集成电路
数据表
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该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要
74HC/HCT02
四路2输入NOR门
产品speci fi cation
在集成电路， IC06文件
1990年12月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入NOR门
特点
输出能力：标准
I
CC
类别： SSI
概述
74HC/HCT02
该74HC / HCT02是高速硅栅CMOS器件，引脚与低功率肖特基TTL （ LSTTL ）兼容。
他们都符合JEDEC标准没有规定。 7A 。
该74HC / HCT02提供2输入或非功能。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
典型
符号
t
PHL
/ t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
O
）其中：
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在V =电源电压
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V
订购信息
SEE
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑封装信息” 。
参数
传播延迟呐， NB到纽约
输入电容
每门功耗电容注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
7
3.5
22
9
3.5
24
HCT
ns
pF
pF
单位
1990年12月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入NOR门
直流特性FOR 74HC
对于DC特性见
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。
输出能力：标准
I
CC
类别： SSI
AC特性74HC
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的
T
AMB
(°C)
74HC
符号参数
+25
MIN 。 TYP 。
t
PHL
/ t
PLH
传播延迟
呐， NB到纽约
25
9
7
19
7
6
马克斯。
90
18
15
75
15
13
40
+85
分钟。马克斯。
115
23
20
95
19
16
40
+125
分钟。马克斯。
135
27
23
110
22
19
ns
单位
74HC/HCT02
测试条件
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
波形
Fig.6
t
THL
/ t
TLH
输出转换时间
ns
Fig.6
1990年12月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入NOR门
直流特性FOR 74HCT
对于DC特性见
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。
输出能力：标准
I
CC
类别： SSI
注释HCT类型
74HC/HCT02
额外的静态电源电流ΔI值（
CC
）为1个单位负载中给出家庭的规格。
确定
I
CC
每输入，乘以此值由下表中所示的单元的负载系数。
输入
呐， NB
UNIT LOADCOEFFICIENT
1.50
AC特性74HCT
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的
T
AMB
(°C)
74HCT
符号参数
+25
分钟。
t
PHL
/ t
PLH
t
THL
/ t
TLH
传播延迟
呐， NB到纽约
输出转换时间
典型值。
11
7
马克斯。
19
15
40
to+85
分钟。
马克斯。
24
19
40
to+125
分钟。
马克斯。
29
22
ns
ns
4.5
4.5
Fig.6
Fig.6
单位
V
CC
(V)
波形
测试条件
AC波形
慧聪网： V
M
= 50%; V
I
= GND到V
CC
HCT ： V
M
= 1.3 V; V
I
= GND 3 V.
Fig.6
波形显示输入（NA ， NB）到输出（纽约州）的传播延迟和输出转换时间。
包装纲要
SEE
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要” 。
1990年12月
5
74HC02 ; 74HCT02
四路2输入NOR门
牧师03 - 2008年9月18日
产品数据表
1.概述
该74HC02 ; 74HCT02是符合JEDEC的高速硅栅CMOS器件
没有标准。 7A 。它们的引脚与低功率肖特基TTL （ LSTTL ）兼容。
该74HC02 ; 74HCT02提供了一个四2输入NOR函数。
2.特点
I
输入电平：
N
对于74HC02 ： CMOS电平
N
对于74HCT02 ： TTL电平
I
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
I
多种封装选择
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
从
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74HC02N
74HCT02N
74HC02D
74HCT02D
74HC02DB
74HCT02DB
74HC02PW
74HCT02PW
74HC02BQ
74HCT02BQ
40 °C
+125
°C
DHVQFN14
40 °C
+125
°C
TSSOP14
40 °C
+125
°C
SSOP14
40 °C
+125
°C
SO14
塑料小外形封装; 14线索;车身宽度
3.9 mm
塑料小外形封装; 14线索;体
宽度5.3毫米
塑料薄小外形封装; 14线索;
体宽4.4毫米
SOT108-1
SOT337-1
SOT402-1
40 °C
+125
°C
名字
DIP14
描述
塑料双列直插式封装; 14引线（ 300万）
VERSION
SOT27-1
类型编号
塑料双列直插兼容的热增强型非常SOT762-1
薄型四方扁平的封装;没有线索; 14终端;
机身2.5
×
3
×
0.85 mm
恩智浦半导体
74HC02 ; 74HCT02
四路2输入NOR门
4.功能图
2
1Y
1
3
5
2Y
4
6
8
9
4Y
13
11
12
mna216
2
3
5
6
8
9
11
12
1A
1B
2A
2B
3A
3B
4A
4B
≥1
1
≥1
4
3Y
10
≥1
10
A
Y
B
mna215
≥1
13
001aah084
图1 。
逻辑符号
图2 。
IEC逻辑符号
图3 。
逻辑图（ 1门）
5.管脚信息
5.1钢钉
1号航站楼
索引区
1A
1Y
1A
1B
2Y
2A
2B
GND
1
2
3
4
5
6
7
001aac919
2
3
4
5
6
7
GND
3A
8
14 V
CC
13 4Y
12 4B
11 4A
10 3Y
9
3B
14 V
CC
13 4Y
12 4B
1B
2Y
2A
2B
GND
(1)
02
11 4A
10 3Y
9
8
3B
3A
1
1Y
02
001aac920
透明的顶视图
（1）模具基体是利用连接到该垫
导电芯片粘接材料。它不能被用作一个
电源引脚或输入。
图4 。
引脚CON组fi guration DIP14 ， SO14和（ T） SSOP14
图5 。
引脚CON组fi guration DHVQFN14
5.2引脚说明
表2中。
符号
1Y到4Y
1A至4A
1B到4B
GND
V
CC
引脚说明
针
1, 4, 10, 13
2, 5, 8, 11
3, 6, 9,12
7
14
描述
数据输出
数据输入
数据输入
接地（ 0 V ）
电源电压
74HC_HCT02_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年9月18日
2 15
恩智浦半导体
74HC02 ; 74HCT02
四路2输入NOR门
6.功能描述
表3中。
输入
nA
L
X
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不在乎。
功能表
[1]
产量
nB
L
H
X
nY
H
L
L
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
DIP14封装
SO14 ， （ T）和SSOP14
DHVQFN14包
[1]
[2]
[2]
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
民
0.5
-
-
-
-
50
65
-
-
最大
+7
±20
±20
±25
50
-
+150
750
500
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
mW
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于DIP14封装：P
合计
减额直线为12毫瓦/ K以上70
°C.
