飞利浦半导体
产品speci fi cation
倒置20位驱动程序注册的寄存器使能
15
终端电阻(三态)
74AVCM162836
特点
1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
符合JEDEC标准没有。 8-1A / 5/7 。
CMOS低功耗
输入/输出宽容高达3.6 V
低电感多个V
CC
和GND引脚的最小噪声
和地反弹
引脚配置
OE
Y
0
Y
1
GND
Y
2
Y
3
V
CC
Y
4
Y
5
Y
6
GND
Y
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
CP
A
0
A
1
GND
A
2
A
3
V
CC
A
4
A
5
A
6
GND
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
GND
A
13
A
14
A
15
V
CC
A
16
A
17
GND
A
18
A
19
LE
综合15
终端电阻,以减少输出过冲
和冲
与PCK2510S和使用时提供完整的解决方案PC133
CBT16292
描述
该74AVCM162836是一个20位通用总线驱动器。数据流是
通过控制输出使能( OE ) ,锁存使能( LE )和时钟输入
(CP) 。
本产品设计有一个非常快速的传播
延迟和功率消耗的最小量。
为了确保上电或断电高阻抗状态
下来, OE应当连接到V
CC
通过上拉电阻(直播
插入) 。
Y
8
Y
9
Y
10
Y
11
Y
12
GND
Y
13
Y
14
Y
15
V
CC
Y
16
Y
17
GND
Y
18
Y
19
NC
SH00159
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
2.0纳秒;
L
= 30 pF的。
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟
一到Yn
传播延迟
LE到Yn ;
CP到Yn
输入电容
每个缓冲区的功率耗散电容
V
I
= GND到V
CC1
输出启用
输出禁用
V
CC
= 1.8 V
V
CC
= 2.5 V
V
CC
= 3.3 V
V
CC
= 1.8 V
V
CC
= 2.5 V
V
CC
= 3.3 V
条件
典型
2.6
2.0
1.7
3.0
2.4
2.0
5.0
25
6
单位
ns
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
ns
pF
pF
注意事项:
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
S
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:f
i
=以MHz输入频率;
L
=以pF输出负载电容;
f
o
=以MHz输出频率; V
CC
在V =电源电压;
S
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
) =产出的总和。
订购信息
套餐
56引脚塑封薄型小外形封装( TSSOP ) II型
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
订货编号
74AVCM162836DGG
制图
数
SOT364-1
2001年4月20日
2
853-2175 26096
飞利浦半导体
产品speci fi cation
倒置20位驱动程序注册的寄存器使能
15
终端电阻(三态)
74AVCM162836
引脚说明
引脚数
28
2, 3, 5, 6, 8, 9, 10, 12,
13, 14, 15, 16, 17, 19,
20, 21, 23, 24, 26, 27
4, 11, 18, 25, 32, 35, 39,
46, 53
7, 22, 35, 50
1
29
56
55, 54, 52, 51, 49, 48,
47, 45, 44, 43, 42, 41,
40, 38, 37, 36, 34, 33,
31, 30
符号
NC
Y
0
为Y
19
名称和功能
无连接
数据输出
逻辑符号( IEEE / IEC )
OE
CP
LE
1
56
29
C3
G2
EN1
2C3
GND
V
CC
OE
LE
CP
地( 0V )
正电源电压
输出使能输入
(低电平有效)
锁存使能输入
(低电平有效)
时钟输入
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
8
2
3
5
6
8
9
10
12
13
14
15
16
17
19
20
21
23
24
26
27
1
1
3D
55
54
52
51
49
48
47
45
44
43
42
41
40
38
37
36
34
33
31
30
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
A
0
到A
19
数据输入
Y
9
Y
10
Y
11
Y
12
Y
13
Y
14
Y
15
逻辑符号
OE
Y
16
Y
17
CP
Y
18
Y
19
LE
A
0
SH00160
D
LE
CP
Y
0
功能表
输入
OE
H
L
L
L
L
L
L
H
L
X
Z
↑
=
=
=
=
=
LE
X
L
L
H
H
H
H
CP
X
X
X
↑
↑
H
L
A
X
L
H
L
H
X
X
输出
Z
L
H
L
H
Y
01
Y
02
这19其他渠道
SH00163
高电压电平
低电压电平
不在乎
高阻抗“关闭”状态
低到高的能级跃迁
注意事项:
前表示稳态输入条件1.输出电平
建立,前提是CP高乐才变低。
前表示稳态输入条件2.输出电平
建立了。
2001年4月20日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
倒置20位驱动程序注册的寄存器使能
15
终端电阻(三态)
74AVCM162836
168针SDR SDRAM DIMM
SDRAM
SDRAM
SDRAM
SDRAM
SDRAM
SDRAM
SDRAM
SDRAM
SDRAM
背面
SDRAM
SDRAM
SDRAM
