54FCT 74FCT273八路D型触发器
1993年3月
54FCT 74FCT273
八路D触发器
概述
该“ FCT273具有八个边沿触发的D型触发器与
个体D输入和Q输出的共缓冲
时钟（CP）和主复位（MR）输入负载和复位
（清）所有触发器同时
该寄存器被完全边沿触发每个D输入的状态
把一个设置时间低到高的时钟转录前
习得被转移到相应的触发器的Q输出
放
时钟的所有输出将被强制独立或低
通过MR输入低电平输入数据的
装置是用于应用中的真实输出仅是有用
所需的时钟和主复位是共同的
存储元件
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
I
CC
减少到40 0
mA
理想的缓冲器，用于MOS微处理器或内存
八边沿触发的D触发器
缓冲的公共时钟
缓冲异步主复位
TTL输入，兼容输出电平
TTL电平接受CMOS电平
I
OL
e
48毫安（ COM ） 32毫安（ MIL）
NSC 54 74FCT273是引脚和功能上等同于
IDT 54 74FCT273
军工产品符合MIL -STD- 883和
标准军事5962-87656
逻辑符号
IEEE IEC
连接图
引脚分配
对于DIP Flatpak和SOIC
TL F 10146-1
TL F 10146 - 2
TL F 10146 - 3
引脚名称
D
0
–D
7
MR
CP
Q
0
–Q
7
描述
数据输入
主复位
时钟脉冲输入
数据输出
引脚分配
对于LCC
TL F 10146 - 4
FACT
TM
是美国国家半导体公司的商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 10146
RRD - B30M105印制在U S A
模式选择，功能表
经营模式
MR
复位（清）
加载'1'
负载'0'
L
H
H
输入
CP
X
L
L
D
n
X
H
L
输出
Q
n
L
H
L
H
e
高电压电平
L
e
低电压电平
X
e
非物质
L
e
低到高的转变
逻辑图
TL F 10146 - 5
请注意，该图仅用于逻辑操作的理解提供的，不应该被用来估计的传播延迟
2
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
相对于GND端子电压
(V
TERM
)
54FCT
74FCT
高温下偏置（T
BIAS
)
74FCT
54FCT
存储温度（T
英镑
)
74FCT
54FCT
直流输出电流（I
OUT
)
推荐工作
条件
电源电压（V
CC
)
54FCT
74FCT
输入电压
输出电压
工作温度（T
A
)
54FCT
74FCT
结温（T
J
)
CDIP
PDIP
4 5V 5 5V
4 75 5 25V
0V至V
CC
0V至V
CC
b
55 ℃
a
125 C
0 ℃
a
70 C
b
0至5
a
7 0V
b
0至5
a
7 0V
b
55 ℃
a
125 C
b
65℃，以
a
135 C
b
55 ℃
a
125 C
b
65℃，以
a
150 C
175 C
140 C
120毫安
记
所有的商业包装，不建议申请要求还
荷兰国际集团从大于2000次温度循环
b
40℃
a
125 C
注1
绝对最大额定值是那些价值超过该受损
该设备可能会出现数据手册规范不应该得到满足
例外，以确保该系统的设计是可靠在其电源
温度和输出负载的输入变量，国家没有不推荐
修补其实操作
TM
外数据手册规范FCT电路
DC特性“ FCT系列器件
典型值是在V
CC
e
5 0V 25℃的环境温度和最大负荷为测试条件显示为最大使用值
为相应的设备类型COM V指定
CC
e
5 0V
g
5% T
A
e
0 ℃
a
70℃军用V
CC
e
5 0V
g
10% T
A
E B
55 C
to
a
125 C V
HC
e
V
CC
b
0 2V
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
IK
I
OS
V
OH
参数
民
