SN74CBTLV1G125
低电压单FET总线开关
www.ti.com
SCDS057H - 1998年3月 - 修订2006年6月
特点
5 Ω交换机两个端口之间的连接
轨到轨开关上的数据I / O端口
DBV包装
（ TOP VIEW ）
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
DCK包装
（ TOP VIEW ）
OE
A
GND
1
5
V
CC
OE
A
1
2
3
5
V
CC
2
GND
4
4
B
3
B
请参见机械图纸尺寸。
描述/订购信息
该SN74CBTLV1G125功能单一高速的线路开关。该开关时禁用输出使能
（ OE ）输入为高。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
功能可确保有害
当它断电电流不会通过器件倒流。该器件具有上电期间关闭隔离。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
包
(1)
SOT （ SOT - 23 ） - DBV
SOT （ SC - 70 ） - DCK
3000卷
3000卷
订购型号
SN74CBTLV1G125DBVR
SN74CBTLV1G125DCKR
V25_
VM-
顶部端标记
(2)
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
功能表
输入
OE
L
H
功能
一个端口= B口
断开
逻辑图（正逻辑）
2
A
OE
1
SW
4
B
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 1998-2006，德州仪器
SN74CBTLV1G125
低电压单FET总线开关
SCDS057H - 1998年3月 - 修订2006年6月
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简化原理图中，每个FET开关
A
B
（ OE）的
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
I
I
IK
θ
JA
T
英镑
(1)
(2)
(3)
电源电压范围
输入电压
范围
(2)
V
I / O
＆ LT ; 0
DBV包装
DCK包装
–65
连续通道电流
输入钳位电流
封装的热阻抗
(3)
存储温度范围
–0.5
–0.5
最大
4.6
4.6
128
–50
206
252
150
单位
V
V
V
mA
° C / W
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
(1)
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
工作自由空气的温度
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
–40
2.3
1.7
2
0.7
0.8
85
最大
3.6
单位
V
V
V
°C
该设备的所有未使用的控制输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
2
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SN74CBTLV1G125
低电压单FET总线开关
SCDS057H - 1998年3月 - 修订2006年6月
电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
V
IK
I
I
I
关闭
I
CC
I
CC (2)
C
i
C
io的（OFF）的
控制输入
控制输入
V
CC
= 3 V，I
I
= -18毫安
V
CC
= 3.6 V, V
I
= V
CC
或GND
V
CC
= 0, V
I
或V
O
= 0 3.6 V
V
CC
= 3.6 V，I
O
= 0, V
I
= V
CC
或GND
V
CC
= 3.6 V ，一个输入在3 V ，在V其他投入
CC
或GND
V
I
= 3 V或0
V
O
= 3 V或0 ， OE = V
CC
V
CC
= 2.3 V,
典型的V
CC
= 2.5 V
r
（3）上
V
CC
= 3 V
V
I
= 0
V
I
= 1.7 V,
V
I
= 0
V
I
= 2.4 V,
(1)
(2)
(3)
I
I
= 64毫安
I
I
= 24毫安
I
I
= 15毫安
I
I
= 64毫安
I
I
= 24毫安
I
I
= 15毫安
2.5
7
7
7
15
5
5
10
10
10
25
7
7
15
测试条件
最小值典型值
(1)
最大
–1.2
±1
10
10
300
单位
V
A
A
A
A
pF
pF
所有典型值是在V
CC
= 3.3V （除非另有说明）中，T
A
= 25°C.
