集成电路
数据表
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该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要
74HC/HCT138
3至8线译码器/多路分解器;
反相
产品speci fi cation
在集成电路， IC06文件
1993年9月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
3至8线译码器/多路分解器;反相
特点
解复用功能
多输入使能很容易地扩展
理想的内存芯片选择解码
低电平有效互斥输出
输出能力：标准
I
CC
类别： MSI
概述
该74HC / HCT138是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
74HC/HCT138
该74HC / HCT138解码器接受三个二进制
加权地址输入（A
0
, A
1
, A
2
），并启用时，
提供8互斥的低有效输出（Y
0
to
Y
7
).
在“ 138 ”具有三个使能输入： 2低电平有效
(E
1
与ê
2
）和一个高电平（E
3
） 。每个输出将
高，除非ê
1
与ê
2
有LOW和E
3
为高。
这种多能的功能可以轻松并行
膨胀的“ 138 ”，以1 - - 32的（ 5行到32行）
解码器只用四个“ 138”集成电路和一个逆变器。
在“ 138 ” ，可作为一个8输出多路分解器通过
采用低电平有效的一个使能输入的数据
输入和其余的使能输入的选通信号。未使用
使能输入必须永久绑定到自己的
适当的高电平或低电平状态。
在“ 138”等同于“ 238 ”，但已倒相输出。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
典型
符号
参数
传播延迟
t
PHL
/ t
PLH
t
PHL
/ t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ ∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在V =电源电压
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V
订购信息
SEE
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑封装信息” 。
A
n
为Y
n
E
3
为Y
n
E
n
为Y
n
输入电容
每个封装的功率耗散电容
注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
12
14
3.5
67
17
19
3.5
67
ns
ns
pF
pF
HCT
单位
1993年9月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
3至8线译码器/多路分解器;反相
引脚说明
PIN号
1, 2, 3
4, 5
6
8
15, 14, 13, 12, 11, 10, 9, 7
16
符号
A
0
到A
2
E
1
, E
2
E
3
GND
Y
0
为Y
7
V
CC
名称和功能
地址输入
使能输入（低电平有效）
使能输入（高电平有效）
接地（ 0 V ）
输出（低电平有效）
正电源电压
74HC/HCT138
手册， halfpage
1
2
3
A0
A1
A2
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
15
14
13
12
11
10
9
7
4
5
6
E1
E2
E3
Y5
Y6
Y7
MLB312
Fig.1引脚配置。
图2逻辑符号。
(a)
(b)
图3 IEC逻辑符号。
图4的功能框图。
1993年9月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
3至8线译码器/多路分解器;反相
直流特性FOR 74HC
对于DC特性见
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。
输出能力：标准
I
CC
类别： MSI
AC特性74HC
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的
T
AMB
(°C)
74HC
符号参数
分钟。
t
PHL
/ t
PLH
传播延迟
A
n
为Y
n
传播延迟
E
3
为Y
n
传播延迟
E
n
为Y
n
输出转换
时间
+25
典型值。
41
15
12
47
17
14
47
17
14
19
7
6
马克斯。
150
30
26
150
30
26
150
30
26
75
15
13
40
to
+85
分钟。
马克斯。
190
38
33
190
38
33
190
38
33
95
19
16
40
to
+125
分钟。
马克斯。
225
45
38
225
45
38
225
45
38
110
22
19
ns
单位
74HC/HCT138
测试条件
V
CC
波形
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
Fig.6
t
PHL
/ t
PLH
ns
Fig.6
t
PHL
/ t
PLH
ns
Fig.7
t
THL
/ t
TLH
ns
图6和图7
1993年9月
5
74HC138 ; 74HCT138
3至8线译码器/多路分解器;反相
第4版 - 2012年6月27日
产品数据表
1.概述
该74HC138 ; 74HCT138是高速硅栅CMOS器件，其引脚兼容
与低功率肖特基TTL （ LSTTL ） 。
该74HC138 ; 74HCT138解码器接受三个二进制加权地址输入（ A0 ， A1
和A3 ），并启用时，提供8个互斥的低有效输出（ Y0至Y7 ） 。
该74HC138 ; 74HCT138具有三个使输入端口：两个低有效（ E1和E2）和
一种活性高（ E3） 。每个输出为高电平，除非E1和E2低， E3为高。
这种多能功能允许74HC138轻松实现并联扩容; 74HCT138
到1- -32 （ 5行到32行）译码器与刚刚4 74HC138 ; 74HCT138集成电路和一个
逆变器。
该74HC138 ; 74HCT138可以通过使用其中一个被用来作为一个8输出多路分解器
该低电平有效使能输入作为数据输入，其余的使能输入为
选通信号。永久使用的领带使能输入到相应的活跃高速或
LOW-状态。
该74HC138 ; 74HCT138是相同的74HC238 ; 74HCT238但反转
输出。
2.特点和好处科幻TS
解复用功能
多输入使能很容易地扩展
符合JEDEC标准没有。 7A
理想的内存芯片选择解码
低电平有效互斥输出
ESD保护：
HBM EIA / JESD22- A114F超过2000伏
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
多种封装选择
从指定的
40 °C
+85
°C
从
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
74HC138 ; 74HCT138
3至8线译码器/多路分解器;反相
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74HC138N
74HCT138N
74HC138D
74 HCT138D
74HC138DB
74HCT138DB
74HC138PW
74HCT138PW
74HC138BQ
74HCT138BQ
