飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非门
特点
符合JEDEC标准没有。 8-1A
ESD保护:
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
从指定的
40
+85
°C
和
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒。
描述
74HC00 ; 74HCT00
该74HC00 / 74HCT00是高速硅栅CMOS
器件引脚与低功率肖特基兼容
TTL ( LSTTL ) 。它们是符合规定的
JEDEC标准没有。 7A 。
的74HC00 / 74HCT00提供的2输入与非
功能。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
) =的输出的总和。
2.对于74HC00的条件是V
I
= GND到V
CC
.
为74HCT00的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
功能表
见注1 。
输入
nA
L
L
H
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平。
nB
L
H
L
H
产量
nY
H
H
H
L
参数
传播延迟呐, NB到纽约
输入电容
每门功耗电容注1和2
条件
74HC00
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
7
3.5
22
74HCT00
10
3.5
22
ns
pF
pF
单位
2003年6月30
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非门
推荐工作条件
74HC00
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
74HC00 ; 74HCT00
74HCT00
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
t
r
, t
f
6.0
1000
500
400
6.0
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) ;电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
记
1.对于DIP14封装: 70以上
°C
为12毫瓦/ K的线性降额。
对于SO14封装: 70以上
°C
8毫瓦/ K线性降额。
对于SSOP14和TSSOP14封装: 60岁以上
°C
5.5毫瓦/ K线性降额。
对于DHVQFN14包: 60岁以上
°C
4.5毫瓦/ K线性降额。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或汇
当前
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40
+125
°C;
注1
V
I
& LT ;
0.5
V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
& LT ;
0.5
V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
65
分钟。
0.5
马克斯。
+7.0
±20
±20
±25
±50
+150
500
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
单位
2003年6月30
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非门
特点
符合JEDEC标准没有。 8-1A
ESD保护:
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
从指定的
40
+85
°C
和
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒。
描述
74HC00 ; 74HCT00
该74HC00 / 74HCT00是高速硅栅CMOS
器件引脚与低功率肖特基兼容
TTL ( LSTTL ) 。它们是符合规定的
JEDEC标准没有。 7A 。
的74HC00 / 74HCT00提供的2输入与非
功能。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
) =的输出的总和。
2.对于74HC00的条件是V
I
= GND到V
CC
.
为74HCT00的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
功能表
见注1 。
输入
nA
L
L
H
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平。
nB
L
H
L
H
产量
nY
H
H
H
L
参数
传播延迟呐, NB到纽约
输入电容
每门功耗电容注1和2
条件
74HC00
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
7
3.5
22
74HCT00
10
3.5
22
ns
pF
pF
单位
2003年6月30
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非门
推荐工作条件
74HC00
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
6.0
V
CC
V
CC
+125
74HC00 ; 74HCT00
74HCT00
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
t
r
, t
f
6.0
1000
500
400
6.0
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) ;电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
记
1.对于DIP14封装: 70以上
°C
为12毫瓦/ K的线性降额。
对于SO14封装: 70以上