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平，而不是V
CC
或GND 。
测量由A和B端子之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。导通电阻确定
由两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明） （见
图1）
参数
t
PD （1）
t
en
t
DIS
(1)
从
（输入）
A或B
OE
OE
TO
（输出）
B或A
A或B
A或B
1
1
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
0.15
4
5
1
1
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
0.25
4
4.1
ns
ns
ns
单位
传播延迟是典型的通态电阻，开关和所述特定网络连接编负载的所计算的RC时间常数
50 pF的电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
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3
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参数测量信息
2
×
V
CC
从输出
被测
C
L
（见注一）
R
L
V
CC
2.5 V
±0.2
V
3.3 V
±0.3
V
C
L
30 pF的
50 pF的
R
L
500
500
V
0.15 V
0.3 V
R
L
S1
开放
GND
TEST
t
PLH
/t
PHL
t
PLZ
/t
PZL
t
PHZ
/t
PZH
S1
开放
2
×
V
CC
GND
负载电路
V
CC
定时输入
t
w
V
CC
输入
V
CC
/2
V
CC
/2
0V
电压波形
脉冲持续时间
V
CC
输入
t
PLH
产量
t
PHL
V
CC
/2
V
CC
/2
V
CC
/2
V
CC
/2
0V
t
PHL
V
OH
V
CC
/2
V
OL
t
PLH
V
OH
产量
V
CC
/2
V
OL
电压波形
传播延迟时间
反相和同相产出
产量
波形2
S1在GND
（见注B）
电压波形
建立和保持时间
V
CC
V
CC
/2
t
PZL
V
CC
/2
t
PZH
V
CC
/2
V
CC
/2
0V
t
PLZ
V
CC
V
OL
+ V
t
PHZ
V
OH
V
V
OH
≈0
V
V
OL
数据输入
t
su
V
CC
/2
t
h
V
CC
V
CC
/2
0V
V
CC
/2
0V
产量
控制
产量
波形1
S1在2
×
V
CC
（见注B）
电压波形
启用和禁用时报
低收入和高级别ENABLING
A.
B.
C
L
包括探头和夹具电容。
波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平时，除由所述输出禁用时
控制权。
波形图2是用于与内部条件的输出，使得输出为高电平时，除由所述输出禁用时
控制权。
所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR
≤
10兆赫，Z
O
= 50
,
t
r
≤
2纳秒，
t
f
≤
2纳秒。
输出被测量一次，每测量1过渡。
t
PLZ
和T
PHZ
相同吨
DIS
.
t
PZL
和T
PZH
相同吨
en
.
t
PLH
和T
PHL
相同吨
pd
.
所有参数和波形并不适用于所有的设备。
C.
D.
E.
F.
G.
H.
图1.负载电路和电压波形
4
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封装选项附录
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29-May-2007
包装信息
订购设备
74CBTLV1G125CRE4
74CBTLV1G125CRG4
74CBTLV1G125DBVRE4
74CBTLV1G125DBVRG4
74CBTLV1G125DCKRG4
SN74CBTLV1G125DBVR
SN74CBTLV1G125DCKR
(1)
状态
(1)
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
包
TYPE
SC70
SC70
SOT-23
SOT-23
SC70
SOT-23
SC70
包
制图
DCK
DCK
的dBV
的dBV
DCK
的dBV
DCK
引脚封装环保计划
(2)
数量
5
5
5
5
5
5
5
3000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
3000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
3000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
3000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
3000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
3000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
3000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
铅/焊球涂层
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
MSL峰值温度
(3)
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
营销状态值的定义如下：
ACTIVE ：
建议用于新设计产品的设备。
LIFEBUY ：
德州仪器日前宣布，该设备将停止，并且终身购买期间生效。
NRND ：
不建议用于新设计。设备是生产以支持现有客户，但TI不推荐使用这部分
新的设计。
预览：
设备已宣告但尚未投入生产。样品可以是或可以不是可用的。
已过时：
TI已经停止生产该设备的。
(2)
环保计划 - 该计划的环保分级：无铅（符合RoHS ） ，无铅（ RoHS豁免）或绿色环保（RoHS &无Sb / Br） - 请检查
