飞利浦半导体
产品speci fi cation
双边开关
特点
宽电源电压范围为2.0 V至9.0 V
极低的导通电阻：
– 41
（典型值） V
CC
= 4.5 V
– 30
（典型值） V
CC
= 6.0 V
– 21
（典型值） V
CC
= 9.0 V.
高噪声抗扰度
低功耗
±
25毫安开关电流
SOT505-2包
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
从指定的
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C.
描述
74HC2G66 ; 74HCT2G66
该74HC2G66 / 74HCT2G66是一个高速硅栅
CMOS器件。
该74HC2G66 / 74HCT2G66提供了双模拟
开关。每个开关有两个引脚（ NY和NZ）输入或
输出一个高电平有效使能输入（引脚E） 。当
销E为LOW时，属于模拟开关被关断。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6.0纳秒; V
os
为输出电压在销NY或NZ ，取被分配作为输出。
典型
符号
t
PZH
/t
PZL
t
PHZ
/t
PLZ
C
I
C
PD
C
S
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
+C
S
)
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
C
S
=以pF开关电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.对于74HC2G66的条件为V
I
= GND到V
CC
.
对于74HCT2G66的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
参数
开启时间NE到V
os
关断时间NE到V
os
输入电容
每个交换机的功耗的电容注1和2
开关电容
条件
HC2G
C
L
= 50 pF的;
L
= 1 kΩ的; V
CC
= 4.5 V 12
C
L
= 50 pF的;
L
= 1 kΩ的; V
CC
= 4.5 V 12
3.5
9
8
HCT2G
13
13
3.5
9
8
ns
ns
pF
pF
pF
单位
2004年5月19日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双边开关
74HC2G66 ; 74HCT2G66
手册， halfpage
1
7 #
X1
5
3 #
1
1
2
手册， halfpage
nZ
1
X1
1
MNB004
6
nE
GND
nY
MNB005
图3 IEC逻辑符号。
图4的逻辑图。
推荐工作条件
74HC2G66
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境
温度
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每台设备的特点
典型值。
5.0
+25
6.0
马克斯。
10.0
V
CC
V
CC
+125
1000
500
400
250
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
6.0
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
500
V
V
V
°C
ns
ns
ns
ns
74HCT2G66
单位
输入兴衰V
CC
= 2.0 V
时
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
CC
= 9.0 V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
P
s
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.以上55
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
封装的功耗
每个交换机的功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
注1
条件
分钟。
0.5
65
马克斯。
+11.0
±20
±20
±25
±30
+150
300
100
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
mW
2004年5月19日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双边开关
特点
宽电源电压范围为2.0 V至9.0 V
极低的导通电阻：
– 41
（典型值） V
CC
= 4.5 V
– 30
（典型值） V
CC
= 6.0 V
– 21
（典型值） V
CC
= 9.0 V.
高噪声抗扰度
低功耗
±
25毫安开关电流
SOT505-2包
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
从指定的
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C.
描述
74HC2G66 ; 74HCT2G66
该74HC2G66 / 74HCT2G66是一个高速硅栅
CMOS器件。
该74HC2G66 / 74HCT2G66提供了双模拟
开关。每个开关有两个引脚（ NY和NZ）输入或
输出一个高电平有效使能输入（引脚E） 。当
销E为LOW时，属于模拟开关被关断。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6.0纳秒; V
os
为输出电压在销NY或NZ ，取被分配作为输出。
典型
符号
t
PZH
/t
PZL
t
PHZ
/t
PLZ
C
I
C
PD
C
S
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
+C
S
)
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
C
S
=以pF开关电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.对于74HC2G66的条件为V
I
= GND到V
CC
.
对于74HCT2G66的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
参数
开启时间NE到V
os
关断时间NE到V
os
输入电容
每个交换机的功耗的电容注1和2
开关电容
条件
HC2G
C
L
= 50 pF的;
L
= 1 kΩ的; V
CC
= 4.5 V 12
C
L
= 50 pF的;
L
= 1 kΩ的; V
CC
= 4.5 V 12
3.5
9
8
HCT2G
13
13
3.5
9
8
ns
ns
pF
pF
pF
单位
2004年5月19日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双边开关
74HC2G66 ; 74HCT2G66
手册， halfpage
1
7 #
X1
5
3 #
1
1
2
手册， halfpage
nZ
1
X1
1
MNB004
6
nE
GND
nY
MNB005
图3 IEC逻辑符号。
图4的逻辑图。
推荐工作条件
74HC2G66
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境
温度
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每台设备的特点
典型值。
5.0
+25
6.0
马克斯。
10.0
V
CC
V
CC
+125
1000
500
400
250
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
6.0
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
500
V
V
V
°C
ns
ns
ns
ns
74HCT2G66
单位
输入兴衰V
CC
= 2.0 V
时
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
CC
= 9.0 V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
P
s
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.以上55
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
封装的功耗
每个交换机的功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
注1
条件
分钟。
0.5
65
马克斯。
+11.0
±20
±20
±25
±30
+150
300
100
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
mW
2004年5月19日
4
74HC2G66 ; 74HCT2G66
