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74HC1GU04
逆变器
牧师05 - 2007年7月10日
产品数据表
1.概述
该74HC1GU04是一个高速硅栅CMOS器件。它提供了一个反相单
舞台功能。标准输出电流一半的74HCU04的。
2.特点
I
I
I
I
I
对称的输出阻抗
宽工作电压范围为2.0 V至6.0 V
低功耗
平衡传输延迟
SOT353-1和SOT753封装选项
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74HC1GU04GW
74HC1GU04GV
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
名字
TSSOP5
SC-74A
描述
塑料薄小外形封装;
5线索;体宽1.25毫米
塑料表面贴装封装; 5线索
VERSION
SOT353-1
SOT753
类型编号
4.标记
表2中。
标记代码
记号
HD
HU4
类型编号
74HC1GU04GW
74HC1GU04GV
5.功能图
2
A
Y
4
2
1
mna044
4
A
Y
mna045
mna043
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
图3.逻辑图
恩智浦半导体
74HC1GU04
逆变器
6.管脚信息
6.1钢钉
74HC1GU04
北卡罗来纳州
A
1
2
5
V
CC
GND
3
001aaf105
4
Y
图4.引脚CON组fi guration
6.2引脚说明
表3中。
符号
北卡罗来纳州
A
GND
Y
V
CC
引脚说明
针
1
2
3
4
5
描述
没有连接
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输出
电源电压
7.功能描述
表4 。
功能表
H =高电压电平; L =低电压电平
输入
A
L
H
产量
Y
H
L
74HC1GU04_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2007年7月10日
2 12
恩智浦半导体
74HC1GU04
逆变器
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
[1]
民
0.5
-
-
-
-
25
65
最大
+7.0
±20
±20
±12.5
25
-
+150
200
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
上述55
°C
P的值
合计
减额线性度为2.5毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入转换兴衰
率
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
条件
民
2.0
0
0
40
-
-
-
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
-
最大
6.0
V
CC
V
CC
+125
625
139
83
单位
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
NS / V
10.静态特性
表7中。
静态特性
电压参考GND（地= 0V）。所有典型值是在T测
AMB
= 25
°
C.
符号
V
IH
参数
高级别输入
电压
条件
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
IL
低电平输入
电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
40 °C
+85
°C
民
1.7
3.6
4.8
-
-
-
典型值
1.4
2.6
3.4
0.6
1.9
2.6
最大
-
-
-
0.3
0.9
1.2
40 °C
+125
°C
民
1.7
3.6
4.8
-
-
-
最大
-
-
-
0.3
0.9
1.2
V
V
V
V
V
V
单位
74HC1GU04_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2007年7月10日
3 12
恩智浦半导体
74HC1GU04
逆变器
表7中。
静态特性
- 续
电压参考GND（地= 0V）。所有典型值是在T测
AMB
= 25
°
C.
符号
V
OH
参数
高电平的输出
电压
条件
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
20 A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
=
20 A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
=
20 A;
V
CC
= 6.0 V
I
O
=
2.0
毫安; V
CC
= 4.5 V
I
O
=
2.6
毫安; V
CC
= 6.0 V
V
OL
低电平输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 20
A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
= 20
A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
= 20
A;
V
CC
= 6.0 V
I
O
= 2.0毫安; V
CC
= 4.5 V
I
O
= 2.6毫安; V
CC
= 6.0 V
I
I
I
CC
C
I
输入漏电流
电源电流
输入电容
V
I
= V
CC
或GND ; V
CC
= 6.0 V
V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 6.0 V
-
-
-
-
-
-
-
-
0
0
0
0.15
0.16
-
-
5
0.2
0.5
0.5
0.33
0.33
1.0
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.2
0.5
0.5
0.4
0.4
1.0
20
-
V
V
V
V
V
A
A
pF
1.8
4.0
5.5
4.13
5.63
2.0
4.5
6.0
4.32
5.81
-
-
-
-
-
1.8
4.0
5.5
3.7
5.2
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
40 °C
+85
°C
民
典型值
最大
40 °C
+125
°C
民
最大
单位
11.动态特性
表8 。
动态特性
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6.0纳秒;测试电路见
图6 。
所有典型值是在T测
AMB
= 25
°
C.
符号参数
t
pd
条件
[1]
40 °C
+85
°C
民
典型值
10
7
6
5
14
最大
90
18
15
-
-
40 °C
+125
°C
单位
民
-
-
-
-
-
最大
105
21
18
-
-
ns
ns
ns
ns
pF
传播延迟为Y ;看
图5
V
CC
= 2.0 V ;
L
= 50 pF的
V
CC
= 4.5 V ;
L
= 50 pF的
V
CC
= 6.0 V ;
L
= 50 pF的
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 15 pF的
-
-
-
-
[2]
C
PD
功耗V
I
= GND到V
CC
电容
t
pd
是相同为T
PLH
和T
PHL
.
C
PD
被用于确定所述动态功耗P
D
(W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
-
[1]
[2]
74HC1GU04_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
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牧师05 - 2007年7月10日
4 12
恩智浦半导体
74HC1GU04
逆变器
12.波形
A输入
V
M(1)
VI
V
CC
t
PHL
t
PLH
脉冲
发电机
VO
DUT
RT
CL
50 pF的
Y输出
V
M(1)
mna046
mna034
V
M(1)
= 0.5
×
V
CC
; V
I
= GND到V
CC
.
测试数据列于
表8 。
DUT =被测设备
C
L
=负载电容包括夹具和探头
电容。
R
T
=终端电阻应等于
输出阻抗Z
o
的脉冲发生器。
图5.输入到输出的传播延迟
图6.负载电路的开关时间
13.典型的传输特性
mna047
mna048
1
2
10
5
I
CC
（MA ）
V
O
(V)
I
CC
（MA ）
V
O
(V)
0.5
1
5
2.5
0
0
1
V
I
(V)
2
0
0
0
2.5
V
I
(V)
5
0
图7. V
CC
= 2.0 V ;我
O
= 0 A
图8. V
CC
= 4.5 V ;我
O
= 0 A
74HC1GU04_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
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7004-01-CI-A2-R1
74LV4067PWDH
743C043105JP
74LCX241SJX
74ACTQ08SCQR
74HC00D-T
74ACT573MTCX
7152M02L
74HC4514D-T
74LCXZ2245WM
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