http://www.ti.com/productcontent
获得最新供货信息和附加产品目录明细。
TBD ：
无铅/绿色转换计划尚未确定。
无铅（ RoHS指令） ：
TI的条款"Lead - Free"或"Pb - Free"意味着与当前RoHS要求的半导体产品
对于所有6种物质，其中包括铅的重量不超过均质材料0.1 ％的要求。其中，设计成被焊接
在高温下， TI无铅产品适用于特定的无铅工艺。
无铅（ RoHS豁免） ：
该组件符合RoHS豁免要么1 ）铅基模之间采用倒装芯片焊料凸点
包，或2）基于铅的管芯和引线框架之间使用裸片粘合剂。该组件，否则视为无铅（ RoHS指令
尺寸）的定义同上。
绿色环保（RoHS &无锑/溴） ：
TI定义"Green"意味着无铅（符合RoHS标准） ，无溴（ Br）和锑（Sb ）的火焰
阻燃剂（溴或锑不均质材料重量超过0.1 ％ ）
(3)
MSL ，峰值温度。 - 根据JEDEC行业标准分类的湿度敏感等级评级，并将峰值焊接
温度。
重要信息及免责声明：
本页提供的信息代表了TI的知识和信念，这是日期
提供的。 TI基于其上由第三方提供的信息，知识和信念，不作任何陈述或保证的
这些信息的准确性。正在努力更好地整合来自第三方的信息。 TI已经采取并将继续采取
合理步骤，以提供有代表性的，准确的信息，但可能还没有进行破坏性测试或化学分析
传入的材料和化学品。 TI及其供应商认为某些信息是专有的，因此CAS号码和其他有限
信息可能不提供用于释放。
在任何情况下，所产生的这种信息TI的责任超过了TI的部分（ S）的总购买价格问题由TI出售本文档中
为客户在年度基础上。
附录1页
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低电压单FET总线开关
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特点
5 Ω交换机两个端口之间的连接
轨到轨开关上的数据I / O端口
DBV包装
（ TOP VIEW ）
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
DCK包装
（ TOP VIEW ）
OE
A
GND
1
5
V
CC
OE
A
1
2
3
5
V
CC
2
GND
4
4
B
3
B
请参见机械图纸尺寸。
描述/订购信息
该SN74CBTLV1G125功能单一高速的线路开关。该开关时禁用输出使能
（ OE ）输入为高。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
功能可确保有害
当它断电电流不会通过器件倒流。该器件具有上电期间关闭隔离。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
包
(1)
SOT （ SOT - 23 ） - DBV
SOT （ SC - 70 ） - DCK
3000卷
3000卷
订购型号
SN74CBTLV1G125DBVR
SN74CBTLV1G125DCKR
V25_
VM-
顶部端标记
(2)
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
功能表
输入
OE
L
H
功能
一个端口= B口
断开
逻辑图（正逻辑）
2
A
OE
1
SW
4
B
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 1998-2006，德州仪器
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简化原理图中，每个FET开关
A
B
（ OE）的
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
I
I
IK
θ
JA
T
英镑
(1)
(2)
(3)
电源电压范围
输入电压
范围
(2)
V
I / O
＆ LT ; 0
DBV包装
DCK包装
–65
连续通道电流
输入钳位电流
封装的热阻抗
(3)
存储温度范围
–0.5
–0.5
最大
4.6
4.6
128
–50
206
252
150
单位
V
V
V
mA
° C / W
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
(1)
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
工作自由空气的温度
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
–40
2.3
1.7
2
0.7
0.8
85
最大
3.6
单位
V
V
V
°C
该设备的所有未使用的控制输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
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电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
V
IK
I
I
I
关闭
I
CC
I
CC (2)
C
i
C
io的（OFF）的
控制输入
控制输入
V
CC
= 3 V，I
I
= -18毫安
V
CC
= 3.6 V, V
I
= V
CC
或GND
V
CC
= 0, V
I
或V
O
= 0 3.6 V
V
CC
= 3.6 V，I
O
= 0, V
I
= V
CC
或GND
V
CC
= 3.6 V ，一个输入在3 V ，在V其他投入
CC
或GND
V
I
= 3 V或0
V
O
= 3 V或0 ， OE = V
CC
V
CC
= 2.3 V,
典型的V
CC
= 2.5 V
r
（3）上
V
CC
= 3 V
V
I
= 0
V
I
= 1.7 V,
V
I
= 0
V
I
= 2.4 V,
(1)
(2)
(3)
I
I
= 64毫安
I
I
= 24毫安
I
I
= 15毫安
I
I
= 64毫安
I
I
= 24毫安
I
I
= 15毫安
2.5
7
7
7
15
5
5
10
10
10
25
7
7
15
测试条件
最小值典型值
(1)
最大
–1.2
±1
10
10
300
单位
V
A
A
A
A
pF
pF
所有典型值是在V
CC
= 3.3V （除非另有说明）中，T
A
= 25°C.