SDRAM
SDRAM
SDRAM
SDRAM
SDRAM
正面
74AVCM162836
74AVCM162836
74AVCM162836
PCK2509S或PCK2510S
PLL时钟分配器件和AVCM注册司机减少对内存信号负载
控制器和防止延误时间和波形失真,会导致不可靠的操作
推荐工作条件
符号
参数
直流电源电压
(根据JEDEC低电压标准)
直流电源电压
(对于低电压应用)
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
直流输入电压范围
DC输出电压范围;输出三态
DC输出电压范围;
输出高电平或者低电平状态
工作自由空气的温度范围内
输入上升和下降时间
V
CC
= 1.65 2.3 V
V
CC
= 2.3至3.0V
V
CC
= 3.0 3.6 V
条件
民
1.65
2.3
3.0
1.2
0
0
0
–40
0
0
0
最大
1.95
2.7
3.6
3.6
3.6
3.6
V
CC
+85
30
20
10
V
°C
NS / V
V
单位
V
CC
SDRAM
SW00423
V
绝对最大额定值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。电压参考GND(地= 0 V)的
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
V
O
I
O
I
GND
, I
CC
T
英镑
P
合计
参数
直流电源电压
DC输入二极管电流
直流输入电压
DC输出二极管电流
直流输出电压;输出三态
直流输出电压;
输出高电平或者低电平状态
DC输出源或灌电流
DC V
CC
或GND电流
存储温度范围
每个封装功耗
- 塑料薄膜中收缩( TSSOP )
适用温度范围: -40 + 125
°C
上述55
°C
8毫瓦/ K线性降额
V
I
t0
所有
注1
注1
V
O
= 0至V
CC
输入
1
V
O
uV
CC
或V
O
t
0
条件
等级
-0.5到+4.6
–50
-0.5到4.6
"50
-0.5到4.6
-0.5到V
CC
+0.5
"50
"100
-65到+150
600
单位
V
mA
V
mA
V
V
mA
mA
°C
mW
注意:
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2001年4月20日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
倒置20位驱动程序注册的寄存器使能
15
终端电阻(三态)
74AVCM162836
DC电气特性
在推荐的工作条件。电压都参考GND(地= 0V)。
范围
符号
参数
V
CC
= 1.2 V
V
IH
高电平输入电压
V
CC
= 1.65 1.95 V
V
CC
= 2.3 2.7 V
V
CC
= 3.0 3.6 V
V
CC
= 1.2 V
V
IL
低电平输入电压
V
CC
= 1.65 1.95 V
V
CC
= 2.3 2.7 V
V
CC
= 3.0 3.6 V
V
CC
= 1.65 3.6 V ; V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= –100
A
V
OH
高电平输出电压
g
V
CC
= 1.65 V; V
I
= V
IH
或V
IL
; I
O
= -4毫安
V
CC
= 2.3 V; V
I
= V
IH
或V
IL
; I
O
= -8毫安
V
CC
= 3.0 V; V
I
= V
IH
或V
IL
; I
O
= -12毫安
V
CC
= 1.65 3.6 V ; V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 100
A
V
OL
低电平输出电压
g
V
CC
= 1.65 V; V
I
= V
IH
或V
IL
; I
O
= 4毫安
V
CC
= 2.3 V; V
I
= V
IH
或V
IL
; I
O
= 8毫安
V
CC
= 3.0 V; V
I
= V
IH
或V
IL
; I
O
= 12毫安
I
I
I
关闭
I
IHZ
/I
ILZ
输入漏电流
在UT
三态输出断态电流
三态输出断态电流
V
CC
= 1.65 3.6 V ;
1 65 3 6
V
I
= V
CC
或GND
V
CC
= 0 V; V
I
或V
O
= 3.6 V
V
CC
= 1.65 3.6 V ; V
I
= V
CC
或GND
V
CC
= 1.65 2.7 V ; V
I
= V
IH
或V
IL
;
V
O
= V
CC
或GND
V
CC
= 3.0 3.6 V ; V
I
= V
IH
或V
IL
;
V
O
= V
CC
或GND
V
CC
= 1.65 2.7 V ; V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0
V
CC
= 3.0 3.6 V ; V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0
测试条件
温度= -40 ° C至+ 85°C
民
V
CC
0.65V
CC
1.7
2.0
–
–
–
–
V
CC
*0.20
0 20
V
CC*
0.45
V
CC*
0.55
V
CC*
0.70
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值
1
–
0.9
1.2
1.5
–
0.9
1.2
1.5
V
CC
V
CC*
0.10
V
CC*
0.28
V
CC*
0.32
GND
0.10
0.26
0.36
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.2
最大
–
–
–
–
GND
0.35V
CC
0.7
0.8
–
–
–
–
0.20
0 20
0.45
0.55
0.70
2.5
"10
12.5
5
A
10
20
40
A
A
A
A
V
V
V
V
单位
I
O
OZ
3-State
3态输出OFF状态电流
关闭状态
I
CC
静态电源电流
注意:
1.所有典型值是在T
AMB
= 25
°C.
2001年4月20日
5