74HC2G04 ; 74HCT2G04
双变频器
牧师01 - 2006年11月15日
产品数据表
1.概述
该74HC2G04 ; 74HCT2G04是一个高速硅栅CMOS器件。
该74HC2G04 ; 74HCT2G04提供两个反相缓冲器。
2.特点
I
I
I
I
宽电源电压范围为2.0 V至6.0 V
符合JEDEC标准没有。 7A
高噪声抗扰度
ESD保护：
N
HBM JESD22 - A114 - D超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
低功耗
平衡传输延迟
无限输入上升和下降时间
多种封装选择
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
I
I
I
I
I
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74HC2G04GW
74HC2G04GV
74HCT2G04GW
74HCT2G04GV
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
SC-88
SC-74
SC-88
SC-74
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装（ TSOP6 ） ; 6引线
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装（ TSOP6 ） ; 6引线
VERSION
SOT363
SOT457
SOT363
SOT457
类型编号
4.标记
表2中。
记号
标识代码
H4
H04
T4
T04
类型编号
74HC2G04GW
74HC2G04GV
74HCT2G04GW
74HCT2G04GV
恩智浦半导体
74HC2G04 ; 74HCT2G04
双变频器
7.功能描述
表4 。
输入
nA
L
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平。
功能表
[1]
产量
nY
H
L
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
=
0.5
V到V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
[1]
[1]
[1]
民
0.5
-
-
-
-
-
65
[2]
最大
+7.0
±20
±20
±25
+50
50
+150
250
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的最小的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于SC- 88和SC- 74封装： 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
上升时间
除了施密特触发器输入
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
t
f
下降时间
除了施密特触发器输入
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
74HC_HCT2G04_1
条件
民
2.0
0
0
40
-
-
-
-
-
-
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
-
-
-
-
最大
6.0
V
CC
V
CC
+125
1000
500
400
1000
500
400
单位
V
V
V
°C
ns
ns
ns
ns
ns
ns
类型74HC2G04
NXP B.V. 2006年保留所有权利。
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