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54F 74F413 64 ×4的先入先出缓冲存储器,并行IO
1995年1月
54F 74F413
64 ×4的先入先出缓冲存储器,并行IO
概述
的“ F413是一个可扩展的下通型高速
先入先出(FIFO)缓冲存储器组织为64
由4位的4位输入和输出寄存器REC-字
奥德和发射分别并行异步数据
在输入和输出格式控制引脚允许手工
震动和膨胀的4位宽62位深的下降沿继续
通过堆栈有独立控制逻辑
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
独立的输入和输出时钟
并行输入和输出
可扩展,无需外部逻辑
15 MHz的数据率
最大电源电流160毫安
采用SOIC ( 300万只)
广告
74F413PC
军事
N16E
包装说明
16引脚( 0 300广角)模压双列直插式
16引脚的陶瓷双列直插
54F413DM (注1 )
J16A
注1
军用级设备与环境和老化处理中使用的后缀
e
DMQB
逻辑符号
接线图
引脚分配
对于浸
TL F 9541 - 1
TL F 9541 - 2
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 9541
RRD - B30M105印制在U S A
单位荷载扇出
54F 74F
引脚名称
描述
UL
高低
10
50
10
10
10
10
10
0 667
13 3
0 667
0 667
0 667
0 667
0 667
输入I
IH
I
IL
输出I
OH
I
OL
20
mA
b
0 4毫安
b
1毫安8毫安
20
mA
b
0 4毫安
20
mA
b
0 4毫安
20
mA
b
0 4毫安
20
mA
b
0 4毫安
20
mA
b
0 4毫安
D
0
–D
3
O
0
–O
3
IR
SI
SO
OR
MR
数据输入
数据输出
输入就绪
转变
移出
输出就绪
主复位
功能说明
数据输入
数据被输入到FIFO D上
0
– D
3
IN-
把输入数据的输入就绪( IR )要高
指示所述第一位置准备接受数据的数据
然后出现在四个数据输入端被输入到所述第一
在此消彼长( SI )拉高的SI高的位置
信号使红外走低数据保持在第一
位置,直到SI被拉低。当SI被拉低
并且FIFO未满IR将变为高电平,表明更多
房间可同时将数据传播到
第二位置,并继续移动,直到它到达
输出级或满的位置如果内存已满IR将
维持低位
数据传输
一旦数据被输入到所述第二小区
任何充满电池的传递到相邻的(下游)
空单元格是由一个片上控制自动激活
这样的数据会叠加起来的装置而空的结束
地点将'泡沫' '的前面吨
PT
DE-参数
罚款需要从输入旅行的第一个数据的时候
到先前空装置的输出
数据输出
数据从O读
0
–O
3
当输出
数据移位到所述输出级的输出就绪(OR)的推移
高电平表示有效数据的存在。当OR是
高数据可被移出通过将移出( SO )
为高,信号SO导致或变为低电平有效
数据被保持而在SO为高时的SO是
拉低上行数据提供了舞台
的有效数据被移动到输出阶段时的新的有效
数据移位到所述输出级或变为高电平如果
FIFO被清空或保持低和O-
0
–O
3
仍然是
之前,即数据不会改变,如果FIFO为空
输入准备和输出就绪
也可以使用如
指示FIFO被完全填满的状态信号(在 -
把准备保持低电平至少吨
PT
)或全空
(就绪输出保持低电平至少吨
PT
)
框图
TL F 9541 - 4
2
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
储存温度
在偏置环境温度
在偏置结温
塑料
V
CC
端子电位为
接地引脚
b
65℃,以
a
150 C
b
55 ℃
a
125 C
b
55 ℃
a
175 C
b
55 ℃
a
150 C
b
0至5V
a
7 0V
推荐工作
条件
自由空气环境温度
军事
广告
电源电压
军事
广告
b
55 ℃
a
125 C
0 ℃
a
70 C
a
4 5V至
a
5 5V
a
4 5V至
a
5 5V
b
0至5V
a
7 0V
输入电压(注2 )
b
30毫安到
a
5 0毫安
输入电流(注2 )
施加电压到输出
在高状态(与V
CC
e
0V)
b
0 5V至V
CC
标准输出
b
0至5V
a
5 5V
三态输出
目前适用于输出
在低状态(最大)
额定我两次
OL
(MA )
注1
绝对最大额定值是值超出该设备可能
被损坏或者有在其使用寿命受损的功能操作
这些条件是不是暗示
注2
无论是电压限制或限流足以保护的投入
DC电气特性
符号
V
IH
V
IL
V
CD
V
OH
参数
输入高电压
输入低电压
输入钳位二极管电压
输出高
电压
输出低
电压
输入高
当前
54F 10 %V
CC
74F 10 %V
CC
74F 5 %V
CC
54F 10 %V
CC
74F 10 %V
CC
54F
74F
24
24
27
05
05
20 0
50
100
70
250
50
4 75
3 75
b
0 4
b
20
b
130