°C
8毫瓦/ K线性降额。
对于SSOP14和TSSOP14封装: 60岁以上
°C
5.5毫瓦/ K线性降额。
对于DHVQFN14包: 60岁以上
°C
4.5毫瓦/ K线性降额。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或汇
当前
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40
+125
°C;
注1
V
I
& LT ;
0.5
V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
& LT ;
0.5
V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
65
分钟。
0.5
马克斯。
+7.0
±20
±20
±25
±50
+150
500
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
单位
2003年6月30
5
74HC00 ; 74HCT00
四路2输入与非门
版本04 - 2010年1月11日
产品数据表
1.概述
该74HC00 ; 74HCT00是符合JEDEC的高速硅栅CMOS器件
没有标准。 7A 。它们的引脚与低功率肖特基TTL ( LSTTL )兼容。
该74HC00 ; 74HCT00提供了一个四2输入与非功能。
2.特点
输入电平:
对于74HC00 : CMOS电平
对于74HCT00 : TTL电平
ESD保护:
HBM JESD22 - A114F超过2 000 V
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
多种封装选择
从指定的
40 °C
+85
°C
从
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74HC00N
74HCT00N
74HC00D
74HCT00D
74HC00DB
74HCT00DB
74HC00PW
74HCT00PW
74HC00BQ
74HCT00BQ
40 °C
+125
°C
DHVQFN14
40 °C
+125
°C
TSSOP14
40 °C
+125
°C
SSOP14
40 °C
+125
°C
SO14
塑料小外形封装; 14线索;车身宽度
3.9 mm
塑料小外形封装; 14线索;体
宽度5.3毫米
塑料薄小外形封装; 14线索;
体宽4.4毫米
SOT108-1
SOT337-1
SOT402-1
40 °C
+125
°C
名字
DIP14
描述
塑料双列直插式封装; 14引线( 300万)
VERSION
SOT27-1
类型编号
塑料双列直插兼容的热增强型非常SOT762-1
薄型四方扁平的封装;没有线索; 14终端;
机身2.5
×
3
×
0.85 mm
恩智浦半导体
74HC00 ; 74HCT00
四路2输入与非门
4.功能图
1
1 1A
2 1B
4 2A
5 2B
9 3A
10 3B
12 4A
13 4B
1Y 3
2
4
2Y 6
5
9
10
12
13
mna212
&放大器;
3
&放大器;
6
3Y 8
&放大器;
8
A
4Y 11
&放大器;
mna246
11
B
Y
mna211
图1 。
逻辑符号
图2 。
IEC逻辑符号
图3 。
逻辑图( 1门)
5.管脚信息
5.1钢钉
74HC00
74HCT00
1号航站楼
索引区
14 V
CC
13 4B
12 4A
11 4Y
10 3B
9
8
3A
3Y
1B
1Y
2A
2B
2Y
2
3
4
5
6
7
GND
3Y
8
GND
(1)
14 V
CC
13 4B
12 4A
11 4Y
10 3B
9
3A
001aal324
NXP B.V. 2010保留所有权利。
74HC00
74HCT00
1A
1B
1Y
2A
2B
2Y
GND
1
2
3
4
5
6
7
001aal323
透明的顶视图
(1)将基片安装到使用导电此垫
芯片粘接材料。它不能被用作电源引脚或
输入。建议在没有连接时,在
所有。
图4 。
引脚CON组fi guration DIP14 , SO14和( T) SSOP14
图5 。
引脚配置DHVQFN14
5.2引脚说明
表2中。
符号
1A至4A
1B到4B
1Y到4Y
GND
V
CC
74HC_HCT00_4
引脚说明
针
1, 4, 9, 12
2, 5, 10, 13
3, 6, 8, 11
7
14
描述
数据输入
数据输入
数据输出
接地( 0 V )
电源电压
版本04 - 2010年1月11日
2 15
产品数据表
1
1A
恩智浦半导体
74HC00 ; 74HCT00
四路2输入与非门
6.功能描述
表3中。
输入
nA
L
X
H
[1]
功能表
[1]
产量
nB
X
L
H
nY
H
H
L
H =高电压电平; L =低电压电平; X =无关。
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
DIP14封装
SO14 , ( T)和SSOP14
DHVQFN14包
[1]
[2]
[2]
条件
V
I
& LT ;
0.5
V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
& LT ;
0.5
V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
民
0.5
-
-
-
-
50
65
-
-
最大
+7
±20
±20
±25
50
-
+150
750
500
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
mW
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于DIP14封装:P
合计
减额直线为12毫瓦/ K以上70
°C.
对于SO14封装:P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
°C.
对于(T ) SSOP14封装:P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
°C.
对于DHVQFN14包:P
合计
减额线性4.5毫瓦/ K以上60
°C.
