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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符7型号页 > 首字符7的型号第393页 > 74AUP1G04
74AUP1G04
低功耗,单非门
特点
高速:吨
PD
= 4.3纳秒( MAX 。 )在V
CC
= 2.3 V
掉电保护的输入和输出
平衡传输延迟:
t
PLH
t
PHL
工作电压范围:
V
CC
( OPR )= 1.2 3.6 V
低功耗:
I
CC
= 1 A (最大)在T
A
= 85 °C
闭锁性能超过300毫安( JESD
78 , II类)
ESD性能:
- 2000 -V人体模型( A114 -A )
- 200 -V机型号( A115 -A )
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
SOT-665
DFN6L
应用
手机
个人数字助理(PDA )
描述
该74AUP1G04是一个低电压CMOS单
反相门制造具有亚微米硅
门和双层金属布线
2
MOS
技术。它是理想的1.2 3.6 V操作
低功耗和低噪声的应用。
所有输入和输出都配备有
防止静电放电保护电路,使
他们2KV ESD免疫能力和瞬态过剩
电压。
表1中。
设备简介
订货编号
74AUPG04DTR
74AUPG04GTR
DFN6L (1.2× 1毫米)
SOT- 665 (1.6× 1.6mm)的
填料
磁带和卷轴
磁带和卷轴
2008年3月
REV 1
1/18
www.st.com
18
PIN设置
74AUP1G04
1
1.1
PIN设置
引脚连接
图1 。
引脚连接(通过顶部视图)
NC
A
GND
1
2
3
6
5
4
VCC
NC
B
NC
A
GND
1
2
3
5
VCC
4
B
DFN6L
SOT-665
CS00092
1.2
引脚说明
表2中。
引脚DFN
1
2
3
4
5
6
引脚分配
引脚SOT
1
2
3
4
-
5
符号
NC
A
GND
B
NC
V
CC
没有连接
数据输入
地( 0V )
数据输出
没有连接
正电源电压
名称和功能
2/18
74AUP1G04
PIN设置
1.3
真值表
图2中。
真值表
A
B
表3中。
真值表
A
L
H
B
H
L
网络连接gure 3 。
输入和输出等效电路
V
CC
过压
控制
输入
产量
ESD
保护
ESD
保护
GND
GND
GND
GND
GND
CS08974
3/18
最大额定值
74AUP1G04
2
最大额定值
强调以上等级的设备中的“绝对最大额定值”表中列出的可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值的唯一经营
器件在这些或以上的任何其他条件的经营部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体SURE
计划和其他有关质量文件。
表4 。
符号
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
P
D
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压(V
CC
= 0 V)
直流输出电压(高或低状态)
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
每个电源引脚DC电源电流
每个电源引脚DC接地电流
功耗
储存温度
焊接温度( 10秒)
绝对最大额定值
参数
价值
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
-0.5到V
CC
+ 0.5
-20
-50
±50
±100
±100
200
-65到+150
260
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
2.1
推荐工作条件
表5 。
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
V
CC
= 3.0 3.6 V
DT / DV
输入上升和下降时间
V
CC
= 2.3 2.7 V
V
CC
= 1.2 1.95 V
推荐工作条件
参数
价值
1.2 3.6
0到V
CC
0到V
CC
-40到85
10
20
100
单位
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
NS / V
4/18
74AUP1G04
电气特性
3
表6 。
电气特性
DC特定网络阳离子
价值
价值
-40到85°C
最大
0.65 V
CC
1.6
2.0
0.35 V
CC
0.7
0.8
I
OH
= -100 A
I
OH
= -10毫安
I
OH
= -6毫安
I
OH
= -4毫安
I
OH
= -2毫安
I
OH
= -1毫安
I
O
= 100 A
I
O
= 10毫安
I
O
= 6毫安
I
O
= 4毫安
I
O
= 2毫安
I
O
= 1毫安
V
I
= GND 3.6
V
I
或V
O
= 0到
3.6 V
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
- 0.6V,
I
O
= 0
V
CC –
0.2
2.45
1.85
1.30
1.10
1.00
0.15
0.50
0.35
0.35
0.25
0.20
±0.1
±0.1
0.1
80
V
CC –
0.2
2.4
1.8
1.25
1.05
0.95
0.20
0.55
0.40
V
0.40
0.30
0.25
±0.5
±1.0
1
100
A
A
A
A
V
0.35V
CC
0.7
0.8
V
V
最大
单位
V
CC
(V)
符号
参数
测试条件
25 °C
1.2 1.95
V
IH
输入高电平
电压
2.0 2.7
2.75 3.6
1.2 1.95
V
IL
低电平输入
电压
2.0 2.7
2.75 3.6
1.2 3.6
3.0
V
OH
高层
输出电压
2.3
1.65
1.4
1.2
1.2 3.6
3.0
V
OL
低层
输出电压
2.3
1.65
1.4
1.2
I
I
I
关闭
I
CC
输入漏
当前
电源关闭
漏电流
电源电流
I
CC
增量
每个输入
0至3.6
0
1.2 3.6
3.3
0.65 V
CC
1.6
2.0
Δ
I
CC
5/18
74AUP1G04
低功率逆变器
牧师03 - 2009年11月5日
产品数据表
1.概述
该74AUP1G04提供了一个反相缓冲器。
在所有输入施密特触发器动作使电路容忍较慢的输入兴衰
在整个V倍
CC
范围从0.8 V至3.6 V.
