【74HC21两个4输入与门牧师05 - 2009年5月7日产品数据表1.概述该74HC21是一个高速】,IC型号74HC21DB,74HC21DB PDF资料,74HC21DB经销商,ic,电子元器件-51电子网

74HC21

两个4输入与门

牧师05 - 2009年5月7日

产品数据表

1.概述

该74HC21是一个高速硅栅CMOS器件，其引脚与低功耗兼容

肖特基TTL （ LSTTL ）。

的74HC21提供的4输入的与功能。

2.特点

I

低功耗

I

符合JEDEC标准没有。 7A

I

ESD保护：

N

HBM JESD22- A114E超过2000伏

N

MM JESD22 - A115 - A超过200 V

I

多种封装选择

I

从特定网络版

40 °C

+80

°C

从

40 °C

+125

°C.

3.订购信息

表1中。

订购信息

包

温度范围

74HC21N

74HC21D

74HC21DB

74HC21PW

40 °C

+125

°C

40 °C

+125

°C

40 °C

+125

°C

40 °C

+125

°C

名字

DIP14

SO14

SSOP14

TSSOP14

描述

塑料双列直插式封装; 14引线（ 300万）

塑料小外形封装; 14线索;

体宽3.9毫米

塑料小外形封装; 14线索;

体宽5.3毫米

塑料薄小外形封装; 14线索;

体宽4.4毫米

VERSION

SOT27-1

SOT108-1

SOT337-1

SOT402-1

类型编号

恩智浦半导体

74HC21

两个4输入与门

4.功能图

1

2

4

5

9

10

12

13

1A

1B

1C

1D

2A

2B

2C

2D

001aab975

1Y

1

6

2

4

5

9

8

10

12

13

1A

1B

1C

1D

2A

2B

2C

2D

001aab973

1Y

6

2Y

8

图1 。

工作原理图

图2 。

逻辑符号

1

2

4

5

＆放大器;

6

A

B

9

10

12

13

001aab974

＆放大器;

8

Y

C

D

001aab976

图3 。

IEC逻辑符号

图4 。

逻辑图

5.管脚信息

5.1钢钉

74HC21

1A

1B

北卡罗来纳州

1C

1D

1Y

GND

1

2

3

4

5

6

7

001aab972

14 V

CC

13 2D

12 2C

11北卡罗来纳州

10 2B

9

8

2A

2Y

1A

1B

北卡罗来纳州

1C

1D

1Y

GND

1

2

3

4

5

6

7

001aai659

74HC21

14 V

CC

13 2D

12 2C

11北卡罗来纳州

10 2B

9

8

2A

2Y

图5 。

引脚CON组fi guration SOT27-1和SOT108-1

图6 。

引脚CON组fi guration SOT337-1和SOT402-1

74HC21_5

产品数据表

牧师05 - 2009年5月7日

2 14

恩智浦半导体

74HC21

两个4输入与门

5.2引脚说明

表2中。

符号

图1A，1B ，1C，1D

北卡罗来纳州

1Y

GND

2Y

图2a ，2b， 2c中，二维

V

CC

引脚说明

针

1, 2, 4, 5

3, 11

6

7

8

9, 10, 12, 13

14

描述

数据输入

没有连接

数据输出

接地（ 0 V ）

数据输出

数据输入

电源电压

6.功能描述

表3中。

输入

nA

L

X

H

[1]

功能表

[1]

产量

nB

X

L

X

H

nC

X

L

X

H

nD

X

L

H

nY

L

H

H =高电压电平; L =低电压电平; X =无关。

7.极限值

表4 。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。电压参考GND（地= 0V）。

符号

V

CC

I

IK

I

OK

I

O

I

CC

I

GND

T

英镑

P

合计

参数

电源电压

输入钳位电流

输出钳位电流

输出电流

电源电流

地电流

储存温度

总功耗

DIP14封装

SO14和（ T） SSOP14

套餐

[1]

[2]

条件

V

I

＆ LT ;

0.5

V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5 V

V

O

＆ LT ;

0.5

V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5 V

0.5

V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5 V

[1]

民

0.5

-

50

65

-

最大

+7

±20

±25

50

-

+150

750

500

单位

V

mA

°C

mW

如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。

对于DIP14封装：P

合计

减额直线为12毫瓦/ K以上70

°C.

对于SO14封装：P

合计

减额线性8毫瓦/ K以上70

°C.