54F 74F
典型值
最大
单位
V
08
b
1 5
V
CC
条件
作为公认的高信号
作为公认的低信号
20
V
V
V
I
IN
E B
18毫安
I
OH
E B
1毫安
I
OH
E B
1毫安
I
OH
E B
1毫安
I
OL
e
8毫安
I
OL
e
8毫安
V
IN
e
2 7V
V
IN
e
7 0V
V
OUT
e
V
CC
I
ID
e
1 9
mA
所有其他引脚接地
V
IOD
e
150毫伏
所有其他引脚接地
V
IN
e
0 5V
V
OUT
e
0V
V
O
e
V
OL
I
IH
I
英属维尔京群岛
I
CEX
V
ID
I
OD
I
IL
I
OS
I
CCH
V
mA
mA
mA
V
mA
mA
mA
mA
最大
最大
最大
00
00
最大
最大
最大
输入大电流54F
击穿测试
74F
输出高
漏电流
输入漏
TEST
输出漏
短路电流
输入低电平电流
输出短路电流
电源电流
54F
74F
74F
74F
115
160
3
AC电气特性
74F
符号
参数
f
最大
f
最大
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PLH
移率
移率
传播延迟
转变为IR
传播延迟
移出到OR
传播延迟
输出数据延迟
传播延迟
主复位到IR
传播延迟
主复位到OR
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
44 0
31 0
52 0
31 0
46 0
34 0
27 0
30 0
T
A
E A
25 C
V
CC
E A
5 0V
C
L
e
50 pF的
典型值
最大
54F
T
A
V
CC
e
米尔
C
L
e
50 pF的
80
80
15
15
15
15
15
15
15
15
50 0
37 0
57 0
37 0
52 0
39 0
33 0
34 0
最大
74F
T
A
V
CC
e
COM
C
L
e
50 pF的
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
48 0
35 0
55 0
35 0
50 0
37 0
31 0
32 0
最大
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
单位
AC操作要求
74F
符号
参数
T
A
E A
25 C
V
CC
E A
5 0V
t
s
(H)
t
s
(L)
t
h
(H)
t
h
(L)
t
w
(H)
t
w
(L)
t
w
(H)
t
w
(L)
t
w
(H)
t
w
(L)
t
w
(L)
t
REC
t
PT
建立时间高或低
D
n
以SI
保持时间高或低
D
n
以SI
移位脉冲宽度
高或低
移出脉冲宽度
高或低
输入就绪脉冲宽度
准备好输出脉冲宽度
主复位脉冲宽度
恢复时间MR到SI
数据吞吐量时间
10
10
10 0
10 0
50
10 0
75
10 0
75
50
10 0
32 0
09
最大
54F
T
A
V
CC
e
米尔
10
10
10 0
10 0
50
10 0
85
10 0
85
50
10 0
35 0
10
最大
74F
T
A
V
CC
e
COM
10
10
10 0
10 0
50
10 0
75
10 0
75
50
10 0
35 0
10
ns
ns
ns
ns
ms
最大
单位
ns
ns
4
订购信息
设备号被用于形成一个简化采购的代码,其中所述包类型和温度范围内是部分
定义如下
74F
温度范围:家庭
74F
e
广告
54F
e
军事
设备类型
封装代码
P
e
塑料DIP
D
e
陶瓷DIP
413
P
C
X
特殊变化
QB
e
军工级器件
环境和老化
处理
温度范围
C
e
商用( 0℃至
a
70 C)
M
e
军事(
b
55 ℃
a
125 C)
物理尺寸
英寸(毫米)
16引脚的陶瓷双列直插式封装(D )
NS包装数J16A
5
74F413 64 ×4的先入先出缓冲存储器,并行I / O
1988年4月
修订后的1999年8月
74F413
64 ×4的先入先出缓冲存储器,并行I / O
概述
在F413是一个可扩展的下通型高速
先入先出(FIFO)缓冲存储器组织为64
也就是说4位。 4位输入和输出寄存器
记录和传输,分别在异步数据
并联的形式。对所输入的控制引脚和输出允许
握手和扩张。 4位宽, 62位深
水落通过堆栈有独立控制逻辑。
特点
s
独立的输入和输出时钟
s
并行输入和输出
s
可扩展,无需外部逻辑
s
15 MHz的数据率
s
最大电源电流160毫安
s
采用SOIC , ( 300万只)
订购代码:
订单号
74F413PC
包装数
N16E
包装说明
16引脚塑料双列直插式封装( PDIP ) , JEDEC MS- 001 ,宽0.300
在磁带和卷轴可用的设备也。通过附加的后缀字母“X”的订货代码指定。
逻辑符号
接线图
单位装载/扇出
引脚名称
D
0
–D
3
O
0
–O
3
IR
SI
SO
OR
MR
描述
数据输入
数据输出
输入就绪
转变
移出
输出就绪
主复位
U.L.