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的TTL电平，而不是V
CC
或GND 。
测量由A和B端子之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。导通电阻确定
由两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明） （见
图1）
参数
t
PD （1）
t
en
t
DIS
(1)
从
（输入）
A或B
OE
OE
TO
（输出）
B或A
A或B
A或B
1
1
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
0.15
4
5
1
1
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
0.25
4
4.1
ns
ns
ns
单位
传播延迟是典型的通态电阻，开关和所述特定网络连接编负载的所计算的RC时间常数
50 pF的电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
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参数测量信息
2
×
V
CC
从输出
被测
C
L
（见注一）
R
L
V
CC
2.5 V
±0.2
V
3.3 V
±0.3
V
C
L
30 pF的
50 pF的
R
L
500
500
V
0.15 V
0.3 V
R
L
S1
开放
GND
TEST
t
PLH
/t
PHL
t
PLZ
/t
PZL
t
PHZ
/t
PZH
S1
开放
2
×
V
CC
GND
负载电路
V
CC
定时输入
t
w
V
CC
输入
V
CC
/2
V
CC
/2
0V
电压波形
脉冲持续时间
V
CC
输入
t
PLH
产量
t
PHL
V
CC
/2
V
CC
/2
V
CC
/2
V
CC
/2
0V
t
PHL
V
OH
V
CC
/2
V
OL
t
PLH
V
OH
产量
V
CC
/2
V
OL
电压波形
传播延迟时间
反相和同相产出
产量
波形2
S1在GND
（见注B）
电压波形
建立和保持时间
V
CC
V
CC
/2
t
PZL
V
CC
/2
t
PZH
V
CC
/2
V
CC
/2
0V
t
PLZ
V
CC
V
OL
+ V
t
PHZ
V
OH
V
V
OH
≈0
V
V
OL
数据输入
t
su
V
CC
/2
t
h
V
CC
V
CC
/2
0V
V
CC
/2
0V
产量
控制
产量
波形1
S1在2
×
V
CC
（见注B）
电压波形
启用和禁用时报
低收入和高级别ENABLING
A.
B.
C
L
包括探头和夹具电容。
波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平时，除由所述输出禁用时
控制权。
波形图2是用于与内部条件的输出，使得输出为高电平时，除由所述输出禁用时
控制权。
所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR
≤
10兆赫，Z
O
= 50
,
t
r
≤
2纳秒，
t
f
≤
2纳秒。
输出被测量一次，每测量1过渡。
t
PLZ
和T
PHZ
相同吨
DIS
.
t
PZL
和T
PZH
相同吨
en
.
t
PLH
和T
PHL
相同吨
pd
.
所有参数和波形并不适用于所有的设备。
C.
D.
E.
F.
G.
H.
