飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入与门
特点
宽电源电压范围为2.0 6.0 V
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
非常小的5引脚封装
输出能力：标准。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
6.0纳秒。
描述
74HC1G08 ; 74HCT1G08
该74HC1G / HCT1G08是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74HC1G / HCT1G08提供了2输入与
功能。标准输出电流
1
2
相比
该74HC / HCT08 。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.对于HC1G的条件为V
I
= GND到V
CC
.
对于HCT1G的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
功能表
见注1 。
输入
A
L
L
H
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平。
B
L
H
L
H
产量
Y
L
L
L
H
参数
传播延迟A和B为Y
输入电容
功率耗散电容
注1和2
条件
HC1G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
7
1.5
19
HCT1G
11
1.5
21
ns
pF
pF
单位
2002年5月17日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入与门
推荐工作条件
74HC1G04
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
见直流和交流
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
条件
分钟。
2.0
0
0
40
典型值。
5.0
+25
74HC1G08 ; 74HCT1G08
74HCT1G04
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
t
r
, t
f
1000
500
400
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.以上55
°C
P的值
D
减额线性2.5毫瓦/ K 。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
注1
条件
分钟。
0.5
65
马克斯。
+7.0
±20
±20
±12.5
±25
+150
200
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2002年5月17日
4
74HC1G08 ; 74HCT1G08
2输入与门
牧师04 - 2007年7月17日
产品数据表
1.概述
74HC1G08和74HCT1G08是高速，硅栅CMOS器件。它们提供了一个
2输入AND功能。
慧聪设备具有CMOS输入电平转换和电源电压范围为2 V至6 V.
该HCT器件具有TTL输入电平转换和电源电压范围为4.5 V至5.5 V.
标准输出电流一半的74HC08和74HCT08的。
2.特点
I
I
I
I
I
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
SOT353-1和SOT753封装选项
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74HC1G08GW
74HCT1G08GW
74HC1G08GV
74HCT1G08GV
40 °C
+125
°C
SC-74A
40 °C
+125
°C
TSSOP5
描述
塑料薄小外形封装; 5线索;
体宽1.25毫米
塑料表面贴装封装; 5线索
VERSION
SOT353-1
SOT753
类型编号
4.标记
表2中。
标记代码
记号
HE
TE
H08
T08
类型编号
74HC1G08GW
74HCT1G08GW
74HC1G08GV
74HCT1G08GV
恩智浦半导体
74HC1G08 ; 74HCT1G08
2输入与门
7.功能描述
表4 。
功能表
H =高电压电平; L =低电压电平
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
L
L
L
H
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
[1]
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
民
0.5
-
-
-
-
25
65
最大
+7.0
±20
±20
±12.5
25
-
+150
200
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
上述55
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入转换崛起
和下降率
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
条件
民
2.0
0
0
40
-
-
-
74HC1G08
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
-
最大
6.0
V
CC
V
CC
+125
625
139
83
民
4.5
0
0
40
-
-
-
74HCT1G08
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
-
最大
5.5
V
CC
V
CC
+125
-
139
-
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
NS / V
单位
74HC_HCT1G08_4
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2007年7月17日
3 11
74HC1G08 ; 74HCT1G08
2输入与门
牧师04 - 2007年7月17日
产品数据表
1.概述
74HC1G08和74HCT1G08是高速，硅栅CMOS器件。它们提供了一个
2输入AND功能。
慧聪设备具有CMOS输入电平转换和电源电压范围为2 V至6 V.
该HCT器件具有TTL输入电平转换和电源电压范围为4.5 V至5.5 V.
标准输出电流一半的74HC08和74HCT08的。
2.特点
I
I
I
I
I
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
SOT353-1和SOT753封装选项
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74HC1G08GW
74HCT1G08GW
74HC1G08GV
74HCT1G08GV
40 °C
+125
°C
SC-74A
40 °C
+125
°C
TSSOP5
描述
塑料薄小外形封装; 5线索;
体宽1.25毫米
塑料表面贴装封装; 5线索
VERSION
SOT353-1
SOT753
类型编号
4.标记
表2中。
标记代码
记号
HE
TE
H08
T08
类型编号
74HC1G08GW
74HCT1G08GW
74HC1G08GV
74HCT1G08GV
恩智浦半导体
74HC1G08 ; 74HCT1G08
2输入与门
7.功能描述
表4 。
功能表
H =高电压电平; L =低电压电平
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
L
L
L
H
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
[1]
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
民
0.5
-
-
-
-
25
65
最大
+7.0
±20
±20
±12.5
25
-
+150
200
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
上述55
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入转换崛起
和下降率
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
条件
民
2.0
0
0
40
-
-
-
74HC1G08
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
-
最大
6.0
V
CC
V
CC
+125
625
139
83
民
4.5
0
0
40
-
-
-
74HCT1G08
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
-
最大
5.5
V
CC
V
CC
+125
-
139
-
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
NS / V
单位
74HC_HCT1G08_4
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2007年7月17日
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