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SN74CBTLV3126
低电压翻两番FET总线开关
SCDS038I - 1997年12月 - 修订2003年10月
D
标准的“ 126型引脚
D
5 Ω交换机两个端口之间的连接
D
轨到轨开关上的数据I / O端口
D, DGV ,或PW包装
( TOP VIEW )
D
I
关闭
支持部分掉电模式
D
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
DBQ包装
( TOP VIEW )
RGY包装
( TOP VIEW )
1OE
1OE
1A
1B
2OE
2A
2B
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
4OE
4A
4B
3OE
3A
3B
V
CC
1
14
13
4OE
12
4A
11
4B
10
3OE
9
3A
1A
1B
2OE
2A
2B
2
3
4
5
6
7
8
NC
1OE
1A
1B
2OE
2A
2B
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
4OE
4A
4B
3OE
3A
3B
NC
GND
3B
NC - 无内部连接
描述/订购信息
该SN74CBTLV3126四倍FET总线开关具有独立的行开关。每个开关被禁用
当相关的输出使能( OE )输入为低。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
功能可确保
当它断电破坏性电流不会通过器件倒流。该器件在具有隔离
切断电源。
为了确保上电或断电高阻抗状态, OE应通过一个连接到GND
下拉电阻;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
订购信息
TA
QFN - RGY
SOIC - D
-40 ° C至85°C
SSOP ( QSOP ) - DBQ
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CBTLV3126RGYR
SN74CBTLV3126D
SN74CBTLV3126DR
SN74CBTLV3126DBQR
SN74CBTLV3126PWR
SN74CBTLV3126DGVR
CBTLV3126
CL126
CL126
CL126
TOP- SIDE
记号
CL126
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计指南
可在www.ti.com/sc/package 。
功能表
(每条总线开关)
输入
OE
L
H
功能
断开
一个端口= B口
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SN74CBTLV3126
低电压翻两番FET总线开关
SCDS038I - 1997年12月 - 修订2003年10月
逻辑图(正逻辑)
2
1A
1
1OE
5
2A
4
2OE
SW
6
2B
SW
3
1B
9
3A
3OE
4A
13
4OE
显示引脚数都为D, DGV , PW和RGY包。
10
12
SW
SW
8
3B
11
4B
简化原理图中,每个FET开关
A
B
( OE)的
2
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SN74CBTLV3126
低电压翻两番FET总线开关
SCDS038I - 1997年12月 - 修订2003年10月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
输入电压范围,V
I
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安
输入钳位电流,I
IK
(V
I / O
& LT ; 0)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注2 ) :D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
(见注2 ) : DBQ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90 ° C / W
(见注2 ) : DGV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 127 ° C / W
(见注2 ) : PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
(见注3 ) :红绿黄包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 47 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意:如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-5 。
推荐工作条件(见注4 )
VCC
VIH
VIL
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0.7
0.8
V
V
最大
3.6
单位
V
TA
工作自由空气的温度
40
85
°C
注4 :该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明)
参数
VIK
II
IOFF
ICC
I
CC§
Ci
控制输入
控制输入
VCC = 3 V ,
VCC = 3.6 V ,
VCC = 0 ,
VCC = 3.6 V ,
VCC = 3.6 V ,
VI = 3 V或0
VO = 3 V或0 ,
VCC = 2.3 V ,
典型值在VCC = 2.5 V
ron
VCC = 3 V
测试条件
II = -18毫安
VI = VCC或GND
VI或VO = 0 3.6 V
IO = 0,
VI = VCC或GND
一个输入为3 V ,
在VCC和GND的其他投入
2.5
OE = GND
VI = 0
VI = 1.7 V ,
VI = 0
II = 64毫安
II = 24毫安
II = 15毫安
II = 64毫安
II = 24毫安
7
5
5
27
5
5
8
8
40
7
7
TYP
最大
1.2
±1
10
10
300
单位
V
A
A
A
A
pF
pF
首席信息官(关)
VI = 2.4 V ,
II = 15毫安
10
15
所有典型值是在VCC = 3.3 V (除非另有说明) , TA = 25 ℃。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平,而不是VCC或GND 。
测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个( A或B)端子的电压的降低。
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3
SN74CBTLV3126
低电压翻两番FET总线开关
SCDS038I - 1997年12月 - 修订2003年10月
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内(除非
另有说明) (参见图1)
参数
TPD
TEN
TDI发动机
(输入)
A或B
OE
OE
TO
(输出)
B或A
A或B
A或B
1.6
1.3
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
最大
0.15
4.5
4.7
1.9
1
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
最大
0.25
4.2
4.8
ns
ns
ns
单位
传播延迟是该开关的典型的导通状态电阻与规定的负载电容的计算的RC时间常数,当
由一个理想电压源(零输出阻抗)驱动。
4
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SN74CBTLV3126
低电压翻两番FET总线开关
SCDS038I - 1997年12月 - 修订2003年10月
参数测量信息
2
×
VCC
从输出
被测
CL
(见注一)
RL
VCC
2.5 V
±0.2
V
3.3 V
±0.3
V
CL
30 pF的
50 pF的
RL
500
500
V
0.15 V
0.3 V
RL
S1
开放
GND
TEST
tPLH的/的TPH1
tPLZ / tPZL
tPHZ / tPZH
S1
开放
2
×
VCC
GND
负载电路
VCC
定时输入
tw
VCC
输入
VCC/2
VCC/2
0V
电压波形
脉冲持续时间
VCC
输入
TPLH
产量
的TPH1
VCC/2
VCC/2
VCC/2
VCC/2
0V
的TPH1
VOH
VCC/2
VOL
TPLH
VOH
产量
VCC/2
VOL
电压波形
传播延迟时间
反相和同相产出
产量
波形2
S1在GND
(见注B)
电压波形
建立和保持时间
VCC
VCC/2
VCC/2
0V
tPLZ
VCC
VCC/2
VOL + V
tPHZ
VCC/2
VOH - V
VOH
≈0
V
VOL
数据输入
VCC/2
0V
TSU
VCC/2
th
VCC
VCC/2
0V
产量
控制
t
输出PZL
波形1
S1在2
×
VCC
(见注B)
tpZH
电压波形
启用和禁用时报
低收入和高级别ENABLING
注:A CL包括探针和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出,使得输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出,使得输出为高,除去被禁止输出的时候。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机: PRR
10兆赫,Z0 = 50
,
tr
2纳秒, TF
2纳秒。
D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。
大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
F. tPZL和tPZH是相同的10 。
G. tPLH的和的TPH1相同公吨。
H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。
图1.负载电路和电压波形
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