对于（T ） SSOP14封装：P

合计

减额线性5.5毫瓦/ K以上60

°C.

74HC21_5

产品数据表

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恩智浦半导体

74HC21

两个4输入与门

8.推荐工作条件

表5 。

推荐工作条件

电压参考GND（地= 0 V）的

符号

V

CC

V

I

V

O

ΔT/ ΔV

参数

电源电压

输入电压

输出电压

输入转换兴衰

率

V

CC

= 2.0 V

V

CC

= 4.5 V

V

CC

= 6.0 V

T

AMB

环境温度

条件

民

2.0

0

-

40

典型值

5.0

-

1.67

-

最大

6.0

V

CC

V

CC

625

139

83

+125

单位

V

NS / V

°C

9.静态特性

表6 。

静态特性

在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。

符号参数

V

IH

高位

输入电压

条件

民

V

CC

= 2.0 V

V

CC

= 4.5 V

V

CC

= 6.0 V

V

IL

低电平

输入电压

V

CC

= 2.0 V

V

CC

= 4.5 V

V

CC

= 6.0 V

V

OH

高位

输出电压

V

I

= V

IH

或V

IL

I

O

=

20 A;

V

CC

= 2.0 V

I

O

=

20 A;

V

CC

= 4.5 V

I

O

=

20 A;

V

CC

= 6.0 V

I

O

=

4.0

毫安; V

CC

= 4.5 V

I

O

=

5.2

毫安; V

CC

= 6.0 V

V

OL

低电平

输出电压

V

I

= V

IH

或V

IL

I

O

= 20

A;

V

CC

= 2.0 V

I

O

= 20

A;

V

CC

= 4.5 V

I

O

= 20

A;

V

CC

= 6.0 V

I

O

= 4.0毫安; V

CC

= 4.5 V

I

O

= 5.2毫安; V

CC

= 6.0 V

I

CC

C

I

输入漏

当前

电源电流

输入

电容

V

I

= V

CC

或GND ;

V

CC

= 6.0 V

V

I

= V

CC

或GND ;我

O

= 0 A;

V

CC

= 6.0 V

-

0

0.15

0.16

-

3.5

0.1

0.26

±0.1

2.0

-

0.1

0.33

±1

20

-

0.1

0.4

±1

40

-

V

A

pF

1.9

4.4

5.9

3.98

5.48

2.0

4.5

6.0

4.32

5.81

-

1.9

4.4

5.9

3.84

5.34

-

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

-

V

1.5

3.15

4.2

-

25

°C

典型值

1.2

2.4

3.2

0.8

2.1

2.8

最大

-

0.5

1.35

1.8

40 °C

+85

°C 40 °C

+125

°C

单位

民

1.5

3.15

4.2

-

最大

-

0.5

1.35

1.8

民

1.5

3.15

4.2

-

最大

-

0.5

1.35

1.8

V

74HC21_5

产品数据表

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恩智浦半导体

74HC21

两个4输入与门

10.动态特性

表7中。

动态特性

GND = 0 V ;测试电路见

网络连接gure 8 。

符号参数

t

pd

传播

延迟

条件

民

呐， NB ， NC或Nd到纽约;

SEE

图7

V

CC

= 2.0 V

V

CC

= 4.5 V

V

CC

= 6.0 V

V

CC

= 5.0 V ;

L

= 15 pF的

t

转换时间

NY输出;看

图7

V

CC

= 2.0 V

V

CC

= 4.5 V

V

CC

= 6.0 V

C

PD

动力

耗散

电容

V

I

= GND到V

CC

[3]

[2]

[1]

25

°C

典型值

最大

40 °C

+85

°C

民

最大

40 °C

+125

°C

单位

民

最大

-

33

12

10

19

7

6

15

110

22

19

-

75

15

13

-

140

28

24

-

95

19

16

-

165

33

28

-

110

22

19

-

ns

pF

[1]

[2]

[3]

t

pd

是相同为T

PHL

和T

PLH

.

t

是相同为T

THL

和T

TLH

.

C

PD

被用于确定所述动态功耗（P

D

in

W):

P

D

= C

PD

×

V

CC2

×

f

i

×

N +

∑

(C

L

×

V

CC2

×

f

o

）其中：

f

i

=以MHz输入频率;

f

o

=以MHz输出频率;

C

L

=以pF输出负载电容;

V

CC

在V =电源电压;

N =输入切换次数;

∑

(C

L

×

V

CC2

×

f

o

） =产出的总和。

74HC21_5

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