此装置确保了整个非常低的静态和动态功耗
V
CC
范围从0.8 V至3.6 V.
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
.
在我
关闭
电路禁止输出,防止损坏背溢流电流通过
设备时,它被断电。
2.特点
I
宽电源电压范围为0.8 V至3.6 V
I
高噪声抗扰度
I
符合JEDEC标准:
N
JESD8-12 ( 0.8 V至1.3 V)
N
JESD8-11 ( 0.9 V至1.65 V )
N
JESD8-7 ( 1.2 V至1.95 V)
N
JESD8-5 ( 1.8 V至2.7 V )
N
JESD8 -B ( 2.7 V至3.6 V )
I
ESD保护:
N
HBM JESD22- A114F 3A级超过5000 V
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
N
CDM JESD22- C101C超过1000 V
I
低静态功耗;我
CC
= 0.9
A
(最大)
I
闭锁性能超过每JESD 78B II类100毫安
I
输入接收电压高达3.6 V
I
噪音低过冲和下冲的V < 10 %
CC
I
I
关闭
电路部分提供了掉电模式运行
I
多种封装选择
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
74AUP1G04
低功率逆变器
3.订购信息
表1中。
订购信息
温度范围名称
74AUP1G04GV
74AUP1G04GW
74AUP1G04GM
74AUP1G04GF
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
SC-74A
TSSOP5
XSON6
XSON6
描述
塑料表面贴装封装; 5线索
塑料薄小外形封装; 5线索;
体宽1.25毫米
VERSION
SOT753
SOT353-1
类型编号
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT886
6终端;体1
×
1.45
×
0.5 mm
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT891
6终端;体1
×
1
×
0.5 mm
4.标记
表2中。
记号
标识代码
[1]
p04
pC
pC
pC
类型编号
74AUP1G04GV
74AUP1G04GW
74AUP1G04GM
74AUP1G04GF
[1]
销1指示符位于该装置的左下角,下面的标记代码。
5.功能图
2
A
Y
4
2
1
4
A
Y
mna110
mna108
mna109
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
图3.逻辑图
74AUP1G04_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年11月5日
2 18
恩智浦半导体
74AUP1G04
低功率逆变器
6.管脚信息
6.1钢钉
74AUP1G04
74AUP1G04
北卡罗来纳州
A
1
2
GND
GND
3
001aaf022
北卡罗来纳州
5
V
CC
1
6
V
CC
北卡罗来纳州
A
74AUP1G04
1
2
3
6
5
4
V
CC
北卡罗来纳州
Y
A
2
5
北卡罗来纳州
3
4
Y
GND
4
Y
001aaf023
001aaf024
透明的顶视图
透明的顶视图
图4.引脚CON组fi guration SOT353-1
和SOT753
图5.引脚CON组fi guration SOT886
图6 。
引脚CON组fi guration SOT891
6.2引脚说明
表3中。
符号
北卡罗来纳州
A
GND
Y
北卡罗来纳州
V
CC
引脚说明
SOT353-1 / SOT753 SOT886 / SOT891
1
2
3
4
-
5
1
2
3
4
5
6
没有连接
数据输入A
接地( 0 V )
数据输出Y.