对于SO14封装：P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
°C.
对于（T ） SSOP14封装：P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
°C.
对于DHVQFN14包：P
合计
减额线性4.5毫瓦/ K以上60
°C.
8.推荐工作条件
表5 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0 V）的
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
74HC_HCT02_3
条件
民
2.0
0
0
40
74HC02
典型值
5.0
-
-
-
最大
6.0
V
CC
V
CC
+125
民
4.5
0
0
40
74HCT02
典型值
5.0
-
-
-
最大
5.5
V
CC
V
CC
+125
单位
V
V
V
°C
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年9月18日
3 15
74HC02 ; 74HCT02
四路2输入NOR门
第4版 - 2012年9月4日
产品数据表
1.概述
该74HC02 ; 74HCT02是符合JEDEC的高速硅栅CMOS器件
没有标准。 7A 。它们的引脚与低功率肖特基TTL （ LSTTL ）兼容。
该74HC02 ; 74HCT02提供了一个四2输入NOR函数。
2.特点和好处科幻TS
输入电平：
对于74HC02 ： CMOS电平
对于74HCT02 ： TTL电平
ESD保护：
HBM JESD22- A114F超过2000伏
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
多种封装选择
从指定的
40 C
+85
C
从
40 C
+125
C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74HC02N
74HCT02N
74HC02D
74HCT02D
74HC02DB
74HCT02DB
74HC02PW
74HCT02PW
74HC02BQ
74HCT02BQ
40 C
+125
C
DHVQFN14
40 C
+125
C
TSSOP14
40 C
+125
C
SSOP14
40 C
+125
C
SO14
塑料小外形封装; 14线索;车身宽度
3.9 mm
塑料小外形封装; 14线索;体
宽度5.3毫米
塑料薄小外形封装; 14线索;
体宽4.4毫米
SOT108-1
SOT337-1
SOT402-1
40 C
+125
C
名字
DIP14
描述
塑料双列直插式封装; 14引线（ 300万）
VERSION
SOT27-1
类型编号
塑料双列直插兼容的热增强型非常SOT762-1
薄型四方扁平的封装;没有线索; 14终端;
机身2.5
3
0.85 mm
恩智浦半导体
74HC02 ; 74HCT02
四路2输入NOR门
4.功能图
2
1Y
1
3
5
2Y
4
6
8
9
4Y
13
11
12
mna216
2
3
5
6
8
9
11
12
1A
1B
2A
2B
3A
3B
4A
4B
≥1
1
≥1
4
3Y
10
≥1
10
A
Y
B
mna215
≥1
13
001aah084
图1 。
逻辑符号
图2 。
IEC逻辑符号
图3 。
逻辑图（ 1门）
5.管脚信息
5.1钢钉
1号航站楼
索引区
1A
1Y
1A
1B
2Y
2A
2B
GND
1
2
3
4
5
6
7
001aac919
2
3
4
5
6
7
GND
3A
8
14 V
CC
13 4Y
12 4B
11 4A
10 3Y
9
3B
14 V
CC
13 4Y
12 4B
1B
2Y
2A
2B
GND
(1)
02
11 4A
10 3Y
9
8
3B
3A
1
1Y
02
001aac920
透明的顶视图
（1）模具基体是利用连接到该垫
导电芯片粘接材料。它不能被用作一个
电源引脚或输入。
图4 。
引脚CON组fi guration DIP14 ， SO14和（ T） SSOP14
图5 。
引脚配置DHVQFN14
5.2引脚说明
表2中。
符号
1Y到4Y
1A至4A
1B到4B
GND
V
CC
引脚说明
针
1, 4, 10, 13
2, 5, 8, 11
3, 6, 9,12
7
14
描述
数据输出
数据输入
数据输入
接地（ 0 V ）
电源电压
74HC_HCT02
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2012保留所有权利。
产品数据表
第4版 - 2012年9月4日
2 16
恩智浦半导体
74HC02 ; 74HCT02
四路2输入NOR门
6.功能描述
表3中。
输入
nA
L
X
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不在乎。
功能表
[1]
产量
nB
L
H
X
nY
H
L
L
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
DIP14封装
SO14 ， （ T）和SSOP14
DHVQFN14包
[1]
[2]
[2]
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
民
0.5
-
-
-
-
50
65
-
-
最大
+7
20
20
25
50
-
+150
750
500
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
C
mW
mW
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于DIP14封装：P
合计
减额直线为12毫瓦/ K以上70
C.
对于SO14封装：P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
C.
对于（T ） SSOP14封装：P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
C.
对于DHVQFN14包：P
合计
减额线性4.5毫瓦/ K以上60
C.
8.推荐工作条件
表5 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0 V）的
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
74HC_HCT02
条件
74HC02
民
典型值
5.0
-
-
-
最大
6.0
V
CC
V
CC
+125
2.0
0
0
40
74HCT02
民
4.5
0
0
40
典型值
5.0
-
-
-
最大
5.5
V
CC
V
CC
+125
单位
V
V
V
C
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
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第4版 - 2012年9月4日
3 16
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