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
输入高电流
输入低电平电流
钳位二极管电压
短路电流
最低高层
输出电压
b
60
b
0 7
b
120
54FCT 74FCT
典型值
最大
单位
条件
20
08
50
50
b
5 0
b
5 0
b
1 2
V
V
mA
mA
V
mA
V
CC
e
最大
V
CC
e
最大
V
I
e
V
CC
V
I
e
2 7V （注2）
V
I
e
0 5V （注2）
V
I
e
GND
V
CC
e
闵我
N
E B
18毫安
V
CC
e
马克斯（注1 ）V
O
e
GND
V
CC
e
3V V
IN
e
0 2V或V
HC
I
OL
E B
32
mA
28
V
HC
24
24
30
V
CC
43
43
V
V
CC
e
民
V
IN
e
V
IH
或V
IL
I
OH
E B
300
mA
I
OH
E B
12毫安（ MIL）
I
OH
E B
15毫安（ COM）
3
DC特性“ FCT系列器件
（续）
典型值是在V
CC
e
5 0V 25℃的环境温度和最大负荷为测试条件显示为最大使用值
为相应的设备类型COM V指定
CC
e
5 0V
g
5% T
A
e
0 ℃
a
70℃军用V
CC
e
5 0V
g
10% T
A
E B
55 C
to
a
125 C V
HC
e
V
CC
b
0 2V
符号
V
OL
参数
最大低电平
输出电压
54FCT 74FCT
民
典型值
GND
GND
03
03
I
CC
最大静态
电源电流
静态电源电流
TTL输入高电平
动态功耗
电源电流（注4 ）
0 25
0 40
毫安兆赫
10
最大
02
02
05
05
40 0
V
V
CC
e
3V V
IN
e
0 2V或V
HC
I
OL
e
300
mA
V
CC
e
民
V
IN
e
V
IH
或V
IL
V
CC
e
最大
V
IN
t
V
HC
V
IN
s
0 2V
f
I
e
0
V
CC
e
最大
V
IN
e
3 4V （注3）
V
CC
最大
输出打开
MR
e
V
CC
一个输入切换
占空比为50％
V
IN
t
V
HC
V
IN
s
0 2V
I
OL
e
300
mA
I
OL
e
48毫安（ MIL）
I
OL
e
32毫安（ COM）
单位
条件
mA
DI
CC
I
CCD
05
20
mA
V
H
I
C
输入滞后
在时钟只有
总功率
电源电流（注6 ）
200
mV
V
CC
e
最大
输出打开
MR
e
V
CC
f
I
e
10兆赫
一位切换
占空比为50％
mA
（注5 ）
V
CC
e
最大
输出打开
MR
e
V
CC
f
I
e
2 5兆赫
八位切换
占空比为50％
mV
V
IN
t
V
HC
V
IN
s
0 2V
V
IN
e
3 4V
V
IN
e
GND
V
IN
t
V
HC
V
IN
s
0 2V
15
40
18
60
30
78
50
V
H
在时钟输入迟滞只有
200
16 8
V
IN
e
3 4V
V
IN
e
GND
注1
最大测试时间不超过1秒不超过一个输出短路一次
注2
该参数保证的，未经测试
注3
每TTL驱动输入（V
IN
e
3 4V ）所有其他投入在V
CC
或GND
注4
此参数是不能直接检验的，但推导出的总电源计算中使用
注5
值对于这些条件是我的例子
CC
公式这些限制保证，但未经测试
注6
I
C
e
I
静
a
I
输入
a
I
动态
I
C
e
I
CC
a
DI
CC
D
H
N
T
a
I
CCD
(f
CP
2
a
f
I
N
I
)
I
CC
e
静态电流
DI
CC
e
电源电源电流为TTL高输入电压（V
IN
e
3 4V)
D
H
e
占空比为TTL逻辑电平高
N
T
e
输入数目为D
H
I
CCD
e
动态电流由输入转换对（ HLH或LHL ）引起的
f
CP
e
时钟频率为注册设备（零非注册设备）
f
I
e
输入频率
N
I
e
输入数在f
I
所有电流都毫安，所有频率在兆赫
4
AC电气特性
54FCT 74FCT
符号
参数
T
A
E A
25 C
V
CC
e
