54 74ETL16245 16位数据收发器与入射波开关
初步
1994年5月
54 74ETL16245 16位数据
收发器与入射波开关
概述
54 74ETL16245包含了16个非反相双向
tional缓冲器三态输出设计发病
马齿波的开关带电插入的支持和增强
噪声容限为TTL背板应用
无论是A和B端口包括一个总线保持电路来锁存
输出值最后迫使该引脚
此装置的B端口包括25X系列输出电阻
器而减少冲和振铃
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
特点
Y
Y
支持VME64 ETL规格
在功能和引脚与业界标准兼容
TTL 16245的引脚SSOP
Y
改进的TTL兼容的输入阈值范围
高驱动TTL兼容输出（I
OH
E B
60毫安
I
OL
e
90毫安）
支持端口25X入射波开关
BiCMOS工艺设计，显著降低功耗
分布式V
CC
和GND引脚配置最小化
高速开关噪声
在B- 25X端口串联阻尼电阻
可提供48引脚SSOP和陶瓷flatpak
保证输出偏斜
保证同步开关噪声水平和
动态阈值的表现
保证闭锁保护
逻辑符号
接线图
引脚分配
SSOP和Flatpak
TL F 11654 - 1
引脚说明
引脚名称
DIR
OE
A
n
B
n
描述
发射接收输入
输出使能输入（低电平有效）
背板总线数据
本地总线数据
TL F 11654 - 2
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 11654
RRD - B30M105印制在U S A
功能说明
该设备使用的字节宽度方向（DIR ）控制和输出
就把启用（ OE ）控制DIR输入决定二
数据rection通过器件的OE输入显示流动
能够在A和B口
该器件内置有源电路，保持所有输出
残疾人当V
CC
小于2 2V在带电插入以帮助
应用
真值表
（每一个8位的部分）
输入
OE
L
L
H
DIR
L
H
X
数据到B总线
B数据到总线
隔离
手术
逻辑图
（正逻辑）
TL F 11654 -3
TL F 11654 - 4
ETL的提高抗干扰
TTL输入阈值通常是由温度决定的
这导致在最坏的情况下TURE依赖性结电压
0 8V和2 0V输入阈值与此相反的ETL
提供了更大的抗噪性，因为它的输入阈值
孩子是通过电流与模式输入电路确定
那些用于ECL或BTL ETL的最坏情况下的输入阈值
1 4V和6V 1之间的年轻人正在为temper-补偿
ATURE电压和工艺变化
入射波开关
当TTL逻辑被用来驱动满载背板的
低背板总线特性阻抗的结合
ANCE宽TTL输入阈值范围和有限的TTL驱动器
一般需要val-之前多次反射波
ID信号可以通过背板的VME收到
国际贸易协会（ VITA ）定义的ETL到亲
韦迪入射波切换，这增加了数据传输
FER率VME底板和扩展VME的生活
与现有的VME后台应用TTL兼容
飞机和模块保持
ETL的改进的输入阈值特性
TL F 11654 -5
TL F 11654 - 6
ABTC最坏情况V
OUT
–V
IN
ETL最坏情况V
OUT
– V
IN
2
入射波开关
（续）
为了证明入射波切换能力CON-
代尔一个VME应用程序中的VME总线必须被终止
a
2 94V与190X在其21卡背板两端
一个满载VME呈现的波阻抗
底板是大约25X如果输出电压电流
租金的商务旅游证的驾驶员绘制与此负载间
1 2V节的下降沿，并在1 6V的崛起
缘没有达到的最坏情况下的输入阈值
第二ABTC电路这示于下面的两个图
然而一个ETL驱动位于所述底板的一端
能够提供入射波开关，因为它具有
更高的驱动器和更严格的输入阈值
估计ETL ABTC初始下降沿步骤
TL F 11654 - 7
因为ETL可以具有一个更精确的输入阈值重新
祗园的ETL接收器将解释其预测的下降输入
0 85V为逻辑零和1 9V初始上升沿
为逻辑ONE这种比较是针对25X的情况下
从一端波阻抗驱动背板
估计ETL ABTC初始上升沿步骤
TL F 11654 - 8
由此产生的ABTC和ETL波形的预测和他们的输入阈值进行比较，下面这说明ETL怎么能
实现背板的速度并不总是能够与传统的TTL兼容的逻辑系列
比较ETL的入射波开关与ABTC
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