双路单刀单掷模拟开关
版本06 - 2010年4月2日
产品数据表
1.概述
74HC2G66和74HCT2G66是高速硅栅CMOS器件。他们是双
单刀单掷模拟开关。每个开关有两个输入/输出引脚
（ NY和NZ）和一个高电平有效使能输入引脚（NE ） 。当引脚NE为低电平时，模拟
开关被关断。
2.特点和好处科幻TS
宽电源电压范围为2.0 V至10.0 V的74HC2G66
非常低的导通电阻：
41
Ω
（典型值）在V
CC
= 4.5 V
30
Ω
（典型值）在V
CC
= 6.0 V
21
Ω
（典型值）在V
CC
= 9.0 V
高噪声抗扰度
低功耗
25毫安连续开关电流
多种封装选择
ESD保护：
HBM JESD22- A114F超过2000伏
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
从指定的
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74HC2G66DP
74HCT2G66DP
74HC2G66DC
74HCT2G66DC
74HC2G66GD
74HCT2G66GD
40 °C
+125
°C
XSON8U
40 °C
+125
°C
VSSOP8
40 °C
+125
°C
名字
TSSOP8
描述
塑料薄小外形封装; 8
导致;体宽3毫米;引线长度0.5毫米
VERSION
SOT505-2
类型编号
塑料非常薄小外形封装; 8 SOT765-1
导致;体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有SOT996-2
导致; 8终端; UTLP基础;体3
×
2
×
0.5 mm
恩智浦半导体
74HC2G66 ; 74HCT2G66
双路单刀单掷模拟开关
4.标记
表2中。
标记代码
记号
H66
T66
H66
T66
H66
T66
类型编号
74HC2G66DP
74HCT2G66DP
74HC2G66DC
74HCT2G66DC
74HC2G66GD
74HCT2G66GD
5.功能图
1Y
1Z
1E
2Z
2Y
Y
Z
2E
E
001aag497
001aah372
图1 。
逻辑符号
图2 。
1开关逻辑图
6.管脚信息
6.1钢钉
74HC2G66
74HCT2G66
1Y
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
1E
2Z
2Y
74HC2G66
74HCT2G66
1Y
1Z
2E
GND
1
2
3
4
001aai699
1Z
8
7
6
5
V
CC
1E
2Z
2Y
2E
GND
001aal625
透明的顶视图
图3 。
引脚CON组fi guration SOT505-2 （ TSSOP8 ）和
SOT765-1 （ VSSOP8 ）
图4 。
引脚CON组fi guration SOT996-2 （ XSON8U ）
74HC_HCT2G66_6
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产品数据表
版本06 - 2010年4月2日
2 21
恩智浦半导体
74HC2G66 ; 74HCT2G66
双路单刀单掷模拟开关
6.2引脚说明
表3中。
符号
1Y, 2Y
1Z, 2Z
GND
1E, 2E
V
CC
引脚说明
针
1, 5
2, 6
4
7, 3
8
描述
独立的输入或输出
独立的输入或输出
接地（ 0 V ）
使能输入（高电平有效）
电源电压
7.功能描述
表4 。
输入NE
L
H
[1]
H =高电压电平; L =低电压电平。
功能表
[1]
开关
关闭
ON
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
SK
I
SW
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入钳位电流
开关电流钳位
开关电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
每包
每个交换机
[1]
[2]
[2]
[2]
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
SW
＆ GT ;
0.5
V或V
SW
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
民
0.5
-
-
-
-
30
65
-
-
最大
+11.0
±20
±20
±20
30
-
+150
300
100
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
mW
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于TSSOP8封装超过55
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
对于VSSOP8套餐110以上
°C
P的值
合计
减额线性8.0毫瓦/ K 。
对于XSON8U包： 118以上
°C
P的值
合计
减额线性7.8毫瓦/ K 。
74HC_HCT2G66_6
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产品数据表
版本06 - 2010年4月2日
3 21
恩智浦半导体
74HC2G66 ; 74HCT2G66
双路单刀单掷模拟开关
9.推荐工作条件
表6 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0V）。
[1]
符号参数
V
CC
V
I
V
O
V
SW
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
开关电压
环境温度
输入转换崛起
和下降率
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
CC
= 10.0 V
[1]
条件
民
2.0
0
0
0
40
-
-
-
-
74HC2G66
典型值
5.0
-
-
-
+25
-
1.67
-
-
最大
10.0
V
CC
V
CC
V
CC
+125
625
139
83
35
民
4.5
0
0
0
40
-
-
-
-
74HCT2G66
典型值
5.0
-
-
-
+25
-
1.67
-
-
最大
5.5
V
CC
V
CC
V
CC
+125
-
139
-
-
单位
V
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
NS / V
NS / V
为了避免绘制V
CC
电流输出引脚NZ ，当开关电流引脚流向纽约，横跨双向开关的电压降不得
超过0.4 V.如果开关电流流入引脚新西兰，没有V
CC
电流流过输出端子纽约。在这种情况下是没有限制的
开关两端的电压降，但在销NY和NZ的电压可能不超过V
CC
或GND 。
10.静态特性
表7中。
静态特性
电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
74HC2G66
V
IH
高位
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
CC
= 9.0 V
V
IL
低电平
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
CC
= 9.0 V
I
I
输入漏电流
NE ; V
I
= V
CC
或GND
V
CC
= 6.0 V
V
CC
= 9.0 V
I
S（ OFF）
I
秒（上）
I
CC
关闭状态
漏电流
导通状态
漏电流
电源电流
纽约或新西兰; V
CC
= 9.0 V ;看
图5
纽约或新西兰; V
CC
= 9.0 V ;看
图6
NE， NY和NZ = V
CC
或GND
V
CC
= 6.0 V
V
CC
= 9.0 V
74HC_HCT2G66_6
条件
40 °C
+85
°C
民
1.5
3.15
4.2
6.3
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
[1]
1.2
2.4
3.2
4.7
0.8
2.1
2.8
4.3
-
-
0.1
0.1
最大
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
2.7
±0.1
±0.2
1.0
1.0
40 °C
+125
°C
单位
民
1.5
3.15
4.2
6.3
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
2.7
±0.1
±0.2
1.0
1.0
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
μA
μA
μA
-
-
-
-
10
20
-
-
20
40
μA
μA
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NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本06 - 2010年4月2日
4 21
QQ：2881677436 复制