图1.负载电路和电压波形
4
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封装选项附录
www.ti.com
12-Mar-2010
包装信息
订购设备
74CBTLV1G125CRE4
74CBTLV1G125CRG4
74CBTLV1G125DBVRE4
74CBTLV1G125DBVRG4
74CBTLV1G125DCKRG4
SN74CBTLV1G125DBVR
SN74CBTLV1G125DCKR
(1)
状态
(1)
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
包
TYPE
SC70
SC70
SOT-23
SOT-23
SC70
SOT-23
SC70
包
制图
DCK
DCK
的dBV
的dBV
DCK
的dBV
DCK
引脚封装环保计划
(2)
数量
5
5
5
5
5
5
5
待定
3000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
3000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
3000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
3000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
3000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
3000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
铅/焊球涂层
TI打电话
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
MSL峰值温度
(3)
TI打电话
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
营销状态值的定义如下：
ACTIVE ：
建议用于新设计产品的设备。
LIFEBUY ：
德州仪器日前宣布，该设备将停止，并且终身购买期间生效。
NRND ：
不建议用于新设计。设备是生产以支持现有客户，但TI不推荐使用这部分
新的设计。
预览：
设备已宣告但尚未投入生产。样品可以是或可以不是可用的。
已过时：
TI已经停止生产该设备的。
(2)
环保计划 - 该计划的环保分级：无铅（符合RoHS ） ，无铅（ RoHS豁免）或绿色环保（RoHS &无Sb / Br） - 请检查
http://www.ti.com/productcontent
获得最新供货信息和附加产品目录明细。
TBD ：
无铅/绿色转换计划尚未确定。
无铅（ RoHS指令） ：
TI的条款"Lead - Free"或"Pb - Free"意味着与当前RoHS要求的半导体产品
对于所有6种物质，其中包括铅的重量不超过均质材料0.1 ％的要求。其中，设计成被焊接
在高温下， TI无铅产品适用于特定的无铅工艺。
无铅（ RoHS豁免） ：
该组件符合RoHS豁免要么1 ）铅基模之间采用倒装芯片焊料凸点
包，或2）基于铅的管芯和引线框架之间使用裸片粘合剂。该组件，否则视为无铅（ RoHS指令
尺寸）的定义同上。
绿色环保（RoHS &无锑/溴） ：
TI定义"Green"意味着无铅（符合RoHS标准） ，无溴（ Br）和锑（Sb ）的火焰
阻燃剂（溴或锑不均质材料重量超过0.1 ％ ）
(3)
MSL ，峰值温度。 - 根据JEDEC行业标准分类的湿度敏感等级评级，并将峰值焊接
温度。
重要信息及免责声明：
本页提供的信息代表了TI的知识和信念，这是日期
提供的。 TI基于其上由第三方提供的信息，知识和信念，不作任何陈述或保证的
这些信息的准确性。正在努力更好地整合来自第三方的信息。 TI已经采取并将继续采取
合理步骤，以提供有代表性的，准确的信息，但可能还没有进行破坏性测试或化学分析
传入的材料和化学品。 TI及其供应商认为某些信息是专有的，因此CAS号码和其他有限
信息可能不提供用于释放。
在任何情况下，所产生的这种信息TI的责任超过了TI的部分（ S）的总购买价格问题由TI出售本文档中
为客户在年度基础上。
SN74CBTLV1G125其它合格版本：
汽车：
SN74CBTLV1G125-Q1
注：合格版本说明：
汽车 - 合格零缺陷的高可靠性汽车电子应用的Q100设备
附录1页
SN74CBTLV1G125
低电压单FET总线开关
SCDS057G - 1998年3月 - 修订2003年10月
D
5 Ω交换机两个端口之间的连接
D
轨到轨开关上的数据I / O端口
D
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
DBV OR DCK包装
（ TOP VIEW ）
描述/订购信息
该SN74CBTLV1G125功能单一
高速行开关。该开关被禁用
当输出使能（OE）输入为高。
OE
A
GND
1
2
3
5
4
V
CC
B
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
功能可确保
当它断电破坏性电流不会通过器件倒流。该器件在具有隔离
切断电源。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
订购信息
TA
-40 ° C至85°C
包装
SOT （ SOT - 23 ） - DBV
SOT （ SC - 70 ） - DCK
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CBTLV1G125DBVR
