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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符7型号页 > 首字符7的型号第169页 > 74AUP1G885DC
74AUP1G885
低功耗双门功能
启示录01.00 - 2006年1月26日
初步数据表
1.概述
该74AUP1G885是一个高性能，低功耗，低电压，硅栅CMOS器件，
优于最先进的CMOS兼容TTL家庭。
在所有输入施密特触发器动作使电路容忍较慢的输入兴衰
在整个V倍
CC
范围从0.8 V至3.6 V.
此装置确保了整个非常低的静态和动态功耗
V
CC
范围从0.8 V至3.6 V.
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
.
在我
关闭
电路禁止输出，防止损坏背溢流电流通过
设备时，它被断电。
该74AUP1G885提供了两个函数在输出中的一个device.The输出状态
（ 1Y， 2Y ）是由输入端（ A，B和C）的测定。输出1Y提供了布尔
funtion ： 1Y = A
×
C.输出2Y提供布尔funtion ： 2Y = A
×
B + A
×
C
2.特点
s
宽电源电压范围为0.8 V至3.6 V
s
高噪声抗扰度
s
符合JEDEC标准：
x
JESD8-12 （ 0.8 V至1.3 V）
x
JESD8-11 （ 0.9 V至1.65 V ）
x
JESD8-7 （ 1.2 V至1.95 V）
x
JESD8-5 （ 1.8 V至2.7 V ）
x
JESD8 -B （ 2.7 V至3.6 V ）
s
ESD保护：
x
HBM JESD22 - A114 -C 3A级超过4000 V
x
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
x
CDM JESD22 - C101 - C超过1000 V
s
低静态功耗;我
CC
= 0.9
A
（最大）
s
闭锁性能超过每II JESD 78级100毫安
s
输入接收电压高达3.6 V
s
噪音低过冲和下冲的V < 10 ％
CC
s
I
关闭
电路部分提供了掉电模式运行
s
多种封装选择
s
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
飞利浦半导体
74AUP1G885
低功耗双门功能
3.快速参考数据
表1：
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°
℃;吨
r
= t
f
≤
3纳秒。
符号
参数
条件
C
L
= 5 pF的;
L
= 1 M;
V
CC
= 0.8 V
C
L
= 5 pF的;
L
= 1 M;
V
CC
= 1.1 V至1.3 V
C
L
= 5 pF的;
L
= 1 M;
V
CC
= 1.4 V至1.6 V
C
L
= 5 pF的;
L
= 1 M;
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
C
L
= 5 pF的;
L
= 1 M;
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
C
L
= 5 pF的;
L
= 1 M;
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
t
PHL
, t
PLH
HIGH到LOW和
低到高
传播延迟
A，B为2Y
C
L
= 5 pF的;
L
= 1 M;
V
CC
= 0.8 V
C
L
= 5 pF的;
L
= 1 M;
V
CC
= 1.1 V至1.3 V
C
L
= 5 pF的;
L
= 1 M;
V
CC
= 1.4 V至1.6 V
C
L
= 5 pF的;
L
= 1 M;
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
C
L
= 5 pF的;
L
= 1 M;
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
C
L
= 5 pF的;
L
= 1 M;
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
C
I
C
PD
输入电容
功耗
电容
V
CC
= 1.8 V ; F = 1 MHz的
V
CC
= 3.3 V ; F = 1 MHz的
[1] [2]
[1] [2]
民
-
1.1
1.2
1.1
1.1
1.1
-
1.7
1.7
1.4
1.2
1.1
-
-
-
典型值
17.3
5.2
3.7
3.0
2.4
2.1
21.5
6.0
4.2
3.3
2.6
2.3
0.8
3.1
4.1
最大
-
9.7
5.9
4.8
3.6
3.1
-
12.7
7.2
5.8
4.1
3.5
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
t
PHL
, t
PLH
HIGH到LOW和
低到高
传播延迟
A， C至1Y
[1]
C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在V =电源电压;
N =输入切换次数;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
[2]
的条件为V
I
= GND到V
CC
.
