74CBTLV1G125
单总线开关
版本01 - 2007年2月23日
产品数据表
1.概述
该74CBTLV1G125是一个高性能，低功耗，低电压，硅栅的CMOS
设备，优于最先进的CMOS兼容TTL家庭。
在控制输入施密特触发器动作使电路容忍较慢的输入兴衰
在整个V倍
CC
范围从2.3 V至3.6 V.
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
.
在我
关闭
电路禁止输出，防止损坏背溢流电流通过
设备时，它被断电。
该74CBTLV1G125提供了一个单一的高速线路开关。该开关被禁用
当输出使能（OE ）输入为高。
为确保高阻抗时电源或断电关断状态， OE应
缚于V
CC
通过上拉电阻。电阻的最小值被确定
由驾驶员的电流吸收能力。
2.特点
s
电源电压范围为2.3 V至3.6 V
s
高噪声抗扰度
s
符合JEDEC标准：
x
JESD8-5 （ 2.3 V至2.7 V ）
x
JESD8 -B / JESD36 （ 2.7 V至3.6 V ）
s
ESD保护：
x
HBM JESD22 - A114 - D超过2000伏
x
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
x
CDM JESD22 - C101 - C超过1000 V
s
5
两个端口之间的连接开关
s
铁路上的数据I / O端口轨切换
s
CMOS低功耗
s
闭锁性能符合JESD78 I类要求
s
I
关闭
电路部分提供了省电模式运行
s
多种封装选择
s
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
74CBTLV1G125
单总线开关
6.管脚信息
6.1钢钉
74CBTLV1G125
74CBTLV1G125
OE
A
1
2
GND
GND
3
001aad715
OE
V
CC
1
6
V
CC
OE
A
74CBTLV1G125
1
2
3
6
5
4
V
CC
北卡罗来纳州
B
5
A
2
5
北卡罗来纳州
3
4
B
GND
4
B
001aad717
001aaf817
透明的顶视图
透明的顶视图
图3.引脚CON组fi guration SOT353-1
和SOT753
图4.引脚CON组fi guration SOT886
图5.引脚CON组fi guration SOT891
6.2引脚说明
表3中。
符号
OE
A
GND
B
北卡罗来纳州
V
CC
引脚说明
针
SOT353-1/SOT753
1
2
3
4
-
5
SOT886/SOT891
1
2
3
4
5
6
输出使能输入OE （低电平有效）
数据输入或输出
接地（ 0 V ）
数据输入或输出B
没有连接
电源电压
描述
7.功能描述
7.1功能表
表4 。
L
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平。
功能表
[1]
功能开关
导通状态
关闭状态
输出使能输入OE
74CBTLV1G125_1
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2007年2月23日
3 18
恩智浦半导体
74CBTLV1G125
单总线开关
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
V
SW
I
IK
I
SK
I
SW
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入电压
开关电压
输入钳位电流
开关电流钳位
开关电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
[1]
民
0.5
0.5
0.5
-
-
-
-
50
65
最大
+4.6
+4.6
V
CC
+ 0.5
50
±50
±128
50
-
+150
250
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
启用和禁用模式
V
I / O
＆ LT ;
0.5
V
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
SW
= 0 V到V
CC
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的最小的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于TSSOP5和SC - 74A封装： 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
对于XSON6包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
SW
T
AMB
ΔT/ ΔV
[1]
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
开关电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 2.3 V至3.6 V
[1]
条件
民
2.3
0
典型值
-
-
-
-
-
最大
3.6
3.6
V
CC
+125
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
启用和禁用模式
0
40
0
适用于控制信号电平。
10.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
T
AMB
=
40 °C
+85
°C
V
IH
V
IL
I
I
I
S（ OFF）
I
秒（上）
74CBTLV1G125_1
条件
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
I
= GND到V
CC
; V
CC
= 3.6 V
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
O
= V
CC
GND ;
V
CC
= 3.6 V ;看
图6
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
CC
= 3.6 V ;看
图7
版本01 - 2007年2月23日
民
1.7
2.0
-
-
-
-
-
典型值
[1]
-
-
-
-
-
±0.1
±0.1
最大
-
-
0.7
0.8
±1.0
±5
±5
单位
V
V
V
V
A
A
A
4 18
高电平输入电压
低电平输入电压
输入漏电流
断态泄漏电流
ON状态泄漏电流
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
恩智浦半导体
74CBTLV1G125
单总线开关
表7中。
静态特性
- 续
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
I
关闭
I
CC
I
CC
C
I
C
sw
关机漏电流
电源电流
额外的电源电流
输入电容
开关电容
条件
V
I
或V
O
= 0 V至3.6 V ; V
CC
= 0 V
V
I
= GND或V
CC
; I
O
= 0 ; V
CC
= 3.6 V
控制输入; V
I
= V
CC
0.6 V; V
CC
= 3.6 V
控制输入; V
I
= 0V或3V的
关闭状态
导通状态
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
V
IH
V
IL
I
I
I
S（ OFF）
I
秒（上）
I
关闭
I
CC
I
CC
[1]
[2]
[2]
民
-
-
-
-
-
-
1.7
2.0
-
-
-
-
-
-
-
[2]
典型值
[1]
-
-
-
2.5
7.0
10.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
±10
10
300
-
-
-
-
-
0.7
0.8
±100
±200
±200
±10
200
5000
单位
A
A
A
pF
pF
pF
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
高电平输入电压
低电平输入电压
输入漏电流
断态泄漏电流
ON状态泄漏电流
关机漏电流
电源电流
额外的电源电流
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
I
= GND到V
CC
; V
CC
= 3.6 V
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
O
= V
CC
GND ;
V
CC
= 3.6 V ;看
图6
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
CC
= 3.6 V ;看
图7
V
I
或V
O
= 0 V至3.6 V ; V
CC
= 0 V
V
I
= GND或V
CC
; I
O
= 0 ; V
CC
= 3.6 V
控制输入; V
I
= V
CC
0.6 V; V
CC
= 3.6 V
-
典型值是在T测
AMB
= 25
°C
而在V
CC
= 3.3 V.
