fig.7
直流特性FOR 74HCT
对于DC特性见
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。
输出能力：标准
I
CC
类别： SSI
注意HCT类型
额外的静态电源电流ΔI值（
CC
）为1个单位负载中给出家庭的规格。
确定
I
CC
每输入，乘以此值由下表中所示的单元的负载系数。
输入
呐， NB
单元机组负荷系数
1.20
AC特性74HCT
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的
T
AMB
(°C)
74HCT
符号
参数
分钟。
t
PHL
/ t
PLH
传播延迟
呐， NB到纽约
t
THL
/ t
TLH
输出转换时间
+25
典型值。
11
7
马克斯。
24
15
40
to
+85
分钟。
马克斯。
30
19
40
to
+125
分钟。
马克斯。
36
22
ns
ns
4.5
4.5
Fig.7
Fig.7
单位
测试条件
V
CC
波形
(V)
1990年12月
5
集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料，也请下载：
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要
74HC/HCT32
四2输入或门
产品speci fi cation
在集成电路， IC06文件
1990年12月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入或门
特点
输出能力：标准
I
CC
类别： SSI
概述
74HC/HCT32
该74HC / HCT32是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
该74HC / HCT32提供二输入或功能。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
典型
符号
t
PHL
/ t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ ∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在V =电源电压
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V
订购信息
SEE
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑封装信息” 。
参数
传播延迟呐， NB到纽约
输入电容
每门功率耗散电容
注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
6
3.5
16
HCT
9
3.5
28
ns
pF
pF
单位
1990年12月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入或门
直流特性FOR 74HC
对于DC特性见
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。
输出能力：标准
I
CC
类别： SSI
AC特性74HC
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的
T
AMB
(°C)
74HC
符号
参数
分钟。
t
PHL
/ t
PLH
传播延迟
呐， NB到纽约
t
THL
/ t
TLH
输出转换时间
+25
典型值。
22
8
6
19
7
6
马克斯。
90
18
15
75
15
13
40
to
+85
分钟。
马克斯。
115
23
20
95
19
16
40
to
+125
分钟。
马克斯。
135
27
23
110
22
19
ns
74HC/HCT32
测试条件
单位V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
波形
Fig.7
ns
Fig.7
直流特性FOR 74HCT
对于DC特性见
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。
输出能力：标准
I
CC
类别： SSI
注意HCT类型
额外的静态电源电流ΔI值（
CC
）为1个单位负载中给出家庭的规格。
确定
I
CC
每输入，乘以此值由下表中所示的单元的负载系数。
输入
呐， NB
单元机组负荷系数
1.20
AC特性74HCT
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的
T
AMB
(°C)
74HCT
符号
参数
分钟。
t
PHL
/ t
PLH
传播延迟
呐， NB到纽约
t
THL
/ t
TLH
输出转换时间
+25
典型值。
11
7
马克斯。
24
15
40
to
+85
分钟。
马克斯。
30
19
40
to
+125
分钟。
马克斯。
36
22
ns
ns
4.5
4.5
Fig.7
Fig.7
单位
测试条件
V
CC
波形
(V)
1990年12月
5
集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料，也请下载：
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要
74HC/HCT32
四2输入或门
产品speci fi cation
在集成电路， IC06文件
1990年12月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入或门
特点
输出能力：标准
I
CC
类别： SSI
概述
74HC/HCT32
该74HC / HCT32是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
该74HC / HCT32提供二输入或功能。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
典型
符号
t
PHL
/ t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ ∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在V =电源电压
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V
订购信息
SEE
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑封装信息” 。
参数
传播延迟呐， NB到纽约
输入电容
每门功率耗散电容
注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
6
3.5
16
HCT
9
3.5
28
ns
pF
pF
单位
1990年12月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入或门
直流特性FOR 74HC
对于DC特性见
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。
输出能力：标准
I
CC
类别： SSI
AC特性74HC
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的
T
AMB
(°C)
74HC
符号
参数
分钟。
t
PHL
/ t
PLH
传播延迟
呐， NB到纽约
t
THL
/ t
TLH
输出转换时间
+25
典型值。
22
8
6
19
7
6
马克斯。
90
18
15
75
15
13
40
to
+85
分钟。
马克斯。
115
23
20
95
19
16
40
to
+125
分钟。
马克斯。
135
27
23
110
22
19
ns
74HC/HCT32
测试条件
单位V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
波形
Fig.7
ns
Fig.7
直流特性FOR 74HCT
对于DC特性见
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。