HIGH / LOW
1.0/0.667
50/13.3
1.0/0.667
1.0/0.667
1.0/0.667
1.0/0.667
1.0/0.667
输入I
IH
/I
IL
输出I
OH
/I
OL
20
A/0.4
mA
1
毫安/ 8毫安
20
A/0.4
mA
20
A/0.4
mA
20
A/0.4
mA
20
A/0.4
mA
20
A/0.4
mA
1999仙童半导体公司
DS009541
www.fairchildsemi.com
74F413
功能说明
数据输入“
数据被输入到FIFO D上
0
–D
3
输入。输入数据的输入就绪( IR),应该是HIGH时,
指示所述第一位置准备接受数据。
数据则存在于四个数据输入端被输入到
在此消彼长( SI )拉高第一的位置。一个SI
高电平信号使红外去低。数据保持在
第一的位置,直到SI被拉低。当SI带来
LOW和FIFO未满, IR将变为高电平,表示
有更多的空间可用。同时,数据将prop-
玛瑙到第二位置,并继续移动,直到它
到达输出级或全位置。如果内存
全面, IR将维持低位。
数据Transfer-
一旦数据被输入到所述第二单元,
任何充满电池的传递到相邻的(下游)
空单元格是自动的,通过片内控制激活。
这样的数据会叠加起来的装置而空的结束
地点将“泡沫”的前面。经t
PT
参数
规定要求,从旅行的第一个数据的时候
输入到一个预先空装置的输出。
数据输出“
数据从O读
0
–O
3
输出。
当数据被移动到输出阶段,输出就绪
(OR)变为高电平,表示有效数据的存在。
当OR为高电平时,数据可以被移出通过使
在移出( SO )高。在SO高信号引起
还是要低。有效的数据被保持而在SO是
HIGH 。当SO被拉低,上行数据,亲
vided该阶段具有有效数据时,被移动到输出
阶段。当新的有效数据被移动到输出阶段,
或者变为高电平。如果FIFO被清空,或保持低,
O
0
–O
3
仍然和以前一样,即数据不改变的话
FIFO为空。
输入准备和输出就绪 -
也可以使用如
指示FIFO被完全填满的状态信号
(输入准备保持低电平至少吨
PT
)或完全
空(就绪输出保持低电平至少吨
PT
).