5 0V
典型值
t
PHL
t
PLH
t
PLH
t
PHL
t
SU
t
h
t
w
t
w
t
REC
f
最大
传播延迟
时钟到输出
传播延迟
MR到输出
设置历史新高
或低数据到CP
保持历史高位
或低数据到CP
时钟脉冲宽度
高或低
MR脉冲宽度
高或低
恢复时间
MR到CP
最大时钟频率
70
80
15
10
40
40
30
74FCT
T
A
V
CC
e
COM
R
L
e
500X
C
L
e
50 pF的
民
20
20
30
20
70
70
40
最大
13 0
13 0
54FCT
T
A
V
CC
e
米尔
R
L
e
500X
C
L
e
50 pF的
民
15
15
35
20
50
50
40
90
最大
95
10 5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
单位
注1
最低限度的保证，但不是在传输延迟测试
电容
T
A
e
25 C
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
f
e
1 0兆赫
条件
V
IN
e
0V
V
OUT
e
0V
典型值
6
8
最大
10
12
单位
pF
pF
记
此参数是通过表征数据保证完全测试
订购信息
设备号被用于形成一个简化采购的代码，其中所述包类型和温度范围内是部分
定义如下
74FCT
温度范围：家庭
74FCT
e
商业TTL兼容
54FCT
e
军事TTL兼容
设备类型
封装代码
P
e
塑料DIP
D
e
陶瓷DIP
F
e
Flatpak
L
e
无引线陶瓷芯片载体（ LCC ）
S
e
小外形封装（ SOIC ）
273
P
C
QR
特殊变化
X
e
设备出货量在13卷轴
QR
e
商业级器件
BURN -IN
QB
e
军工级用
环境和老化
处理运管
温度范围
C
e
商用（ 0℃至
a
70 C)
M
e
军事（
b
55 ℃
a
125 C)
5
54FCT 74FCT273八路D型触发器
1993年3月
54FCT 74FCT273
八路D触发器
概述
该“ FCT273具有八个边沿触发的D型触发器与
个体D输入和Q输出的共缓冲
时钟（CP）和主复位（MR）输入负载和复位
（清）所有触发器同时
该寄存器被完全边沿触发每个D输入的状态
把一个设置时间低到高的时钟转录前
习得被转移到相应的触发器的Q输出
放
时钟的所有输出将被强制独立或低
通过MR输入低电平输入数据的
装置是用于应用中的真实输出仅是有用
所需的时钟和主复位是共同的
存储元件
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
I
CC
减少到40 0
mA
理想的缓冲器，用于MOS微处理器或内存
八边沿触发的D触发器
缓冲的公共时钟
缓冲异步主复位
TTL输入，兼容输出电平
TTL电平接受CMOS电平
I
OL
e
48毫安（ COM ） 32毫安（ MIL）
NSC 54 74FCT273是引脚和功能上等同于
IDT 54 74FCT273
军工产品符合MIL -STD- 883和
标准军事5962-87656
逻辑符号
IEEE IEC
连接图
引脚分配
对于DIP Flatpak和SOIC
TL F 10146-1
TL F 10146 - 2
TL F 10146 - 3
引脚名称
D
0
–D
7
MR
CP
Q
0
–Q
7
描述
数据输入
主复位
时钟脉冲输入
数据输出
引脚分配
对于LCC
TL F 10146 - 4
FACT
TM
是美国国家半导体公司的商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 10146
RRD - B30M105印制在U S A
模式选择，功能表
经营模式
MR
复位（清）
加载'1'
负载'0'
L
H
H
输入
CP
X
L
L
D
n
X
H
L
输出
Q
n
L
H
L
H
e
高电压电平
L
e
低电压电平
X
e
非物质
L
e
低到高的转变
逻辑图
TL F 10146 - 5
