74HC258
四2输入多路复用器;三态;反相
牧师04 - 2008年4月14日
产品数据表
1.概述
该74HC258是高速硅栅CMOS器件并具有低功率管脚兼容
肖特基TTL （ LSTTL ） 。该74HC258是符合JEDEC特定网络版
没有标准。 7A 。
该74HC258有四个相同的2输入多路复用器与3态输出，其中选择
4位来自两个源的数据，并通过一个公共数据选择输入（S）控制的。
从源0（ 1I0到4I0 ）的数据输入端被选择时，输入端S为低电平时，数据
从源代码1 （ 1I1到4I1 ）输入时选择S为高。
数据显示，在从选择输入在倒立的形式输出（ 1Y到4Y ） 。
该74HC258是逻辑实现为4极， 2位开关，其中，所述位置的
的开关由施加到S的逻辑电平来确定的输出被强制为
高阻关断状态时， OE为高电平。
的逻辑方程的输出是：
1Y
= OE
× (
1I1
×
S
+ 1I0
×
S
)
2Y
= OE
× (
2I1
×
S
+
2I0
×
S
)
3Y
= OE
× (
3I1
×
S
+
3I0
×
S
)
4Y
= OE
× (
4I1
×
S
+
4I0
×
S
)
该74HC258是相同的74HC257但反相输出。
2.特点
I
I
I
I
I
与系统总线三态输出接口，直接
低功耗
反相数据路径
符合JEDEC标准没有。 7A
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
I
多种封装选择
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
从
40 °C
+125
°C.
恩智浦半导体
74HC258
四2输入多路复用器;三态;反相
3.订购信息
表1中。
订购信息
温度范围
74HC258N
74HC258D
74HC258DB
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
名字
DIP16
SO16
描述
塑料双列直插式封装; 16引线（ 300万）
塑料小外形封装; 16线索;体宽3.9毫米
VERSION
SOT38-4
SOT109-1
SOT338-1
型号封装
SSOP16塑料小外形封装; 16线索;体
宽度5.3毫米
4.功能图
1
3
5
6
11 10 14 13
2
1I0 1I1 2I0 2I1 3I0 3I1 4I0 4I1
1 S
选择器
2
3
5
6
11
S
1I0
1I1
2I0
2I1
3I0
3I1
4I0
4I1
OE
001aab966
1Y
4
2Y
7
15 OE
10
3态输出多路复用器
14
13
3Y
9
4Y
12
1Y
4
2Y
7
3Y
9
4Y
12
001aab968
15
图1 。
工作原理图
图2 。
逻辑符号
1I0
1Y
1I1
1
15
G1
EN
MUX
2I0
2Y
2
3
5
1
1
2I1
4
3I0
7
6
11
9
10
14
12
13
001aab967
3Y
3I1
4I0
4Y
4I1
OE
S
001aab969
图3 。
74HC258_4
IEC逻辑符号
图4 。
逻辑图
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2008年4月14日
2 14
恩智浦半导体
74HC258
四2输入多路复用器;三态;反相
6.功能描述
表3中。
控制
OE
H
L
L
L
L
[1]
功能表
[1]
输入
S
X
L
L
H
H
nl0
X
L
H
X
X
nI1
X
X
X
L
H
产量
nY
Z
H
L
H
L
H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不关心;
Z =高阻关断状态。
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
DIP16封装
SO16封装
SSOP16封装
[1]
[2]
[3]
[4]
[2]
[3]
[4]
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
=
0.5
V到V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
民
0.5
-
-
-
-
70
65
-
-
-
最大
+7.0
±20
±20
±35
70
-
+150
750
500
500
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
mW
mW
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
P
合计
减额直线为12毫瓦/ K以上70
°C.
P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
°C.
P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
°C.
74HC258_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2008年4月14日
4 14
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入多路复用器;三态;反相
特点
反相数据路径
与系统总线三态输出接口，直接
输出能力：公交车司机
I
CC
类别： MSI 。
概述
该74HC / HCT258是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
该74HC / HCT258有四个相同的2输入多路复用器
具有三态输出，从两个中选择4位数据
源，并且通过一个公共的数据选择控制
输入（S） 。
从源代码0的数据输入（ 1I
0
到4I
0
）被选择
当输入端S为低电平并且从源1的数据输入端
(1I
1
到4I
1
）被选择时， S为高电平。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒。
1Y
=
OE
× (
1I
1
×
S
+
1I
0
×
S
)
2Y
=
OE
× (
2I
1
×
S
+
2I
0
×
S
)
3Y
=
OE
× (
3I
1
×
S
+
3I
0
×
S
)
4Y
=
OE
× (
4I
1
×
S
+
4I
0
×
S
)
74HC/HCT258
数据显示在输出（ 1Y到4Y ）的形式倒
从选择输入。
该' 258 '是逻辑实现为4极， 2位上的
开关，其中所述开关的位置由下式确定
施加到S的输出端的逻辑电平被强制为
高阻关断状态时， OE为高电平。
的逻辑方程的输出是：
该' 258'是相同的' 257 '，但已反相输出。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟
nI
0
倪
1
到纽约
S到纽约
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
;
对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
输入电容
每个多路复用器的功率耗散电容
注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的;
V
CC
= 5 V
9
14
3.5
55
13
16
3.5
38
HCT
ns
ns
pF
pF
单位
1999年9月02
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入多路复用器;三态;反相
订购信息
包
类型编号
名字
74HC258N;
74HCT258N
74HC258D;
74HCT258D
74HC258DB
引脚说明
PIN号
1
2，5， 11和14
3 ，第6 ，第10和13
4 ，第7 ，第9和第12
8
15
16
符号
S
1I
0
到4I
0
1I
1
到4I
1
1Y到4Y
GND
OE
V
CC
常见的数据输入选择
从源代码0的数据输入
从源1数据输入
3态输出多路复用器
接地（ 0 V ）
三态输出使能输入（低电平有效）
正电源电压
名称和功能
DIP16
SO16
SSOP16
描述
塑料双列直插式封装; 16引线（ 300万） ;长身
74HC/HCT258
VERSION
SOT38-1
SOT109-1
SOT338-1
塑料小外形封装; 16线索;体宽3.9毫米
塑料小外形封装; 16线索;体宽5.3毫米
fpage
fpage
fpage
1
15
1
2
3
1I0
1I1
2I0
2I1
3I0
3I1
4I0
4I1
OE
MGA832
G1
EN
S
1I0
1I1
1Y
2I0
2I1
2Y
GND
1
2
3
4
16
VCC
15
OE
14
3I0
S
1Y
4
2
2Y
7
3
5
3Y
9
6
11
4Y
12
10
14
13
5
6
14
13
11
1
1
MUX
4
258
5
6
7
8
MGA830
13
3I1
12
4Y
11
4I0
10
4I1
9
3Y
7
9
10
15
12
MGA831
Fig.1引脚配置。
图2逻辑符号。
图3 IEC逻辑符号。
1999年9月02
3
QQ：2881677436 复制