没有连接
电源电压
描述
7.功能描述
表4 。
输入
A
L
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平。
功能表
[1]
产量
Y
H
L
74AUP1G04_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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3 18
恩智浦半导体
74AUP1G04
低功率逆变器
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
V
I
& LT ; 0 V
[1]
0.5
50
0.5
50
[1]
[1]
最大
+4.6
-
+4.6
-
V
CC
+ 0.5
+4.6
±20
+50
-
+150
250
单位
V
mA
V
mA
V
V
mA
mA
mA
°C
mW
V
O
& LT ; 0 V
主动模式
掉电模式
V
O
= 0 V到V
CC
0.5
0.5
-
-
50
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的最小的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于TSSOP5和SC - 74A封装: 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
对于XSON6包: 118以上
°C
P的值
合计
减额线性7.8毫瓦/ K 。
74AUP1G04_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
74AUP1G04
低功率逆变器
9.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 0.8 V至3.6 V
主动模式
掉电模式; V
CC
= 0 V
条件
0.8
0
0
0
40
0
最大
3.6
3.6
V
CC
3.6
+125
200
单位
V
V
V
V
°C
NS / V
10.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
T
AMB
= 25
°C
V
IH
高邦的输入电压
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 0.9 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
IL
低电平输入电压
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 0.9 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
OH
高态输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
20 A;
V
CC
= 0.8 V至3.6 V
I
O
=
1.1
毫安; V
CC
= 1.1 V
I
O
=
1.7
毫安; V
CC
= 1.4 V
I
O
=
1.9
毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
=
2.3
毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
=
3.1
毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
=
2.7
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
4.0
毫安; V
CC
= 3.0 V
V
OL
低态输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 20
A;
V
CC
= 0.8 V至3.6 V
I
O
= 1.1毫安; V
CC
= 1.1 V
I
O
= 1.7毫安; V
CC
= 1.4 V
I
O
= 1.9毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
= 2.3毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
= 3.1毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
= 2.7毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 4.0毫安; V
CC
= 3.0 V
74AUP1G04_3
条件
典型值
最大
-
-
-
-
单位
V
V
V
V
0.70
×
V
CC
-
0.65
×
V
CC
-
1.6
2.0
-
-
-
-
V
CC
0.1
1.11
1.32
2.05
1.9
2.72
2.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.30
×
V
CC
V
0.35
×
V
CC
V
0.7
0.9
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.3
×
V
CC
0.31
0.31
0.31
0.44
0.31
0.44
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
0.75
×
V
CC
-
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年11月5日
5 18
74AUP1G04
低功率逆变器
牧师02 - 2006年6月28日
产品数据表
1.概述
该74AUP1G04是一个高性能,低功耗,低电压,硅栅CMOS器件,
优于最先进的CMOS兼容TTL家庭。
在所有输入施密特触发器动作使电路容忍较慢的输入兴衰
在整个V倍
CC
范围从0.8 V至3.6 V.
此装置确保了整个非常低的静态和动态功耗
V
CC
范围从0.8 V至3.6 V.
该器件是完全特定网络版使用我的部分断电应用
关闭
.