框图
www.fairchildsemi.com
2
74F413
绝对最大额定值
(注1 )
储存温度
在偏置环境温度
在偏置结温
V
CC
端子电位接地引脚
输入电压(注2 )
输入电流(注2 )
施加电压到输出
在高状态(与V
CC
=
0V)
标准输出
三态输出
目前适用于输出
在低状态(最大)
额定我两次
OL
(MA )
0.5V
到V
CC
0.5V
to
+5.5V
65°C
to
+150°C
55°C
to
+125°C
55°C
to
+150°C
0.5V
to
+7.0V
0.5V
to
+7.0V
30
mA至
+5.0
mA
推荐工作
条件
自由空气环境温度
电源电压
0℃至
+70°C
+4.5V
to
+5.5V
注1 :
绝对最大额定值是值超出该设备
可能被损坏或有其使用寿命降低。功能操作
在这些条件下,是不是暗示。
注2 :
无论是电压限制和电流限制是足够的,以保护输入。
DC电气特性
符号
V
IH
V
IL
V
CD
V
OH
V
OL
I
IH
I
英属维尔京群岛
I
CEX
V
ID
I
OD
I
IL
I
OS
I
CCH
参数
输入高电压
输入低电压
输入钳位二极管电压
输出高
电压
输出低电压
输入高电流
输入高电流
击穿测试
输出高泄漏电流
输入漏
TEST
输出漏
短路电流
输入低电平电流
输出短路电流
电源电流
20
115
4.75
3.75
0.4
130
160
10% V
CC
5% V
CC
10% V
CC
2.4
2.7
0.5
5.0
7.0
50
2.0
0.8
1.5
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
V
A
mA
mA
mA
最大
最大
最大
0.0
0.0
最大
最大
最大
V
CC
条件
作为公认的高信号
作为公认的低信号
I
IN
= 18
mA
I
OH
= 1
mA
I
OH
= 1
mA
I
OL
=
8毫安
V
IN
=
2.7V
V
IN
=
7.0V
V
OUT
=
V
CC
I
ID
=
1.9
A
所有其他引脚接地
V
IOD
=
150毫伏
所有其他引脚接地
V
IN
=
0.5V
V
OUT
=
0V
V
O
=
3
www.fairchildsemi.com
74F413
AC电气特性
T
A
= +25°C
符号
参数
f
最大
f
最大
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PLH
移率
移率
传播延迟
转变为IR
传播延迟
移出到OR
传播延迟
输出数据延迟
传播延迟
主复位到IR
传播延迟
主复位到OR
1.5
30.0
1.5
34.0
1.5
32.0
ns
10
10
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
44.0
31.0
52.0
31.0
46.0
34.0
27.0
V
CC
= +5.0V
C
L
=
50 pF的
典型值
最大
T
A
= 55°C
to
+125°C
V
CC
= +5.0V
C
L
=
50 pF的
8.0
8.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
50.0
37.0
57.0
37.0
52.0
39.0
33.0
最大
T
A
=
0到
+70°C
V
CC
= +5.0V
C
L
=
50 pF的
10
10
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
48.0
35.0
55.0
35.0
50.0
37.0
31.0
最大
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
单位
AC操作要求
T
A
= +25°C
符号
参数
V
CC
= +5.0V
t
S
(H)
t
S
(L)
t
H
(H)
t
H
(L)
t
W
(H)
t
W
(L)
t
W
(H)
t
W
(L)
t
W
(H)
t
W
(L)
t
W
(L)
t
REC
t
PT
建立时间,高或低
D
n
以SI
保持时间,高或低
D
n
以SI
移位脉冲宽度
高或低
移出脉冲宽度
高或低
输入就绪脉冲宽度,
准备好输出脉冲宽度,
主复位脉冲宽度,
恢复时间,MR为SI
数据吞吐量时间
32.0
0.9
35.0
1.0
35.0
1.0
ns
s
10.0
10.0
10.0
ns
5.0
5.0
5.0
ns
1.0
1.0
10.0
10.0
5.0
10.0
7.5
10.0
7.5
最大
T
A
= 55°C
to
+125°C
V
CC
= +5.0V
1.0
1.0
10.0
10.0
5.0
10.0
8.5
10.0
8.5
最大
T
A
=
0到
+70°C
V
CC
= +5.0V
1.0
1.0
10.0
10.0
5.0
10.0
7.5
10.0
7.5
ns
ns
最大
ns
单位
www.fairchildsemi.com
4
74F413 64 ×4的先入先出缓冲存储器,并行I / O
物理尺寸
英寸(毫米),除非另有说明
16引脚塑料双列直插式封装( PDIP ) , JEDEC MS- 001 ,宽0.300
包装数N16E
飞兆半导体不承担使用上述任何电路的任何责任,也不提供其专利许可和
飞兆半导体公司保留在任何时间的权利,恕不另行通知更改上述电路和规格。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可, FAIRCHILD总统
半导体公司版权所有。如本文所用:
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中, ( a)打算通过外科手术移植到
体,或(b )支持或维持生命,和(c) ,其故障
执行时,依照正确使用
在标签规定的使用说明,可说明原因
sonably预计将造成显著伤害
用户。
5
在生命支持任何组件2.关键部件
设备或系统,其未能履行可说明原因
sonably预期造成的生命支持故障
装置或系统,或影响其安全性或有效性。
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