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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符7型号页 > 首字符7的型号第321页 > 74HC1GU04GW
集成电路
数据表
74HC1GU04
逆变器
产品speci fi cation
在集成电路， IC06文件
1998年11月18日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器
特点
宽工作电压：
为2.0 6.0 V
对称的输出阻抗
低功耗
平衡传输延迟
非常小的5引脚封装
输出能力：标准。
描述
该74HC1GU04是一个高速
硅栅CMOS器件。
该74HC1GU04提供
反相单级功能。
标准输出电流
1
2
相比于74HCU04 。
功能表
见注1 。
输入
INA
L
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平。
产量
OUTY
H
L
笔记
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6.0纳秒。
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
参数
传播
INA推迟到OUTY
输入电容
动力
耗散
电容
注1和2
条件
C
L
= 15 pF的;
V
CC
= 5 V
74HC1GU04
典型值。
5
5
14
单位
ns
pF
pF
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在V =电源电压;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.对于HC1G的条件为V
I
= GND到V
CC.
钉扎
针
1
2
3
4
5
北卡罗来纳州
INA
GND
OUTY
V
CC
符号
描述
没有连接
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输出
直流电源电压
1998年11月18日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器
订购信息
套餐
北外
AMERICA
74HC1GU04GW
温度
范围
40
+125
°C
引脚
5
包
SC-88A
材料
塑料
74HC1GU04
CODE
SOT353
记号
HD
手册， halfpage
北卡罗来纳州1
INA 2
GND
3
MNA042
5 VCC
U04
4
OUTY
手册， halfpage
2
INA
OUTY
4
MNA043
Fig.1引脚配置。
图2逻辑符号。
手册， halfpage
2
1
MNA044
4
手册， halfpage
INA
OUTY
MNA045
图3 IEC逻辑符号。
图4的逻辑图。
1998年11月18日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器
推荐工作条件
74HC1GU04
74HC1G
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
参数
直流电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度范围
见直流和交流
每台设备的特点
条件
分钟。
2.0
0
0
40
+25
典型值。
5.0
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
1000
500
400
V
V
V
°C
ns
ns
ns
单位
输入上升和下降时间，除了V
CC
= 2.0 V
对于施密特触发器输入
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
±I
IK
±I
OK
±I
O
±I
CC
T
英镑
P
D
参数
直流电源电压
DC输入二极管电流
(1)
DC输出二极管电流
(1)
DC输出源或汇
目前的标准输出
(1)
DC V
CC
或GND电流
类型与标准输出
(1)
存储温度范围
每个功率耗散
对于温度范围：
40
+125
°C;
包5引脚塑料SC- 88A以上55
°C
P
D
减额线性
2.5毫瓦/ K
V
I
＆ LT ; ±0.5
或V
I
＆ GT ;
V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ; ±0.5
或V
O
＆ GT ;
V
CC
+ 0.5 V
0.5
V
＆ LT ;
V
O
＆ LT ;
V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
65
马克斯。
+7.0
20
20
12.5
25
+150
200
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
1998年11月18日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器
直流特性的74HC1GU04
在推荐的工作条件。电压都参考GND（地= 0V）。
测试条件
符号
参数
其他
V
IH
高级别输入
电压
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
V
IL
低电平输入电压
2.0
4.5
6.0
V
OH
高电平的输出
电压;所有输出
V
I
= V
IH
或V
IL
,
I
O
= 20
A
V
I
= V
IH
或V
IL
,
I
O
= 2.0毫安
V
I
= V
IH
或V
IL
,
I
O
= 2.6毫安
V
I
= V
IH
或V
IL
,
I
O
= 20
A
V
I
= V
IH
或V
IL
,
I
O
= 2.0毫安
V
I
= V
IH
或V
IL
,
I
O
= 2.6毫安
V
I
= V
CC
或GND
2.0
4.5
6.0
V
OH
高电平的输出
电压;标准
输出
低电平输出
电压;所有输出
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
V
OL
低电平输出
电压;标准
输出
输入漏电流
静态电源
当前
4.5
6.0
6.0
分钟。
1.7
3.6
4.8
1.8
4.0
5.5
4.13
5.63
T
AMB
(°C)
40
+85
典型值。
(1)
1.4
2.6
3.4
0.6
1.9
2.6
2.0
4.5
6.0
4.32
5.81
0
0
0
0.15
0.16
马克斯。
0.3
0.9
1.2
0.2
0.5
0.5
0.33
0.33
1.0
10
74HC1GU04
40
+125
分钟。
1.7
3.6
4.8
1.8
4.0
5.5
3.7
5.2
马克斯。
0.3
0.9
1.2
0.2
0.5
0.5
0.4
0.4
1.0
20
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
V
OL
I
I
I
CC
记
V
I
= V
CC
或GND ， 6.0
I
O
= 0
1.所有典型值是在T测
AMB
= 25
°C.