在我
关闭
电路禁止输出,防止损坏背溢流电流通过
设备时,它被断电。
该74AUP1G04提供了一个反相缓冲器。
2.特点
s
宽电源电压范围为0.8 V至3.6 V
s
高噪声抗扰度
s
符合JEDEC标准:
x
JESD8-12 ( 0.8 V至1.3 V)
x
JESD8-11 ( 0.9 V至1.65 V )
x
JESD8-7 ( 1.2 V至1.95 V)
x
JESD8-5 ( 1.8 V至2.7 V )
x
JESD8 -B ( 2.7 V至3.6 V )
s
ESD保护:
x
HBM JESD22 - A114 -C 3A级。超过5000 V
x
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
x
CDM JESD22 - C101 - C超过1000 V
s
低静态功耗;我
CC
= 0.9
A
(最大)
s
闭锁性能超过每II JESD 78级100毫安
s
输入接收电压高达3.6 V
s
噪音低过冲和下冲的V < 10 %
CC
s
I
关闭
电路部分提供了掉电模式运行
s
多种封装选择
s
从特定网络版
40 °C
+85
°C
40 °C
+125
°C
飞利浦半导体
74AUP1G04
低功率逆变器
3.订购信息
表1中。
订购信息
温度范围名称
74AUP1G04GW
74AUP1G04GM
74AUP1G04GF
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
TSSOP5
XSON6
XSON6
描述
塑料薄小外形封装; 5线索;
体宽1.25毫米
VERSION
SOT353-1
类型编号
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT886
6终端;体1
×
1.45
×
0.5 mm
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT891
6终端;体1
×
1
×
0.5 mm
4.标记
表2中。
记号
标识代码
pC
pC
pC
类型编号
74AUP1G04GW
74AUP1G04GM
74AUP1G04GF
5.功能图
2
A
Y
4
2
1
4
A
Y
mna110
mna108
mna109
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
图3.逻辑图
6.管脚信息
6.1钢钉
74AUP1G04
74AUP1G04
北卡罗来纳州
A
1
2
GND
GND
3
001aaf022
北卡罗来纳州
5
V
CC
1
6
V
CC
北卡罗来纳州
A
74AUP1G04
1
2
3
6
5
4
V
CC
北卡罗来纳州
Y
A
2
5
北卡罗来纳州
3
4
Y
GND
4
Y
001aaf023
001aaf024
透明的顶视图
透明的顶视图
图4.引脚CON组fi guration SOT353-1
(TSSOP5)
74AUP1G04_2
图5.引脚CON组fi guration SOT886
(XSON6)
图6.引脚CON组fi guration SOT891
(XSON6)
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产品数据表
牧师02 - 2006年6月28日
2 16
飞利浦半导体
74AUP1G04
低功率逆变器
6.2引脚说明
表3中。
符号
北卡罗来纳州
A
GND
Y
北卡罗来纳州
V
CC
引脚说明
TSSOP5
1
2
3
4
-
5
XSON6
1
2
3
4
5
6
没有连接
数据输入A
接地( 0 V )
数据输出Y.
没有连接
电源电压
描述
7.功能描述
表4 。
输入
A
L
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平。
功能表
[1]
产量
Y
H
L
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
V
I
& LT ; 0 V
[1]
0.5
-
0.5
-
[1]
[1]
最大
+4.6
50
+4.6
±50
V
CC
+ 0.5
+4.6
±20
+50
50
+150
250
单位
V
mA
V
mA
V
V
mA
mA
mA
°C
mW
V
O
& GT ; V
CC
或V
O
& LT ; 0 V
主动模式
掉电模式
V
O
= 0 V到V
CC
0.5
0.5
-
-
-
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的最小的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于TSSOP5包: 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
对于XSON6包: 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
74AUP1G04_2
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3 16
飞利浦半导体
74AUP1G04
低功率逆变器
9.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 0.8 V至3.6 V
主动模式
掉电模式; V
CC
= 0 V
条件
0.8
0
0
0
40
0
最大
3.6
3.6
V
CC
3.6
+125
200
单位
V
V
V
V
°C
NS / V
10.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
T
AMB
= 25
°C
V
IH
高邦的输入电压
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 0.9 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
IL
低电平输入电压
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 0.9 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
OH
高态输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
20 A;
V
CC
= 0.8 V至3.6 V
I
O
=
1.1
毫安; V
CC
= 1.1 V
I
O
=
1.7
毫安; V
CC
= 1.4 V
I
O
=
1.9
毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
=
2.3
毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
=
3.1
毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
=
2.7
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