输出能力：标准
I
CC
类别： SSI
注意HCT类型
额外的静态电源电流ΔI值（
CC
）为1个单位负载中给出家庭的规格。
确定
I
CC
每输入，乘以此值由下表中所示的单元的负载系数。
输入
呐， NB
单元机组负荷系数
1.20
AC特性74HCT
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的
T
AMB
(°C)
74HCT
符号
参数
分钟。
t
PHL
/ t
PLH
传播延迟
呐， NB到纽约
t
THL
/ t
TLH
输出转换时间
+25
典型值。
11
7
马克斯。
24
15
40
to
+85
分钟。
马克斯。
30
19
40
to
+125
分钟。
马克斯。
36
22
ns
ns
4.5
4.5
Fig.7
Fig.7
单位
测试条件
V
CC
波形
(V)
1990年12月
5
集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料，也请下载：
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要
74HC/HCT32
四2输入或门
产品speci fi cation
在集成电路， IC06文件
1990年12月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入或门
特点
输出能力：标准
I
CC
类别： SSI
概述
74HC/HCT32
该74HC / HCT32是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
该74HC / HCT32提供二输入或功能。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
典型
符号
t
PHL
/ t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ ∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在V =电源电压
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V
订购信息
SEE
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑封装信息” 。
参数
传播延迟呐， NB到纽约
输入电容
每门功率耗散电容
注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
6
3.5
16
HCT
9
3.5
28
ns
pF
pF
单位
1990年12月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入或门
直流特性FOR 74HC
对于DC特性见
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。
输出能力：标准
I
CC
类别： SSI
AC特性74HC
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的
T
AMB
(°C)
74HC
符号
参数
分钟。
t
PHL
/ t
PLH
传播延迟
呐， NB到纽约
t
THL
/ t
TLH
输出转换时间
+25
典型值。
22
8
6
19
7
6
马克斯。
90
18
15
75
15
13
40
to
+85
分钟。
马克斯。
115
23
20
95
19
16
40
to
+125
分钟。
马克斯。
135
27
23
110
22
19
ns
74HC/HCT32
测试条件
单位V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
波形
Fig.7
ns
Fig.7
直流特性FOR 74HCT
对于DC特性见
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。
输出能力：标准
I
CC
类别： SSI
注意HCT类型
额外的静态电源电流ΔI值（
CC
）为1个单位负载中给出家庭的规格。
确定
I
CC
每输入，乘以此值由下表中所示的单元的负载系数。
输入
呐， NB
单元机组负荷系数
1.20
AC特性74HCT
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的
T
AMB
(°C)
74HCT
符号
参数
分钟。
t
PHL
/ t
PLH
传播延迟
呐， NB到纽约
t
THL
/ t
TLH
输出转换时间
+25
典型值。
11
7
马克斯。
24
15
40
to
+85
分钟。
马克斯。
30
19
40
to
+125
分钟。
马克斯。
36
22
ns
ns
4.5
4.5
Fig.7
Fig.7
单位
测试条件
V
CC
波形
(V)
1990年12月
5
74HC32
四2输入或门
高性能硅栅CMOS
该74HC32是引出线的LS32相同。该器件的输入是
与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，它们
与LSTTL输出兼容。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合JEDEC标准号7A要求
ESD性能： HBM
＆ GT ;
2000伏;机器型号
＆ GT ;
200 V
芯片的复杂性： 48场效应管或12个等效门
这些无铅器件
14
14
1
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
HC32G
AWLYWW
14
14
1
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
HC
32
ALYWG
G
HC32
=器件代码
A
=大会地点
L， WL
=晶圆地段
Y
=年
W， WW =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
2007年3月，
第1版
1
出版订单号：
74HC32/D
74HC32
引脚说明： 14引脚封装
（ TOP VIEW ）
V
CC
14
B4
13
A4
12
Y4
11
B3
10
A3
9
Y3
8
A1
B1
A2
B2
A3
1
A1
2
B1
3
Y1
4
A2
5
B2
6
Y2
7
GND
A4
B4
B3
1
2
4
5
9
10
12
13
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
逻辑图
3
Y1
6
Y2
Y = A + B
8
Y3
11
Y4
功能表
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
L
H
H
H
订购信息
设备
74HC32DR2G
74HC32DTR2G
包
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
航运
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
74HC32
最大额定值
符号
V
CC
V
in
I
in
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
T
L
V
OUT
参数
价值
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
_C
_C
260
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±20
±25
±50
500
450
- 65至+ 150
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
SOIC和TSSOP封装
SOIC封装
TSSOP封装
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
in
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参照