8.推荐工作条件
表5 。
推荐工作条件
电压参考GND(地= 0 V)的
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
条件
民
2.0
0
0
40
74HC00
典型值
5.0
-
-
+25
最大
6.0
V
CC
V
CC
+125
民
4.5
0
0
40
74HCT00
典型值
5.0
-
-
+25
最大
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°C
单位
74HC_HCT00_4
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本04 - 2010年1月11日
3 15
74HC00 ; 74HCT00
四路2输入与非门
启示录6 - 2011年12月14日
产品数据表
1.概述
该74HC00 ; 74HCT00是符合JEDEC的高速硅栅CMOS器件
没有标准。 7A 。它们的引脚与低功率肖特基TTL ( LSTTL )兼容。
该74HC00 ; 74HCT00提供了一个四2输入与非功能。
2.特点和好处科幻TS
输入电平:
对于74HC00 : CMOS电平
对于74HCT00 : TTL电平
ESD保护:
HBM JESD22- A114F超过2000伏
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
多种封装选择
从指定的
40 C
+85
C
从
40 C
+125
C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74HC00N
74HCT00N
74HC00D
74HCT00D
74HC00DB
74HCT00DB
74HC00PW
74HCT00PW
74HC00BQ
74HCT00BQ
40 C
+125
C
DHVQFN14
40 C
+125
C
TSSOP14
40 C
+125
C
SSOP14
40 C
+125
C
SO14
塑料小外形封装; 14线索;车身宽度
3.9 mm
塑料小外形封装; 14线索;体
宽度5.3毫米
塑料薄小外形封装; 14线索;
体宽4.4毫米
SOT108-1
SOT337-1
SOT402-1
40 C
+125
C
名字
DIP14
描述
塑料双列直插式封装; 14引线( 300万)
VERSION
SOT27-1
类型编号
塑料双列直插兼容的热增强型非常SOT762-1
薄型四方扁平的封装;没有线索; 14终端;
机身2.5
3
0.85 mm
恩智浦半导体
74HC00 ; 74HCT00
四路2输入与非门
4.功能图
1
1 1A
2 1B
4 2A
5 2B
9 3A
10 3B
12 4A
13 4B
1Y 3
2
4
2Y 6
5
9
10
12
13
mna212
&放大器;
3
&放大器;
6
3Y 8
&放大器;
8
A
4Y 11
&放大器;
mna246
11
B
Y
mna211
图1 。
逻辑符号
图2 。
IEC逻辑符号
图3 。
逻辑图( 1门)
5.管脚信息
5.1钢钉
74HC00
74HCT00
1号航站楼
索引区
14 V
CC
13 4B
12 4A
11 4Y
10 3B
9
8
3A
3Y
1B
1Y
2A
2B
2Y
2
3
4
5
6
7
GND
3Y
8
GND
(1)
14 V
CC
13 4B
12 4A
11 4Y
10 3B
9
3A
001aal324
74HC00
74HCT00
1A
1B
1Y
2A
2B
2Y
GND
1
2
3
4
5
6
7
001aal323
透明的顶视图
( 1)这是不是电源引脚。衬底被附着在该
使用导电衬垫芯片粘接材料。没有
电气或机械要求焊接这个垫。
然而,如果它被焊接时,焊料地应保持
浮动或连接到GND 。
图4 。
引脚CON组fi guration DIP14 , SO14和( T) SSOP14
图5 。
引脚配置DHVQFN14
5.2引脚说明
表2中。
符号
1A至4A
1B到4B
引脚说明
针
1, 4, 9, 12
2, 5, 10, 13
描述
数据输入
数据输入
74HC_HCT00
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
1
1A
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
启示录6 - 2011年12月14日
2 16
恩智浦半导体
74HC00 ; 74HCT00
四路2输入与非门
表2中。
符号
1Y到4Y
GND
V
CC
引脚说明
- 续
针
3, 6, 8, 11
7
14
描述
数据输出
接地( 0 V )
电源电压
6.功能描述
表3中。
输入
nA
L
X
H
[1]
功能表
[1]
产量
nB
X
L
H
nY
H
H
L
H =高电压电平; L =低电压电平; X =无关。
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
DIP14封装
SO14 , ( T)和SSOP14
DHVQFN14包
[1]
[2]
[2]
条件
V
I
& LT ;
0.5
V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
& LT ;
0.5
V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
民
0.5
-
-
-
-
50
65
-
-
最大
+7
20
20
25
50
-
+150
750
500
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
C
mW
mW
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于DIP14封装:P
合计
减额直线为12毫瓦/ K以上70
C.
对于SO14封装:P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
C.
对于(T ) SSOP14封装:P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
C.
对于DHVQFN14包:P
合计
减额线性4.5毫瓦/ K以上60
C.
74HC_HCT00
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启示录6 - 2011年12月14日
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