4.0
毫安; V
CC
= 3.0 V
V
OL
低态输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 20
A;
V
CC
= 0.8 V至3.6 V
I
O
= 1.1毫安; V
CC
= 1.1 V
I
O
= 1.7毫安; V
CC
= 1.4 V
I
O
= 1.9毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
= 2.3毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
= 3.1毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
= 2.7毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 4.0毫安; V
CC
= 3.0 V
74AUP1G04_2
条件
典型值
最大
-
-
-
-
单位
V
V
V
V
0.70
×
V
CC
-
0.65
×
V
CC
-
1.6
2.0
-
-
-
-
V
CC
0.1
1.11
1.32
2.05
1.9
2.72
2.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.30
×
V
CC
V
0.35
×
V
CC
V
0.7
0.9
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.3
×
V
CC
0.31
0.31
0.31
0.44
0.31
0.44
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
0.75
×
V
CC
-
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飞利浦半导体
74AUP1G04
低功率逆变器
表7中。
静态特性
- 续
在推荐工作条件;电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
I
I
I
关闭
I
关闭
I
CC
I
CC
C
I
C
O
V
IH
输入漏电流
关机漏电流
附加的电源关断
漏电流
电源电流
额外的电源电流
输入电容
输出电容
高邦的输入电压
条件
V
I
= GND至3.6 V ; V
CC
= 0 V至3.6 V
V
I
或V
O
= 0 V至3.6 V ; V
CC
= 0 V
V
I
或V
O
= 0 V至3.6 V ;
V
CC
= 0 V至0.2 V
V
I
= GND或V
CC
; I
O
= 0 A;
V
CC
= 0.8 V至3.6 V
V
I
= V
CC
0.6 V ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 3.3 V
V
CC
= 0 V至3.6 V ; V
I
= GND或V
CC
V
O
= GND ; V
CC
= 0 V
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 0.9 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
IL
低电平输入电压
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 0.9 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
OH
高态输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
20 A;
V
CC
= 0.8 V至3.6 V
I
O
=
1.1
毫安; V
CC
= 1.1 V
I
O
=
1.7
毫安; V
CC
= 1.4 V
I
O
=
1.9
毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
=
2.3
毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
=
3.1
毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
=
2.7
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
4.0
毫安; V
CC
= 3.0 V
V
OL
低态输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 20
A;
V
CC
= 0.8 V至3.6 V
I
O
= 1.1毫安; V
CC
= 1.1 V
I
O
= 1.7毫安; V
CC
= 1.4 V
I
O
= 1.9毫安; V
CC
= 1.65 V
I
O
= 2.3毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
= 3.1毫安; V
CC
= 2.3 V
I
O
= 2.7毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 4.0毫安; V
CC
= 3.0 V
I
I
I
关闭
I
关闭
输入漏电流
关机漏电流
附加的电源关断
漏电流
V
I
= GND至3.6 V ; V
CC
= 0 V至3.6 V
V
I
或V
O
= 0 V至3.6 V ; V
CC
= 0 V
V
I
或V
O
= 0 V至3.6 V ;
V
CC
= 0 V至0.2 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.3
×
V
CC
0.37
0.35
0.33
0.45
0.33
0.45
±0.5
±0.5
±0.6
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
V
CC
0.1
0.7
×
V
CC
1.03
1.30
1.97
1.85
2.67
2.55
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
0.8
1.7
最大
±0.1
±0.2
±0.2
0.5
40
-
-
-
-
-
-
单位
A
A
A
A
A
pF
pF
V
V
V
V
T
AMB
=
40 °C
+85
°C
0.70
×
V
CC
-
0.65
×
V
CC
-
1.6
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.30
×
V
CC
V
0.35
×
V
CC
V
0.7
0.9
V
V
74AUP1G04_2
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牧师02 - 2006年6月28日
5 16
74AUP1G04
单非门
描述
高级超低功耗( AUP ) CMOS逻辑系列是
专为低功耗和延长电池寿命的便携式
应用程序。
该74AUP1G04是用一个标准的推拉式的单个反相门
输出设计工作在0.8V至电源电压范围
3.6V.