1998年11月18日
5
74HC1GU04
逆变器
牧师05 - 2007年7月10日
产品数据表
1.概述
该74HC1GU04是一个高速硅栅CMOS器件。它提供了一个反相单
舞台功能。标准输出电流一半的74HCU04的。
2.特点
I
I
I
I
I
对称的输出阻抗
宽工作电压范围为2.0 V至6.0 V
低功耗
平衡传输延迟
SOT353-1和SOT753封装选项
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74HC1GU04GW
74HC1GU04GV
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
名字
TSSOP5
SC-74A
描述
塑料薄小外形封装;
5线索;体宽1.25毫米
塑料表面贴装封装; 5线索
VERSION
SOT353-1
SOT753
类型编号
4.标记
表2中。
标记代码
记号
HD
HU4
类型编号
74HC1GU04GW
74HC1GU04GV
5.功能图
2
A
Y
4
2
1
mna044
4
A
Y
mna045
mna043
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
图3.逻辑图
恩智浦半导体
74HC1GU04
逆变器
6.管脚信息
6.1钢钉
74HC1GU04
北卡罗来纳州
A
1
2
5
V
CC
GND
3
001aaf105
4
Y
图4.引脚CON组fi guration
6.2引脚说明
表3中。
符号
北卡罗来纳州
A
GND
Y
V
CC
引脚说明
针
1
2
3
4
5
描述
没有连接
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输出
电源电压
7.功能描述
表4 。
功能表
H =高电压电平; L =低电压电平
输入
A
L
H
产量
Y
H
L
74HC1GU04_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2007年7月10日
2 12
恩智浦半导体
74HC1GU04
逆变器
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
[1]
民
0.5
-
-
-
-
25
65
最大
+7.0
±20
±20
±12.5
25
-
+150
200
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
上述55
°C
P的值
合计
减额线性度为2.5毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入转换兴衰
率
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
条件
民
2.0
0
0
40
-
-
-
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
-
最大
6.0
V
CC
V
CC
+125
625
139
83
单位
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
NS / V
10.静态特性
表7中。
静态特性
电压参考GND（地= 0V）。所有典型值是在T测
AMB
= 25
°
C.
符号
V
IH
参数
高级别输入
电压
条件
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
IL
低电平输入
电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
40 °C
+85
°C
民
1.7
3.6
4.8
-
-
-
典型值
1.4
2.6
3.4
0.6
1.9
2.6
最大
-
-
-
0.3
0.9
1.2
40 °C
+125
°C
民
1.7
3.6
4.8
-
-
-
最大
-
-
-
0.3
0.9
1.2
V
V
V
V
V
V
单位
74HC1GU04_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2007年7月10日
3 12
恩智浦半导体
74HC1GU04
逆变器
表7中。
静态特性
- 续
电压参考GND（地= 0V）。所有典型值是在T测
AMB
= 25
°
C.
符号
V
OH
参数
高电平的输出
电压
条件
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
20 A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
=
20 A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
=
20 A;
V
CC
= 6.0 V
I
O
=
2.0
毫安; V
CC
= 4.5 V
I
O
=
2.6
毫安; V
CC
= 6.0 V
V
OL
低电平输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 20
A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
= 20
A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
= 20
A;
V
CC
= 6.0 V
I
O
= 2.0毫安; V
CC
= 4.5 V
I
O
= 2.6毫安; V
CC
= 6.0 V
I
I
I
CC
C
I
输入漏电流
电源电流
输入电容
V
I
= V
CC
或GND ; V
CC
= 6.0 V
V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 6.0 V
-
-
-
-
-
-
-
-
0
0
0
0.15
0.16
-
-
5
0.2
0.5
0.5
0.33
0.33
1.0
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.2
0.5
0.5
0.4
0.4
1.0
20
-
V
V
V
V
V
A
A
pF
1.8
4.0
5.5
4.13
5.63
2.0
4.5
6.0
4.32
5.81
-
-
-
-
-
1.8
4.0
5.5
3.7
5.2
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
40 °C
+85
°C
民
典型值
最大
40 °C
+125
°C
民
最大
单位
11.动态特性
表8 。
动态特性
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6.0纳秒;测试电路见
图6 。
所有典型值是在T测
AMB
= 25
°
C.
符号参数
t
pd
条件
[1]
40 °C
+85
°C
民
典型值
10
7
6
5
14
最大
90
18
15
-
-
40 °C
+125
°C
单位
民
-
-
-
-
-
最大
105
21
18
-
-
ns
ns
ns
ns
pF
传播延迟为Y ;看
图5
V
CC
= 2.0 V ;
L
= 50 pF的
V
CC
= 4.5 V ;
L
= 50 pF的
V
CC
= 6.0 V ;
L
= 50 pF的
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 15 pF的
-
-
-
-
[2]
C
PD
功耗V
I
= GND到V
CC
电容
t
pd
是相同为T
PLH
和T
PHL
.
C
PD
被用于确定所述动态功耗P
D
(W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
-
[1]
[2]
74HC1GU04_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2007年7月10日
4 12
恩智浦半导体
74HC1GU04
逆变器
12.波形
A输入
V
M(1)
VI
V
CC
t
PHL
t
PLH
脉冲
发电机
VO
DUT
RT
CL
50 pF的
Y输出
V
M(1)
mna046
mna034
V
M(1)
= 0.5
×
V
CC
; V
I
= GND到V
CC
.
测试数据列于
表8 。
DUT =被测设备
C
L
=负载电容包括夹具和探头
电容。
R
T
=终端电阻应等于
输出阻抗Z
o
的脉冲发生器。
图5.输入到输出的传播延迟
图6.负载电路的开关时间
13.典型的传输特性
mna047
mna048
1
2
10
5
I
CC
（MA ）
V
O
(V)
I
CC
（MA ）
V
O
(V)
0.5
1
5
2.5
0
0
1
V
I
(V)
2
0
0
0
2.5
V
I
(V)
5
0
图7. V
CC
= 2.0 V ;我
O
= 0 A
图8. V
CC
= 4.5 V ;我
O
= 0 A
74HC1GU04_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2007年7月10日
5 12
查看更多74HC1GU04GWPDF信息
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7091-43-DH2-V2
75420
76W-103
74LVCH162244ADL-T
7070-50-CBO
79L15ACF
74AC299MTR
74ACT11240DWRE4
74LVX08MTR
75568-5032
74LV240
735P
753081681FPTR7
7715AC
71661-2060
70545-0086
79109-8674
70107-0018
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