一个输入为3 V ，其他输入在V
CC
或GND 。
表8 。
电阻R
ON
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V） ;见测试电路
网络连接gure 8 。
符号参数
R
ON
条件
[2]
40 °C
+85
°C
民
典型值
[1]
4.7
4.5
11
4.2
4.1
7.3
最大
10
10
25
7
7
15
40 °C
+125
°C
民
-
-
-
-
-
-
最大
15.0
15.0
38.0
11.0
11.0
25.5
单位
导通电阻V
CC
= 2.3 V ;看
图9
I
SW
= 64毫安; V
I
= 0 V
I
SW
= 24毫安; V
I
= 0 V
I
SW
= 15毫安; V
I
= 1.7 V
V
CC
= 3.0 V ;看
图10
I
SW
= 64毫安; V
I
= 0 V
I
SW
= 24毫安; V
I
= 0 V
I
SW
= 15毫安; V
I
= 2.4 V
-
-
-
-
-
-
[1]
[2]
典型值是在T测
AMB
= 25
°C.
测得的由A和B端子之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。导通电阻
由两个（ A或B）端子的电压的降低来确定。
74CBTLV1G125_1
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2007年2月23日
5 18
74CBTLV1G125
单总线开关
版本01 - 2007年2月2日
产品数据表
1.概述
该74CBTLV1G125是一个高性能，低功耗，低电压，硅栅的CMOS
设备，优于最先进的CMOS兼容TTL家庭。
在控制输入施密特触发器动作使电路容忍较慢的输入兴衰
在整个V倍
CC
范围从2.3 V至3.6 V.
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
.
在我
关闭
电路禁止输出，防止损坏背溢流电流通过
设备时，它被断电。
该74CBTLV1G125提供了一个单一的高速线路开关。该开关被禁用
当输出使能（OE ）输入为高。
为确保高阻抗时电源或断电关断状态， OE应
缚于V
CC
通过上拉电阻。电阻的最小值被确定
由驾驶员的电流吸收能力。
2.特点
s
电源电压范围为2.3 V至3.6 V
s
高噪声抗扰度
s
符合JEDEC标准：
x
JESD8-5 （ 2.3 V至2.7 V ）
x
JESD8 -B / JESD36 （ 2.7 V至3.6 V ） 。
s
ESD保护：
x
HBM JESD22 - A114 - D超过2000伏
x
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
x
CDM JESD22 - C101 - C超过1000 V
s
5
两个端口之间的连接开关
s
铁路上的数据I / O端口轨切换
s
CMOS低功耗
s
闭锁性能符合JESD78 I类要求
s
I
关闭
电路部分提供了省电模式运行
s
多种封装选择
s
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
74CBTLV1G125
单总线开关
6.管脚信息
6.1钢钉
74CBTLV1G125
74CBTLV1G125
OE
A
1
2
GND
GND
3
001aad715
OE
V
CC
1
6
V
CC
OE
A
74CBTLV1G125
1
2
3
6
5
4
V
CC
北卡罗来纳州
B
5
A
2
5
北卡罗来纳州
3
4
B
GND
4
B
001aad717
001aaf817
透明的顶视图
透明的顶视图
图3.引脚CON组fi guration SOT353-1
和SOT753
图4.引脚CON组fi guration SOT886
图5.引脚CON组fi guration SOT891
6.2引脚说明
表3中。
符号
OE
A
GND
B
北卡罗来纳州
V
CC
引脚说明
针
SOT353-1/SOT753
1
2
3
4
-
5
SOT886/SOT891
1
2
3
4
5
6
输出使能输入OE （低电平有效）
数据输入或输出
接地（ 0 V ）
数据输入或输出B
没有连接
电源电压
描述
7.功能描述
7.1功能表
表4 。
L
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平;
功能表
[1]
功能开关
导通状态
关闭状态
输出使能输入OE
74CBTLV1G125
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2007年2月2日
3 18
恩智浦半导体
74CBTLV1G125
单总线开关
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
V
SW
I
IK
I
SK
I
SW
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入电压
开关电压
输入钳位电流
开关电流钳位
开关电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
[1]
民
0.5
0.5
0.5
-
-
-
-
50
65
最大
+4.6
+4.6
V
CC
+ 0.5
50
±50
±128
+50
-
+150
250
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
启用和禁用模式
V
I / O
＆ LT ;
0.5
V
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
SW
= 0 V到V
CC
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的最小的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于TSSOP5和SC - 74A封装： 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