请注意，该图仅用于逻辑操作的理解提供的，不应该被用来估计的传播延迟
2
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
相对于GND端子电压
(V
TERM
)
54FCT
74FCT
高温下偏置（T
BIAS
)
74FCT
54FCT
存储温度（T
英镑
)
74FCT
54FCT
直流输出电流（I
OUT
)
推荐工作
条件
电源电压（V
CC
)
54FCT
74FCT
输入电压
输出电压
工作温度（T
A
)
54FCT
74FCT
结温（T
J
)
CDIP
PDIP
4 5V 5 5V
4 75 5 25V
0V至V
CC
0V至V
CC
b
55 ℃
a
125 C
0 ℃
a
70 C
b
0至5
a
7 0V
b
0至5
a
7 0V
b
55 ℃
a
125 C
b
65℃，以
a
135 C
b
55 ℃
a
125 C
b
65℃，以
a
150 C
175 C
140 C
120毫安
记
所有的商业包装，不建议申请要求还
荷兰国际集团从大于2000次温度循环
b
40℃
a
125 C
注1
绝对最大额定值是那些价值超过该受损
该设备可能会出现数据手册规范不应该得到满足
例外，以确保该系统的设计是可靠在其电源
温度和输出负载的输入变量，国家没有不推荐
修补其实操作
TM
外数据手册规范FCT电路
DC特性“ FCT系列器件
典型值是在V
CC
e
5 0V 25℃的环境温度和最大负荷为测试条件显示为最大使用值
为相应的设备类型COM V指定
CC
e
5 0V
g
5% T
A
e
0 ℃
a
70℃军用V
CC
e
5 0V
g
10% T
A
E B
55 C
to
a
125 C V
HC
e
V
CC
b
0 2V
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
IK
I
OS
V
OH
参数
民
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
输入高电流
输入低电平电流
钳位二极管电压
短路电流
最低高层
输出电压
b
60
b
0 7
b
120
54FCT 74FCT
典型值
最大
单位
条件
20
08
50
50
b
5 0
b
5 0
b
1 2
V
V
mA
mA
V
mA
V
CC
e
最大
V
CC
e
最大
V
I
e
V
CC
V
I
e
2 7V （注2）
V
I
e
0 5V （注2）
V
I
e
GND
V
CC
e
闵我
N
E B
18毫安
V
CC
e
马克斯（注1 ）V
O
e
GND
V
CC
e
3V V
IN
e
0 2V或V
HC
I
OL
E B
32
mA
28
V
HC
24
24
30
V
CC
43
43
V
V
CC
e
民
V
IN
e
V
IH
或V
IL
I
OH
E B
300
mA
I
OH
E B
12毫安（ MIL）
I
OH
E B
15毫安（ COM）
3
DC特性“ FCT系列器件
（续）
典型值是在V
CC
e
5 0V 25℃的环境温度和最大负荷为测试条件显示为最大使用值
为相应的设备类型COM V指定
CC
e
5 0V
g
5% T
A
e
0 ℃
a
70℃军用V
CC
e
5 0V
g
10% T
A
E B
55 C
to
a
125 C V
HC
e
V
CC
b
0 2V
符号
V
OL
参数
最大低电平
输出电压
54FCT 74FCT
民
典型值
GND
GND
03
03
I
CC
最大静态
电源电流
静态电源电流
TTL输入高电平
动态功耗
电源电流（注4 ）
0 25
0 40
毫安兆赫
10
最大
02
02
05
05
40 0
V
V
CC
e
3V V
IN
e
0 2V或V
HC
I
OL
e
300
mA
V
CC
e
民
V
IN
e
V
IH
或V
IL
V
CC
e
最大
V
IN
t
V
HC
V
IN
s
0 2V
f
I
e
0
V
CC
e
最大
V
IN
e
3 4V （注3）
V
CC
最大
输出打开
MR
e
V
CC
一个输入切换
