飞利浦半导体
产品speci fi cation
双路2输入与非门
特点
宽电源电压范围为2.0 6.0 V
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
非常小的8引脚封装
输出能力为标准
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
6.0纳秒。
描述
74HC2G00 ; 74HCT2G00
该74HC2G / HCT2G00是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74HC2G / HCT2G00提供了2输入与非
功能。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
N =总负荷开关量输出;
V
CC
=伏特的供电电压;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.对于74HC2G00的条件为V
I
= GND到V
CC
.
对于74HCT2G00的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
参数
传播延迟呐， NB到纽约
输入电容
每门功耗电容注1和2
条件
HC2G00
C
L
= 50 pF的; V
CC
= 4.5 V
9
1.5
10
HCT2G00
12
1.5
10
ns
pF
pF
单位
2003年02月12
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双路2输入与非门
推荐工作条件
74HC2G00
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
典型值。
5.0
+25
74HC2G00 ; 74HCT2G00
74HCT2G00
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
t
r
, t
f
6.0
1000
500
400
6.0
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.以上110
°C
P的值
D
减额线性8毫瓦/ K 。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
注1
条件
分钟。
0.5
65
马克斯。
+7.0
±20
±20
25
50
+150
300
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2003年02月12
5
74HC2G00 ; 74HCT2G00
双路2输入与非门
牧师04 - 2008年7月3日
产品数据表
1.概述
该74HC2G00和74HCT2G00是高速硅栅CMOS器件。它们提供
两个2输入与非门。
慧聪设备具有CMOS输入电平转换和电源电压范围为2 V至6 V.
该HCT器件具有TTL输入电平转换和电源电压范围为4.5 V至5.5 V.
2.特点
I
I
I
I
I
I
I
宽电源电压范围为2.0 V至6.0 V
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
多种封装选择
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74HC2G00DP
74HCT2G00DP
74HC2G00DC
74HCT2G00DC
74HC2G00GD
74HCT2G00GD
40 °C
+125
°C
XSON8U
40 °C
+125
°C
VSSOP8
40 °C
+125
°C
TSSOP8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米;引线长度0.5毫米
VERSION
SOT505-2
类型编号
塑料非常薄小外形封装; 8线索; SOT765-1
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT996-2
8终端; UTLP基础;体3
×
2
×
0.5 mm
恩智浦半导体
74HC2G00 ; 74HCT2G00
双路2输入与非门
4.标记
表2中。
标识代码
标识代码
H00
T00
H00
T00
H00
T00
类型编号
74HC2G00DP
74HCT2G00DP
74HC2G00DC
74HCT2G00DC
74HC2G00GD
74HCT2G00GD
5.功能图
1
1
2
5
6
1A
1B
2A
2B
2
1Y
7
B
2Y
3
5
6
mna712
＆放大器;
7
＆放大器;
mna713
3
A
Y
mna099
图1 。
逻辑符号
图2 。
IEC逻辑符号
图3 。
逻辑图（一个驱动器）
6.管脚信息
6.1钢钉
74HC2G00
74HCT2G00
1A
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
1Y
2B
2A
74HC2G00
74HCT2G00
1A
1B
2Y
GND
1
2
3
4
001aai255
1B
8
7
6
5
V
CC
1Y
2B
2A
2Y
GND
001aai256
透明的顶视图
图4 。
引脚CON组fi guration SOT505-2 （ TSSOP8 ）和
SOT765-1 （ VSSOP8 ）
图5 。
引脚CON组fi guration SOT996-2 （ XSON8U ）
74HC_HCT2G00_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2008年7月3日
2 13
恩智浦半导体
74HC2G00 ; 74HCT2G00
双路2输入与非门
6.2引脚说明
表3中。
符号
1A, 2A
1B, 2B
GND
1Y, 2Y
V
CC
引脚说明
针
1, 5
2, 6
4
7, 3
8
描述
数据输入
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输出
电源电压
7.功能描述
表4 。
输入
nA
L
L
H
H
[1]
功能表
[1]
产量
nB
L
H
L
H
nY
H
H
H
L
H =高电压电平; L =低电压电平。
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
D
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
动态功耗
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
=
0.5
V到（V
CC
+ 0.5 V)
[1]
[1]
[1]
[1]
[1]
民
0.5
-
-
-
-
50
65
-
最大
+7.0
±20
±20
25
50
-
+150
300
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于TSSOP8封装： 55以上
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
对于VSSOP8包： 110以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于XSON8包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
74HC_HCT2G00_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
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3 13
恩智浦半导体
74HC2G00 ; 74HCT2G00
双路2输入与非门
表7中。
静态特性
- 续
电压参考GND（地= 0V）。所有典型值是在T测
AMB
= 25
°
C.