GND ）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
民
2.0
0
– 55
0
0
0
最大
6.0
V
CC
+ 125
1000
500
400
单位
V
V
_C
ns
http://onsemi.com
3
74HC32
DC特性
（电压参考GND）
符号
V
IH
参数
最低高电平输入电压
条件
V
OUT
= 0.1V或V
CC
0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
≤
2.4mA
|I
OUT
|
≤
4.0mA
|I
OUT
|
≤
5.2mA
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
≤
2.4mA
|I
OUT
|
≤
4.0mA
|I
OUT
|
≤
5.2mA
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
保证限额
55
至25℃
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
±0.1
2.0
≤85°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
±1.0
20
≤125°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.20
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
0.40
±1.0
40
mA
mA
V
单位
V
V
IL
最大低电平输入电压
V
OUT
= 0.1V或V
CC
0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
=V
IH
或V
IL
V
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
in
I
CC
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0毫安
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
AC特性
(C
L
= 50pF的，输入吨
r
= t
f
= 6ns的）
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大传输延迟，输入A或B到输出Y
（图1和图2）
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
55
至25℃
75
30
15
13
75
27
15
13
10
≤85°C
95
40
19
16
95
32
19
16
10
≤125°C
110
55
22
19
110
36
22
19
10
单位
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和图2）
ns
C
in
最大输入电容
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V
C
PD
功率耗散电容（每缓冲器） *
20
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
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4
74HC32 ; 74HCT32
四2输入或门
启5 - 2012年9月4日
产品数据表
1.概述
该74HC32 ; 74HCT32是四2输入或门。输入包括钳位二极管。这
使得能够利用限流电阻器的接口的输入电压超过
V
CC
.
2.特点和好处科幻TS
宽电源电压范围为2.0 V至6.0 V
符合JEDEC标准JESD7A
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
输入电平：
对于74HC32 ： CMOS电平
对于74HCT32 ： TTL电平
ESD保护：
HBM JESD22- A114F超过2000伏
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
多种封装选择
从指定的
40 C
+85
C
从
40 C
+125
C
恩智浦半导体
74HC32 ; 74HCT32
四2输入或门
5.管脚信息
5.1钢钉
1号航站楼
索引区
1B
1Y
2A
2B
2B
2Y
GND
5
6
7
001aad101
1A
1B
1Y
2A
1
2
3
4
14 V
CC
13 4B
12 4A
2
3
4
5
6
7
GND
3Y
8
14 V
CC
13 4B
12 4A
11 4Y
10 3B
9
3A
32
11 4Y
10 3B
9
8
3A
3Y
GND
(1)
2Y
1
1A
32
001aad102
透明的顶视图
（1）模具基体是利用连接到该垫
导电芯片粘接材料。它不能被用作一个
电源引脚或输入。
图4 。
引脚CON组fi guration DIP14 ， SO14和（ T） SSOP14
图5 。
引脚配置DHVQFN14
5.2引脚说明
表2中。
符号
1A至4A
1B到4B
1Y到4Y
GND
V
CC
引脚说明
针
1, 4, 9, 12
2, 5, 10,13
3, 6, 8, 11
7
14
描述
数据输入
数据输入
数据输出
接地（ 0 V ）
电源电压
6.功能描述
表3中。
输入
nA
L
L
H
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不在乎。
功能表
[1]
产量
nB
L
H
L
H
nY
L
H
H
H
74HC_HCT32
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产品数据表
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3 17
恩智浦半导体
74HC32 ; 74HCT32
四2输入或门
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
DIP14封装
SO14 ， （ T）和SSOP14
DHVQFN14包
[1]
[2]
[2]
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
民
0.5
-
-
-
-
50
65
-
-
最大
+7
20
20
25
50
-
+150
750
500
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
C
mW
mW
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于DIP14封装：P
合计
减额直线为12毫瓦/ K以上70
C.
对于SO14封装：P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
C.
对于（T ） SSOP14封装：P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
C.
对于DHVQFN14包：P
合计
减额线性4.5毫瓦/ K以上60
C.
8.推荐工作条件
表5 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0 V）的
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
条件
74HC32
民
2.0
0
0
40
-
-
-
典型值
5.0
-
-
-
-
1.67
-
最大
6.0
V
CC
V
CC
+125
625
139
83
74HCT32
民
4.5
0
0
40
-
-
-
典型值
5.0
-
-
-
-
1.67
-
最大
5.5
V
CC
V
CC
+125
-
139
-
V
V
V
C
NS / V
NS / V
NS / V
单位
74HC_HCT32
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