SN74CBTLV1G125DCKR
TOP- SIDE
标记
V25_
VM-
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南
可在www.ti.com/sc/package 。
实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
功能表
输入
OE
L
H
功能
一个端口= B口
断开
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SN74CBTLV1G125
低电压单FET总线开关
SCDS057G - 1998年3月 - 修订2003年10月
逻辑图（正逻辑）
2
A
OE
1
SW
4
B
简化原理图中，每个FET开关
A
B
（ OE）的
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
输入电压范围，V
I
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至4.6 V
连续通道电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128毫安
输入钳位电流，I
IK
(V
I / O
＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注2 ） ： DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 252 ° C / W
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注意：如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件（见注3 ）
民
VCC
VIH
VIL
电源电压
高层次的控制输入电压
低级别的控制输入电压
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
VCC = 2.3 V至2.7 V
VCC = 2.7 V至3.6 V
2.3
1.7
2
0.7
0.8
V
V
最大
3.6
单位
V
TA
工作自由空气的温度
40
85
°C
注3 ：该设备的所有未使用的控制输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
2
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达拉斯，德克萨斯州75265
SN74CBTLV1G125
低电压单FET总线开关
SCDS057G - 1998年3月 - 修订2003年10月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
II
IOFF
ICC
I
CC
Ci
控制输入
控制输入
VCC = 3 V ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 0 ，
VCC = 3.6 V ，
VCC = 3.6 V ，
VI = 3 V或0
VO = 3 V或0 ，
VCC = 2.3 V ，
典型值在VCC = 2.5 V
ron
VCC = 3 V
测试条件
II = -18毫安
VI = VCC或GND
VI或VO = 0 3.6 V
IO = 0，
VI = VCC或GND
一个输入为3 V ，
在VCC和GND的其他投入
2.5
OE = VCC
VI = 0
VI = 1.7 V ，
VI = 0
II = 64毫安
II = 24毫安
II = 15毫安
II = 64毫安
II = 24毫安
II = 15毫安
7
7
7
15
5
5
10
10
25
7
7
民
TYP
最大
1.2
±1
10
10
300
单位
V
A
A
A
A
pF
pF
首席信息官（关）
VI = 2.4 V ，
10
15
所有典型值是在VCC = 3.3 V （除非另有说明） ， TA = 25 ℃。
这是增加的电源电流为每个输入的情况下在指定的电压电平，而不是VCC或GND 。
测量由A和B端之间在所指示的电流通过该开关上的电压降。通态电阻由下式确定
两个（ A或B）端子的电压的降低。
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （参见图1）
参数
TPD
TEN
TDI发动机
从
（输入）
A或B
OE
OE
TO
（输出）
B或A
A或B
A或B
1
1
VCC = 2.5 V
±
0.2 V
民
最大
0.15
4
5
1
1
VCC = 3.3 V
±
0.3 V
民
最大
0.25
4
4.1
ns
ns
ns
单位
传播延迟是该开关的典型的通态电阻为50 pF的负载电容的计算的RC时间常数，当
由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
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3
SN74CBTLV1G125
低电压单FET总线开关
SCDS057G - 1998年3月 - 修订2003年10月
参数测量信息
2
×
VCC
从输出
被测
CL
（见注一）
RL
VCC
2.5 V
±0.2
V
3.3 V
±0.3
V
CL
30 pF的
50 pF的
RL
500
500
V
0.15 V
0.3 V
RL
S1
开放
GND
TEST