符号
参数
条件
40 °C
+85
°C
民
74HCT2G00
V
IH
V
IL
V
OH
高级别输入
电压
低电平输入
电压
高电平的输出
电压
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
20 A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
=
4.0
毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OL
低电平输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 20
A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
= 4.0毫安; V
CC
= 4.5 V
I
I
I
CC
I
CC
C
I
输入漏电流
电源电流
新增供应
当前
输入电容
V
I
= V
CC
或GND ; V
CC
= 5.5 V
V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 5.5 V
每个输入; V
CC
= 4.5 V至5.5 V ;
V
I
= V
CC
2.1 V ;我
O
= 0 A
-
-
-
-
-
-
0
0.15
-
-
-
1.5
0.1
0.33
±1.0
10
375
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.4
±1.0
20
410
-
V
V
A
A
A
pF
4.4
4.13
4.5
4.32
-
-
4.4
3.7
-
-
V
V
2.0
-
1.6
1.2
-
0.8
2.0
-
-
0.8
V
V
典型值
最大
40 °C
+125
°C
民
最大
单位
11.动态特性
表8 。
动态特性
电压参考GND（地= 0V） ;所有典型值是在T测
AMB
= 25
°
℃;测试电路见
图7 。
符号参数
74HC2G00
t
pd
传播延迟Na和Nb ，以NY;看
图6
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
t
t
转换时间
SEE
图6
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
C
PD
功耗V
I
= GND到V
CC
电容
[3]
[2]
[1]
条件
40 °C
+85
°C
民
典型值
最大
40 °C
+125
°C
单位
民
最大
-
-
-
-
-
-
-
25
9
7
18
6
5
10
95
19
16
95
19
16
-
-
-
-
-
-
-
-
110
22
20
125
25
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
74HC_HCT2G00_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2008年7月3日
5 13
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双路2输入与非门
特点
宽电源电压范围为2.0 6.0 V
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
非常小的8引脚封装
输出能力为标准
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
6.0纳秒。
描述
74HC2G00 ; 74HCT2G00
该74HC2G / HCT2G00是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74HC2G / HCT2G00提供了2输入与非
功能。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
N =总负荷开关量输出;
V
CC
=伏特的供电电压;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.对于74HC2G00的条件为V
I
= GND到V
CC
.
对于74HCT2G00的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
参数
传播延迟呐， NB到纽约
输入电容
每门功耗电容注1和2
条件
HC2G00
C
L
= 50 pF的; V
CC
= 4.5 V
9
1.5
10
HCT2G00
12
1.5
10
ns
pF
pF
单位
2003年02月12
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双路2输入与非门
推荐工作条件
74HC2G00
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
典型值。
5.0
+25
74HC2G00 ; 74HCT2G00
74HCT2G00
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
t
r
, t
f
6.0
1000
500
400
6.0
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.以上110
°C
P的值
D
减额线性8毫瓦/ K 。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
注1
条件
分钟。
0.5
65
马克斯。
+7.0
±20
±20
25
50
+150
300
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2003年02月12
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双路2输入与非门
特点
宽电源电压范围为2.0 6.0 V
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
非常小的8引脚封装
输出能力为标准
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
6.0纳秒。
描述
74HC2G00 ; 74HCT2G00
该74HC2G / HCT2G00是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74HC2G / HCT2G00提供了2输入与非
功能。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
N =总负荷开关量输出;
V
CC
=伏特的供电电压;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.对于74HC2G00的条件为V
I
= GND到V
CC
.
对于74HCT2G00的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
参数
传播延迟呐， NB到纽约
输入电容
每门功耗电容注1和2
条件
HC2G00
C
L
= 50 pF的; V
CC
= 4.5 V
9
1.5
10
HCT2G00
12
1.5
10
ns
pF
pF
单位
2003年02月12
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双路2输入与非门
推荐工作条件
74HC2G00
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
典型值。
5.0
+25
74HC2G00 ; 74HCT2G00
74HCT2G00
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
t
r
, t
f
6.0
1000
500
400
6.0
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.以上110
°C
P的值
D
减额线性8毫瓦/ K 。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
注1
条件
分钟。
0.5
65
马克斯。
+7.0
±20
±20
25
50
+150
300
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2003年02月12
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双路2输入与非门
特点
宽电源电压范围为2.0 6.0 V
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
非常小的8引脚封装
输出能力为标准
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
6.0纳秒。
描述
74HC2G00 ; 74HCT2G00
该74HC2G / HCT2G00是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74HC2G / HCT2G00提供了2输入与非
功能。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
N =总负荷开关量输出;
V
CC
=伏特的供电电压;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.对于74HC2G00的条件为V
I
= GND到V
CC
.
对于74HCT2G00的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
参数
传播延迟呐， NB到纽约
输入电容
每门功耗电容注1和2
条件
HC2G00
C
L
= 50 pF的; V
CC
= 4.5 V
9
1.5
10
HCT2G00
12
1.5
10
ns
pF
pF
单位
2003年02月12
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双路2输入与非门
推荐工作条件
74HC2G00
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
典型值。
5.0
+25
74HC2G00 ; 74HCT2G00
74HCT2G00
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
t
r
, t
f
6.0
1000
500
400
6.0
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.以上110
°C
P的值
D
减额线性8毫瓦/ K 。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
注1
条件
分钟。
0.5
65
马克斯。
+7.0
±20
±20
25
50
+150
300
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2003年02月12
5
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