74AUP1G885_1
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初步数据表
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飞利浦半导体
74AUP1G885
低功耗双门功能
4.订购信息
表2：
订购信息
包
温度范围名称
74AUP1G885DC
74AUP1G885GT
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
VSSOP8
XSON8
描述
VERSION
塑料非常薄小外形封装; 8线索; SOT765-1
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT833-1
8终端;体1
×
1.95
×
0.5 mm
类型编号
5.打标
表3：
记号
标识代码
pS8
pS8
类型编号
74AUP1G885DC
74AUP1G885GT
6.功能图
1
3
B
2
A
2Y
C
6
7
1Y
001aae353
图1.逻辑图
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飞利浦半导体
74AUP1G885
低功耗双门功能
7.管脚信息
7.1钢钉
74AUP1G885
A
1
8
V
CC
B
2
7
1Y
74AUP1G885
2Y
A
B
2Y
GND
1
2
3
4
001aae354
3
6
C
8
7
6
5
V
CC
1Y
C
北卡罗来纳州
GND
4
5
北卡罗来纳州
001aae355
透明的顶视图
图2.引脚CON组fi guration SOT765-1
(VSSOP8)
图3.引脚CON组fi guration SOT833-1
(XSON8)
7.2引脚说明
表4：
符号
A
B
2Y
GND
北卡罗来纳州
C
1Y
V
CC
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
描述
数据输入A
数据输入B
数据输出2Y
接地（ 0 V ）
没有连接
数据输入的C
数据输出1Y
电源电压
74AUP1G885_1
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飞利浦半导体
74AUP1G885
低功耗双门功能
8.功能描述
8.1功能表
表5：
输入
A
L
H
L
H
L
H
L
H
[1]
功能表
[1]
产量
B
L
L
H
H
L
L
H
H
C
L
L
L
L
H
H
H
H
1Y
L
L
L
L
L
H
L
H
2Y
L
H
H
H
L
L
H
L
H =高电压电平;
L =低电压电平。
9.极限值
表6：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考
GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位
当前
输入电压
输出钳位
当前
输出电压
输出电流
静态电源
当前
地电流
储存温度
总功率
耗散
条件
V
I
＆ LT ; 0 V
[1]
民
0.5
-
0.5
-
[1]
[1]
最大
+4.6
50
+4.6
50
单位
V
mA
V
mA
V
O
＆ LT ; 0 V
主动模式
掉电模式
V
O
= 0 V到V
CC
0.5
0.5
-
-
-
65
V
CC
+ 0.5 V
+4.6
±20
+50
50
+150
300
V
mA
mA
mA
°C
mW
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
最小输入电压和输出电压额定值，可能会超过如果输入和输出电流额定值
观察到。
对于VSSOP8包： 110以上
°C
P的值
合计
减额线性8.0毫瓦/ K 。
对于XSON8包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
74AUP1G885_1
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74AUP1G885
低功耗双门功能
牧师05 - 2009年6月26日
产品数据表
1.概述
该74AUP1G885提供在一个装置中的两个函数。输出的输出状态
（ 1Y， 2Y ）是由输入端（ A，B和C）的测定。输出1Y提供了布尔
功能： 1Y = A
×
C.输出2Y提供了布尔函数： 2Y = A
×
B + A
×
C.
在所有输入施密特触发器动作使电路容忍较慢的输入兴衰
在整个V倍
CC
范围从0.8 V至3.6 V.
此装置确保了整个非常低的静态和动态功耗
V
CC
范围从0.8 V至3.6 V.
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，防止损坏背溢流电流通过设备
当它被断电。
2.特点
I
宽电源电压范围为0.8 V至3.6 V
I
高噪声抗扰度
I
符合JEDEC标准：
N
JESD8-12 （ 0.8 V至1.3 V）
N
JESD8-11 （ 0.9 V至1.65 V ）
N
JESD8-7 （ 1.2 V至1.95 V）
N
JESD8-5 （ 1.8 V至2.7 V ）
N
JESD8 -B （ 2.7 V至3.6 V ）
I
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E 3A级超过5000 V
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
N
CDM JESD22- C101C超过1000 V
I
低静态功耗;我
CC
= 0.9
A
（最大）
I
闭锁性能超过每JESD78二级100毫安
I
输入接收电压高达3.6 V
I
噪音低过冲和下冲的V < 10 ％
CC
I
I
关闭
电路部分提供了掉电模式运行
I
多种封装选择
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
74AUP1G885
低功耗双门功能
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74AUP1G885DC
74AUP1G885GT
74AUP1G885GD
74AUP1G885GM
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
VSSOP8
XSON8
XSON8U
XQFN8U
描述
VERSION
塑料非常薄小外形封装; 8线索; SOT765-1
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT833-1
8终端;体1
×
1.95
×
0.5 mm
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT996-2
8终端; UTLP基础;体3
×
2
×
0.5 mm
塑料极薄四在佛罗里达州包;没有线索;
8终端; UTLP基础;机身1.6
×
1.6
×
0.5 mm
SOT902-1
类型编号
4.标记
表2中。
标记代码
标识代码
[1]
pS8
pS8
pS8