占空比为50％
V
IN
t
V
HC
V
IN
s
0 2V
I
OL
e
300
mA
I
OL
e
48毫安（ MIL）
I
OL
e
32毫安（ COM）
单位
条件
mA
DI
CC
I
CCD
05
20
mA
V
H
I
C
输入滞后
在时钟只有
总功率
电源电流（注6 ）
200
mV
V
CC
e
最大
输出打开
MR
e
V
CC
f
I
e
10兆赫
一位切换
占空比为50％
mA
（注5 ）
V
CC
e
最大
输出打开
MR
e
V
CC
f
I
e
2 5兆赫
八位切换
占空比为50％
mV
V
IN
t
V
HC
V
IN
s
0 2V
V
IN
e
3 4V
V
IN
e
GND
V
IN
t
V
HC
V
IN
s
0 2V
15
40
18
60
30
78
50
V
H
在时钟输入迟滞只有
200
16 8
V
IN
e
3 4V
V
IN
e
GND
注1
最大测试时间不超过1秒不超过一个输出短路一次
注2
该参数保证的，未经测试
注3
每TTL驱动输入（V
IN
e
3 4V ）所有其他投入在V
CC
或GND
注4
此参数是不能直接检验的，但推导出的总电源计算中使用
注5
值对于这些条件是我的例子
CC
公式这些限制保证，但未经测试
注6
I
C
e
I
静
a
I
输入
a
I
动态
I
C
e
I
CC
a
DI
CC
D
H
N
T
a
I
CCD
(f
CP
2
a
f
I
N
I
)
I
CC
e
静态电流
DI
CC
e
电源电源电流为TTL高输入电压（V
IN
e
3 4V)
D
H
e
占空比为TTL逻辑电平高
N
T
e
输入数目为D
H
I
CCD
e
动态电流由输入转换对（ HLH或LHL ）引起的
f
CP
e
时钟频率为注册设备（零非注册设备）
f
I
e
输入频率
N
I
e
输入数在f
I
所有电流都毫安，所有频率在兆赫
4
AC电气特性
54FCT 74FCT
符号
参数
T
A
E A
25 C
V
CC
e
5 0V
典型值
t
PHL
t
PLH
t
PLH
t
PHL
t
SU
t
h
t
w
t
w
t
REC
f
最大
传播延迟
时钟到输出
传播延迟
MR到输出
设置历史新高
或低数据到CP
保持历史高位
或低数据到CP
时钟脉冲宽度
高或低
MR脉冲宽度
高或低
恢复时间
MR到CP
最大时钟频率
70
80
15
10
40
40
30
74FCT
T
A
V
CC
e
COM
R
L
e
500X
C
L
e
50 pF的
民
20
20
30
20
70
70
40
最大
13 0
13 0
54FCT
T
A
V
CC
e
米尔
R
L
e
500X
C
L
e
50 pF的
民
15
15
35
20
50
50
40
90
最大
95
10 5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
单位
注1
最低限度的保证，但不是在传输延迟测试
电容
T
A
e
25 C
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
f
e
1 0兆赫
条件
V
IN
e
0V
V
OUT
e
0V
典型值
6
8
最大
10
12
单位
pF
pF
记
此参数是通过表征数据保证完全测试
订购信息
设备号被用于形成一个简化采购的代码，其中所述包类型和温度范围内是部分
定义如下
74FCT
温度范围：家庭
74FCT
e
商业TTL兼容
54FCT
e
军事TTL兼容
设备类型
封装代码
P
e
塑料DIP
D
e
陶瓷DIP
F
e
Flatpak
L
e
无引线陶瓷芯片载体（ LCC ）
S
e
小外形封装（ SOIC ）
273
P
C
QR
特殊变化
X
e
设备出货量在13卷轴
QR
e
商业级器件
BURN -IN
QB
e
军工级用
环境和老化
处理运管
温度范围
C
e
商用（ 0℃至
a
70 C)
M
e
军事（
b
55 ℃
a
125 C)
5
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