tPLH的/的TPH1
tPLZ / tPZL
tPHZ / tPZH
S1
开放
2
×
VCC
GND
负载电路
VCC
定时输入
tw
VCC
输入
VCC/2
VCC/2
0V
电压波形
脉冲持续时间
VCC
输入
TPLH
产量
的TPH1
VCC/2
VCC/2
VCC/2
VCC/2
0V
的TPH1
VOH
VCC/2
VOL
TPLH
VOH
产量
VCC/2
VOL
电压波形
传播延迟时间
反相和同相产出
产量
波形2
S1在GND
（见注B）
电压波形
建立和保持时间
VCC
VCC/2
tPZL
VCC/2
tpZH
VCC/2
VCC/2
0V
tPLZ
VCC
VOL + V
tPHZ
VOH - V
VOH
≈0
V
VOL
数据输入
VCC/2
0V
TSU
VCC/2
th
VCC
VCC/2
0V
产量
控制
产量
波形1
S1在2
×
VCC
（见注B）
电压波形
启用和禁用时报
低收入和高级别ENABLING
注：A CL包括探针和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。
C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR
≤
10兆赫，Z0 = 50
,
tr
≤
2纳秒， TF
≤
2纳秒。
D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。
大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。
F. tPZL和tPZH是相同的10 。
G. tPLH的和的TPH1相同公吨。
H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。
图1.负载电路和电压波形
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
封装选项附录
www.ti.com
4-Oct-2005
包装信息
订购设备
74CBTLV1G125CRE4
74CBTLV1G125CRG4
74CBTLV1G125DBVRE4
SN74CBTLV1G125DBVR
SN74CBTLV1G125DCKR
(1)
状态
(1)
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
包
TYPE
SC70
SC70
SOT-23
SOT-23
SC70
包
制图
DCK
DCK
的dBV
的dBV
DCK
引脚封装环保计划
(2)
数量
5
5
5
5
5
3000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
3000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
3000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
3000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
3000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
铅/焊球涂层
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
MSL峰值温度
(3)
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
营销状态值的定义如下：
ACTIVE ：
建议用于新设计产品的设备。
LIFEBUY ：
德州仪器日前宣布，该设备将停止，并且终身购买期间生效。
NRND ：
不建议用于新设计。设备是生产以支持现有客户，但TI不推荐使用这部分
新的设计。
预览：
设备已宣告但尚未投入生产。样品可以是或可以不是可用的。
已过时：
TI已经停止生产该设备的。
(2)
环保计划 - 该计划的环保分级：无铅（ RoHS指令）或绿色环保（RoHS &无Sb / Br） - 请检查
http://www.ti.com/productcontent
获得最新供货信息和附加产品目录明细。
TBD ：
无铅/绿色转换计划尚未确定。
无铅（ RoHS指令） ：
TI的条款"Lead - Free"或"Pb - Free"意味着与当前RoHS要求的半导体产品
对于所有6种物质，其中包括铅的重量不超过均质材料0.1 ％的要求。其中，设计成被焊接
在高温下， TI无铅产品适用于特定的无铅工艺。
绿色环保（RoHS &无锑/溴） ：
TI定义"Green"意味着无铅（符合RoHS标准） ，无溴（ Br）和锑（Sb ）的火焰
阻燃剂（溴或锑不均质材料重量超过0.1 ％ ）
(3)
MSL ，峰值温度。 - 根据JEDEC行业标准分类的湿度敏感等级评级，并将峰值焊接
温度。
重要信息及免责声明：
本页提供的信息代表了TI的知识和信念，这是日期
提供的。 TI基于其上由第三方提供的信息，知识和信念，不作任何陈述或保证的
这些信息的准确性。正在努力更好地整合来自第三方的信息。 TI已经采取并将继续采取
合理步骤，以提供有代表性的，准确的信息，但可能还没有进行破坏性测试或化学分析
传入的材料和化学品。 TI及其供应商认为某些信息是专有的，因此CAS号码和其他有限
信息可能不提供用于释放。
在任何情况下，所产生的这种信息TI的责任超过了TI的部分（ S）的总购买价格问题由TI出售本文档中
为客户在年度基础上。
附录1页
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