该设备是用于局部断电完全指定
使用我的应用
关闭
。在我
关闭
电路关闭输出
防止破坏性的电流回流时,该设备是有源
下来。门进行积极的布尔函数:
引脚分配
Y
=
A
特点
先进的超低功耗( AUP ) CMOS
电源电压范围为0.8V至3.6V
±4 mA输出驱动器在3.0V
较低的静态功耗
I
CC
< 0.9μA
低动态功耗
C
PD
= 6.1pF (典型为3.6V )
施密特触发器动作在所有输入使电路容错
对于较慢的输入上升和下降时间。迟滞
通常为250mV的V
CC
= 3.0V
I
关闭
支持部分掉电模式下运行
ESD保护超过JESD 22
2000 -V人体模型( A114 -A )
超过1000 -V带电器件模型( C101C )
闭锁超过每JESD 78 , II类100毫安
的包装选项SOT353 , DFN1410 ,以及DFN1010范围
每JESD30E无铅封装
DFN1010表示为X2- DFN1010-6
DFN1014表示为X2- DFN1014-6
完全无铅&完全符合RoHS (注1 & 2 )
卤素和无锑。 “绿色”设备(注3 )
应用
适合电池和低功耗需求
的产品,如各种各样的:
平板电脑,电子阅读器
手机,个人导航/全球定位系统
MP3播放器,摄像机,录像机
电脑超级本,笔记本电脑,上网本,
电脑外设,硬盘驱动器, CD / DVD-ROM
电视, DVD , DVR ,机顶盒
注意事项:
1.没有故意添加铅。全欧盟指令2002/ 95 / EC指令(RoHS ) & 2011/65 / EU指令(RoHS 2 )兼容。
2.关于Diodes公司的免费锑, "Green"和无铅卤素 - 和定义的详细信息,请参阅http://www.diodes.com 。
3.卤素 - 锑 - 自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴, <900ppm氯( <1500ppm总溴+ Cl)的和
<1000ppm锑化合物。
点击这里订购信息,位于数据表的末尾
74AUP1G04
文件编号: DS35147牧师1-2
1 11
www.diodes.com
2012年8月
Diodes公司
74AUP1G04
引脚说明
引脚名称
NC
A
GND
Y
V
CC
功能
无连接
数据输入
数据输出
电源电压
逻辑图
A
2
4
Y
功能表
输入
A
H
L
产量
Y
L
H
74AUP1G04
文件编号: DS35147牧师1-2
2 11
www.diodes.com
2012年8月
Diodes公司
74AUP1G04
绝对最大额定值
(注4 ) ( @T
A
= + 25 ℃,除非另有说明)。
符号
ESD HBM
防静电清洁发展机制
V
CC
V
I
V
o
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
J
T
英镑
注意:
参数
人体模型ESD保护
带电器件模型ESD保护
电源电压范围
输入电压范围
电压施加到输出在高或低的状态
输入钳位电流V
I
<0
输出钳位电流(V
O
< 0 )
连续输出电流(V
O
= 0至V
CC
)
连续电流通过V
CC
连续电流通过GND
工作结温
储存温度
等级
2
1
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
-0.5到V
CC
+0.5
50
50
±20
50
-50
-40到+150
-65到+150
单位
KV
KV
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
4.强调超过绝对最大可能会导致立即出现故障或降低可靠性。这些都是强调价值观和设备操作应
在推荐值。
推荐工作条件
(注5)( @T
A
= + 25 ℃,除非另有说明)。
符号
V
CC
V
I
V
O
工作电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 1.1 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 1.4 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 1.1 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 1.4 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
V
CC
= 3.0 V
ΔT/ ΔV
T
A
注意:
参数
0.8
0
0
最大
3.6
3.6
V
CC
-20
-1.1
-1.7
-1.9
-3.1
-4
20
1.1
1.7
1.9
3.1
4
200
单位
V
V
V
A
mA
uA
mA
输入过渡上升或下降速率
工作自由空气
温度
V
CC
= 0.8 V至3.6 V
-40
NS / V
°C
+125
5.未使用的输入应在V举行
CC
或地面。
74AUP1G04
文件编号: DS35147牧师1-2
3 11
www.diodes.com
2012年8月