对于XSON6包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
SW
T
AMB
ΔT/ ΔV
[1]
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
开关电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 2.3 V至3.6 V
[1]
条件
民
2.3
0
最大
3.6
3.6
V
CC
+125
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
启用和禁用模式
0
40
0
适用于控制信号电平。
10.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
T
AMB
=
40 °C
+85
°C
V
IH
V
IL
I
I
I
S（ OFF）
I
秒（上）
74CBTLV1G125
条件
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
I
= GND到V
CC
; V
CC
= 3.6 V
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
O
= V
CC
GND ;
V
CC
= 3.6 V ;看
图6
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
CC
= 3.6 V ;看
图7
版本01 - 2007年2月2日
民
1.7
2.0
-
-
-
-
-
典型值
[1]
-
-
-
-
-
±0.1
±0.1
最大
-
-
0.7
0.8
±1.0
±5
±5
单位
V
V
V
V
A
A
A
4 18
高电平输入电压
低电平输入电压
输入漏电流
断态泄漏电流
ON状态泄漏电流
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
恩智浦半导体
74CBTLV1G125
单总线开关
表7中。
静态特性
- 续
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
I
关闭
I
CC
I
CC
C
I
C
sw
关机漏电流
电源电流
额外的电源电流
输入电容
开关电容
条件
V
I
或V
O
= 0 V至3.6 V ; V
CC
= 0 V
V
I
= GND或V
CC
; I
O
= 0 A;
V
CC
= 3.6 V
控制输入; V
I
= V
CC
0.6 V; V
CC
= 3.6 V
控制输入; V
I
= 0V或3V的
关闭状态
导通状态
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
V
IH
V
IL
I
I
I
S（ OFF）
I
秒（上）
I
关闭
I
CC
I
CC
[1]
[2]
[2]
民
-
-
-
-
-
-
1.7
2.0
-
-
-
-
-
-
-
[2]
典型值
[1]
-
-
-
2.5
7.0
10.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
±10
10
300
-
-
-
-
-
0.7
0.8
±100
±200
±200
±10
200
5000
单位
A
A
A
pF
pF
pF
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
高电平输入电压
低电平输入电压
输入漏电流
断态泄漏电流
ON状态泄漏电流
关机漏电流
电源电流
额外的电源电流
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
I
= GND到V
CC
; V
CC
= 3.6 V
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
O
= V
CC
GND ;
V
CC
= 3.6 V ;看
图6
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
CC
= 3.6 V ;看
图7
V
I
或V
O
= 0 V至3.6 V ; V
CC
= 0 V
V
I
= GND或V
CC
; I
O
= 0 A;
V
CC
= 3.6 V
控制输入; V
I
= V
CC
0.6 V; V
CC
= 3.6 V
-
典型值是在T测
AMB
= 25
°C
而在V
CC
= 3.3 V.
一个输入为3 V ，其他输入在V
CC
或GND 。
表8 。
电阻R
ON
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V） ;见测试电路
网络连接gure 8 。
符号参数
R
ON
条件
[2]
40 °C
+85
°C
民
典型值
[1]
4.7
4.5
11
4.2
4.1
7.3
最大
10
10
25
7
7
15
40 °C
+125
°C
民
-
-
-
-
-
-
最大
15.0
15.0
38.0
11.0
11.0
25.5
单位
导通电阻V
CC
= 2.3 V ;看
图9
I
SW
= 64毫安; V
I
= 0 V
I
SW
= 24毫安; V
I
= 0 V
I
SW
= 15毫安; V
I
= 1.7 V
V
CC
= 3.0 V ;看
图10
I
SW
= 64毫安; V
I
= 0 V
I
SW
= 24毫安; V
I
= 0 V
I
SW
= 15毫安; V
I
= 2.4 V
-
-
-
-
-
-
[1]
[2]
典型值是在T测
AMB
= 25
°C.
测得的由A和B端子之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。导通电阻
由两个（ A或B）端子的电压的降低来确定
74CBTLV1G125
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版本01 - 2007年2月2日
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