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
TSSOP16
40 °C
+125
°C
SSOP16
40 °C
+125
°C
SO16
塑料小外形封装; 16线索;
体宽3.9毫米
塑料小外形封装; 16线索;
体宽5.3毫米
塑料薄小外形封装;
16线索;体宽4.4毫米
SOT109-1
SOT338-1
SOT403-1
40 °C
+125
°C
名字
DIP16
描述
塑料双列直插式封装; 16引线（ 300万）
VERSION
SOT38-4
类型编号
DHVQFN16塑料双列直插兼容的热增强型SOT763-1
非常薄四方扁平的封装;没有线索;
16个终端;机身2.5
×
3.5
×
0.85 mm
4.功能图
Y0
1
1
2
3
A0
A1
A2
Y0
Y1
Y2
Y3
4
5
6
E1
E2
E3
Y4
Y5
Y6
Y7
mna370
15
14
13
12
11
10
9
7
A0
A1
A2
3-to-8
解码器
启用
退出
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
15
14
13
12
11
10
9
7
2
3
4
5
6
E1
E2
E3
mna372
图1 。
逻辑符号
图2 。
工作原理图
74HC_HCT138
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2 19
恩智浦半导体
74HC138 ; 74HCT138
3至8线译码器/多路分解器;反相
A2
Y7
Y6
A1
Y5
A0
Y4
E1
Y3
E2
Y2
E3
Y1
Y0
001aae059
图3 。
逻辑图
5.管脚信息
5.1钢钉
74HC138BQ
74HCT138BQ
1号航站楼
索引区
16 V
CC
15 Y0
14 Y1
13 Y2
12 Y3
11 Y4
GND
Y6
10 Y5
9
001aae061
A0
A1
A2
E1
E2
E3
Y7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
A1
A2
E1
E2
E3
Y7
2
3
4
5
6
7
8
9
GND
(1)
16 V
CC
15 Y0
14 Y1
13 Y2
12 Y3
11 Y4
10 Y5
1
A0
74HC138
74HCT138
001aae060
Y6
透明的顶视图
（1）模具基体是利用连接到该垫
导电芯片粘接材料。它不能被用作
电源引脚或输入。
图4 。
引脚配置DIP16 ， SO16 ， SSOP16和
TSSOP16
图5 。
引脚配置DHVQFN16
74HC_HCT138
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3 19
恩智浦半导体
74HC138 ; 74HCT138
3至8线译码器/多路分解器;反相
5.2引脚说明
表2中。
符号
A0, A1, A2
E1, E2
E3
Y0, Y1, Y2, Y3, Y4, Y5, Y6, Y7
GND
V
CC
引脚说明
针
1, 2, 3
4, 5
6
15, 14, 13, 12, 11, 10, 9, 7
8
16
描述
地址输入A0，A1， A2的
使能输入E1 ， E2 （低电平有效）
使能输入端E3（高电平有效）
输出Y0，Y1， Y2，Y3， Y4，Y5 ，Y6 ，Y7 （低电平有效）
接地（ 0 V ）
正电源电压
6.功能描述
表3中。
控制
E1
H
X
X
L
E2
X
H
X
L
E3
X
X
L
H
L
L
L
L
H
H
H
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不在乎。
功能表
[1]
输入
A2
X
A1
X
A0
X
产量
Y7
H
Y6
H
Y5
H
Y4
H
Y3
H
Y2
H
Y1
H
Y0
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
H
L
H
L
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
静态电源电流
地电流
储存温度
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
=
0.5
V到（V
CC
+ 0.5 V)
条件
民
0.5
-
-
-
-
-
65
最大
+7
±20
±20
±25
50
50
+150
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
74HC_HCT138
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4 19
恩智浦半导体
74HC138 ; 74HCT138
3至8线译码器/多路分解器;反相
表4 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
P
合计
参数
总功耗
DIP16封装
SO16封装
SSOP16封装
TSSOP16封装
DHVQFN16包
[1]
[2]
[3]
[4]
对于DIP16封装：P
合计
减额直线为12毫瓦/ K以上70
°C.
对于SO16封装：P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
°C.
对于SSOP16和TSSOP16封装：P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
°C.
对于DHVQFN16包：P
合计
减额线性4.5毫瓦/ K以上60
°C.
[1]
[2]
[3]
[3]
[4]
条件
民
-
-
-
-
-
最大
750
500
500
500
500
单位
mW
mW
mW
mW
mW
8.推荐工作条件
表5 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0 V）的
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
条件
74HC138
民
2.0
0
0
40
-
-
-
典型值
5.0
-
-
+25
-
1.67
-
最大
6.0
V
CC
V
CC
+125
625
139
83
74HCT138
民
4.5
0
0
40
-
-
-
典型值
5.0
-
-
+25
-
1.67
-
最大
5.5
V
CC
V
CC
+125
-
139
-
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
NS / V
单位
9.静态特性
表6 。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
条件
T
AMB
= 25
°C
民
74HC138
V
IH
高位
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
IL
低电平
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.2
2.4
3.2
0.8
2.1
2.8
-
-
-
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
V
V
V
V
V
V
典型值
最大
T
AMB
=
40 °C
to
+85
°C
民
最大
T
AMB
=
40 °C
到单位
+125
°C
民
最大
74HC_HCT138
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