Diodes公司
74AUP1G04
电气特性
T
A
= +25°C
最大
0.80× V
CC
0.65 * V
CC
1.6
2.0
0.30 x垂直
CC
0.35 x垂直
CC
0.7
0.9
V
CC
– 0.1
0.75× V
CC
1.11
1.32
2.05
1.9
2.72
2.6
0.1
0.3× V
CC
0.31
0.31
0.31
0.44
0.31
0.44
± 0.1
0.2
0.2
0.5
40
V
CC
– 0.1
0.7× V
CC
1.03
1.3
1.97
1.85
2.67
2.55
0.1
0.3× V
CC
0.37
0.35
0.33
0.45
0.33
0.45
± 0.5
0.6
0.6
0.9
50
μA
μA
μA
μA
μA
V
V
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
最大
0.80× V
CC
0.65 * V
CC
1.6
2.0
0.30 x垂直
CC
0.35 x垂直
CC
0.7
0.9
V
V
符号
参数
测试条件
V
CC
0.8V至1.65V
单位
V
IH
高级别输入
电压
1.65V到1.95V
2.3V至2.7V
3.0V至3.6V
0.8V至1.65V
1.65V到1.95V
2.3V至2.7V
3.0V至3.6V
0.8V至3.6V
1.1V
1.4V
1.65V
2.3V
3V
0.8V至3.6V
1.1V
1.4V
1.65V
2.3V
3V
0V至3.6V
0
0V至0.2V
0.8V至3.6V
3.3V
V
IL
低电平输入
电压
I
OH
= -20μA
I
OH
= -1.1mA
I
OH
= -1.7mA
高电平的输出
电压
I
OH
= -1.9mA
I
OH
= -2.3mA
I
OH
= -3.1mA
I
OH
= -2.7mA
I
OH
= -4mA
I
OL
= 20μA
I
OL
= 1.1毫安
I
OL
= 1.7毫安
高级别输入
电压
I
OL
= 1.9毫安
I
OL
= 2.3毫安
I
OL
= 3.1毫安
I
OL
= 2.7毫安
I
OL
= 4毫安
A或B输入
V
I
= GND到3.6V
V
I
或V
O
= 0V至3.6V
V
I
或V
O
= 0V至3.6V
V
I
= GND或V
CC
I
O
= 0
输入在V
CC
-0.6
V
OH
V
OL
I
I
I
关闭
ΔI
关闭
I
CC
ΔI
CC
输入电流
掉电
漏电流
台达电源关闭
漏电流
电源电流
新增供应
当前
74AUP1G04
文件编号: DS35147牧师1-2
4 11
www.diodes.com
2012年8月
Diodes公司
74AUP1G04
电气特性
(续)
符号
参数
测试条件
V
CC
0.8V至1.65V
V
IH
高级别输入
电压
1.65V到1.95V
2.3V至2.7V
3.0V至3.6V
0.8V至1.65V
V
IL
低电平输入
电压
I
OH
= -20μA
I
OH
= -1.1mA
I
OH
= -1.7mA
V
OH
高电平输出
电压
I
OH
= -1.9mA
I
OH
= -2.3mA
I
OH
= -3.1mA
I
OH
= -2.7mA
I
OH
= -4mA
I
OL
= 20μA
I
OL
= 1.1毫安
I
OL
= 1.7毫安
V
OL
高级别输入
电压
I
OL
= 1.9毫安
I
OL
= 2.3毫安
I
OL
= 3.1毫安
I
OL
= 2.7毫安
I
OL
= 4毫安
A或B输入
V
I
= GND到3.6V
1.65V到1.95V
2.3V至2.7V
3.0V至3.6V
0.8V至3.6V
1.1V
1.4V
1.65V
2.3V
3V
0.8V至3.6V
1.1V
1.4V
1.65V
2.3V
3V
0V至3.6V
0V
0V至0.2V
0.8V至3.6V
3.3V
V
CC
– 0.11
0.6× V
CC
0.93
1.17
1.77
1.67
2.40
2.30
0.11
0.33 x垂直
CC
0.41
0.39
0.36
0.50
0.36
0.50
± 0.75
± 3.5
± 2.5
3.0
75
μA
μA
μA
μA
μA
V
V
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
最大
0.80× V
CC
0.70× V
CC
1.6
2.0
0.25× V
CC
0.30 x垂直
CC
0.7
0.9
V
V
单位
I
I
I
关闭
ΔI
关闭
I
CC
ΔI
CC
输入电流
掉电
V
I
或V
O
= 0V至3.6V
漏电流
台达电源关闭
V
I
或V
O
= 0V至3.6V
漏电流
电源电流
新增供应
当前
V
I
= GND或V
CC
, I
O
= 0
输入在V
CC
其他-0.6V
输入在V
CC
或GND
74AUP1G04
文件编号: DS35147牧师1-2
5 11
www.diodes.com
2012年8月
Diodes公司
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