pS8
类型编号
74AUP1G885DC
74AUP1G885GT
74AUP1G885GD
74AUP1G885GM
[1]
销1指示符位于该装置的左下角，下面的标记代码。
5.功能图
A
2Y
B
C
1Y
001aah898
图1 。
逻辑图
74AUP1G885_5
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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恩智浦半导体
74AUP1G885
低功耗双门功能
6.管脚信息
6.1钢钉
74AUP1G885
A
1
8
V
CC
B
2
7
1Y
74AUP1G885
2Y
A
B
2Y
GND
1
2
3
4
001aae354
3
6
C
8
7
6
5
V
CC
1Y
C
北卡罗来纳州
GND
4
5
北卡罗来纳州
001aae355
透明的顶视图
图2 。
引脚CON组fi guration SOT765-1 （ VSSOP8 ）
图3 。
引脚CON组fi guration SOT833-1 （ XSON8 ）
74AUP1G885
1号航站楼
索引区
1Y
1
V
CC
8
74AUP1G885
A
B
2Y
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
7
A
C
1Y
C
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
2
6
B
3
4
5
2Y
GND
001aaf630
001aaj897
透明的顶视图
透明的顶视图
图4 。
引脚CON组fi guration SOT996-2 （ XSON8U ）
图5 。
引脚CON组fi guration SOT902-1 （ XQFN8U ）
6.2引脚说明
表3中。
符号
A， B，C
GND
北卡罗来纳州
1Y, 2Y
V
CC
引脚说明
针
SOT765-1 ， SOT833-1和SOT996-2
1, 2, 6
4
5
7, 3
8
SOT902-1
7, 6, 2
4
3
1, 5
8
数据输入
接地（ 0 V ）
没有连接
数据输出
电源电压
描述
74AUP1G885_5
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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3 19
恩智浦半导体
74AUP1G885
低功耗双门功能
7.功能描述
表4 。
输入
A
L
H
L
H
L
H
L
H
[1]
功能表
[1]
产量
B
L
L
H
H
L
L
H
H
C
L
L
L
L
H
H
H
H
1Y
L
L
L
L
L
H
L
H
2Y
L
H
H
H
L
L
H
L
H =高电压电平;
L =低电压电平。
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
V
I
＆ LT ; 0 V
[1]
民
0.5
50
0.5
50
[1]
最大
+4.6
-
+4.6
-
+4.6
±20
50
-
+150
250
单位
V
mA
V
mA
V
mA
mA
mA
°C
mW
V
O
＆ LT ; 0 V
主动模式和掉电模式
V
O
= 0 V到V
CC
0.5
-
-
50
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的最小的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于VSSOP8包： 110以上
°C
P的值
合计
减额线性8.0毫瓦/ K 。
对于XSON8 ， XSON8U和XQFN8U套餐： 118以上
°C
P的值
合计
减额线性7.8毫瓦/ K 。
74AUP1G885_5
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2009年6月26日
4 19
恩智浦半导体
74AUP1G885
低功耗双门功能
9.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入转换兴衰
率
V
CC
= 0.8 V至3.6 V
主动模式
掉电模式; V
CC
= 0 V
条件
民
0.8
0
0
0
40
-
最大
3.6
3.6
V
CC
3.6
+125
200
单位
V
V
V
V
°C
NS / V
10.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
T
AMB
= 25
°C
V
IH
高电平输入电压
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 0.9 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
IL
低电平输入电压
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 0.9 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
OH
高电平输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
20 A;
V
CC
= 0.8 V至3.6 V
I
O
=
1.1
毫安; V
CC
= 1.1 V
I
O
=
1.7
毫安; V
CC
= 1.4 V
I
O
=
1.9
毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
=
2.3
毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
=
3.1
毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
=
2.7
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
4.0
毫安; V
CC
= 3.0 V
V
CC
0.1
1.11
1.32
2.05
1.9
2.72
2.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
0.75
×
V
CC
-
0.70
×
V
CC
-
0.65
×
V
CC
-
1.6
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
0.30
×
V
CC
V
0.35
×
V
CC
V
0.7
0.9
V
V
74AUP1G885_5
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2009年6月26日
5 19
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推荐型号
7004C-01-TF-35
7090-05-YB-P1-R1
70555-0011
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