74HC2G17 ; 74HCT2G17
双非反相施密特触发器
版本01 - 2006年10月6日
产品数据表
1.概述
该74HC2G17 ; 74HCT2G17是一个高速硅栅CMOS器件。
该74HC2G17 ; 74HCT2G17提供了两个非反相施密特触发缓冲器。他们是
能够转化缓慢变化的输入信号转换成大幅德网络定义，无抖动
输出信号。
输入开关在不同的点为正和负向的信号。区别
正电压V之间
T+
和负电压V
T
是德网络定义为输入
迟滞电压V
H
.
2.特点
I
I
I
I
宽电源电压范围为2.0 V至6.0 V
符合JEDEC标准没有。 7A
高噪声抗扰度
ESD保护：
N
HBM JESD22 - A114 - D超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
低功耗
平衡传输延迟
无限输入上升和下降时间
多种封装选择
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
I
I
I
I
I
3.应用
I
波和脉冲整形的高噪声环境
I
非稳态多谐振荡器
I
单稳态触发器
恩智浦半导体
74HC2G17 ; 74HCT2G17
双非反相施密特触发器
9.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
=
0.5
V到V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
[1]
[1]
[1]
民
0.5
-
-
-
-
-
65
[2]
最大
+7.0
±20
±20
±25
50
50
+150
250
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的最小的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于SC- 88和SC- 74封装： 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
10.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
条件
民
2.0
0
0
40
4.5
0
0
40
典型值
5.0
-
-
+25
5.0
-
-
+25
最大
6.0
V
CC
V
CC
+125
5.5
V
CC
V
CC
+125
单位
V
V
V
°C
V
V
V
°C
类型74HC2G17
类型74HCT2G17
11.静态特性
表7中。
对于74HC2G17静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
符号
T
AMB
= 25
°C
V
OH
高电平输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
20 A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
=
20 A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
=
20 A;
V
CC
= 6.0 V
I
O
=
4.0
毫安; V
CC
= 4.5 V
I
O
=
5.2
毫安; V
CC
= 6.0 V
74HC_HCT2G17_1
参数
条件
民
典型值
最大
单位
1.9
4.4
5.9
4.18
5.68
2.0
4.5
6.0
4.32
5.81
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
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