74AUP1G02
单路2输入正或非门
描述
高级超低功耗（ AUP ） CMOS逻辑系列的设计
针对低功耗和延长电池寿命的便携式应用。
该74AUP1G02是一个2输入正或非门
标准推挽输出设计用于工作在一个电源
范围为0.8V至3.6V的。该设备是用于局部电源完全指定
我用下来的应用
关闭
。在我
关闭
电路关闭输出
防止破坏性的电流回流时，该设备是有源
下来。门进行积极的布尔函数：
引脚分配
Y
=
A
+
B
or
Y
=
A
B
特点
先进的超低功耗（ AUP ） CMOS
电源电压范围为0.8V至3.6V
±输出4mA驱动器在3.0V
较低的静态功耗
I
CC
< 0.9μA
低动态功耗
C
PD
= 6.4pF （典型为3.6V ）
施密特触发器动作在所有输入使电路的容错
较慢的输入上升和下降时间。滞后通常是
250毫伏在Vcc = 3.0V
I
关闭
支持部分掉电模式下运行
ESD保护超过JESD 22
2000 -V人体模型（ A114 -A ）
超过1000 -V带电器件模型（ C101C ）
闭锁超过每JESD 78 ， II类100毫安
的包装选项SOT353 ， DFN1410 ，以及DFN1010范围
每JESD30E无铅封装
DFN1010表示为X2- DFN1010-6
DFN1014表示为X2- DFN1014-6
完全无铅&完全符合RoHS （注1 & 2 ）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注3 ）
应用
适合电池和低功耗需求
的产品，如各种各样的：
平板电脑，电子阅读器
手机，个人导航/全球定位系统
MP3播放器，摄像机，录像机
电脑超级本，笔记本电脑，上网本，
电脑外设，硬盘驱动器， CD / DVD-ROM
电视， DVD ， DVR ，机顶盒
注意事项：
1.没有故意添加铅。全欧盟指令2002/ 95 / EC指令（RoHS ） & 2011/65 / EU指令（RoHS 2 ）兼容。
2.关于Diodes公司的免费锑， "Green"和无铅卤素 - 和定义的详细信息，请参阅http://www.diodes.com 。
3.卤素 - 锑 - 自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴， <900ppm氯（ <1500ppm总溴+ Cl）的和
<1000ppm锑化合物。
点击这里订购信息，位于数据表的末尾
74AUP1G02
文件编号： DS35146牧师1-2
1 11
www.diodes.com
2012年8月
Diodes公司
74AUP1G02
绝对最大额定值
（注4 ） （ @T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
符号
ESD HBM
防静电清洁发展机制
V
CC
V
I
V
o
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
J
T
英镑
注意：
参数
人体模型ESD保护
带电器件模型ESD保护
电源电压范围
输入电压范围
电压施加到输出在高或低的状态
输入钳位电流V
I
＆ LT ; 0
输出钳位电流（V
O
< 0 ）
连续输出电流（V
O
= 0至V
CC
)
连续电流通过V
CC
连续电流通过GND
工作结温
储存温度
等级
2
1
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
-0.5到V
CC
+0.5
50
50
±20
50
-50
-40到+150
-65到+150
单位
KV
KV
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
4.强调超过绝对最大可能会导致立即出现故障或降低可靠性。这些都是强调价值观和设备操作应
在推荐值。
推荐工作条件
（注5）（ @T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
符号
V
CC
V
I
V
O
工作电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 0.8V
V
CC
= 1.1V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 1.4V
V
CC
= 1.65V
V
CC
= 2.3V
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 0.8V
V
CC
= 1.1V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 1.4V
V
CC
= 1.65V
V
CC
= 2.3V
V
CC
= 3.0V
ΔT/ ΔV
T
A
注意：
参数
民
0.8
0
0
最大
3.6
3.6
V
CC
-20
-1.1
-1.7
-1.9
-3.1
-4
20
1.1
1.7
1.9
3.1
4
200
单位
V
V
V
A
mA
uA
mA
输入过渡上升或下降速率
工作自由空气的温度
5.未使用的输入应在V举行
CC
或地面。
V
CC
= 0.8V至3.6V
-40
NS / V
°C
+125
74AUP1G02
文件编号： DS35146牧师1-2
3 11
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2012年8月
Diodes公司
74AUP1G02
低功率2输入NOR门
启示录6 - 2012年6月27日
产品数据表
1.概述
该74AUP1G02提供单2输入NOR函数。
在所有输入施密特触发器动作使电路容忍较慢的输入兴衰
在整个V倍
CC
范围从0.8 V至3.6 V.
此装置确保了整个非常低的静态和动态功耗
V
CC
范围从0.8 V至3.6 V.
这个装置是用我的部分断电应用完全指定
关闭
.
在我
关闭
电路禁止输出，防止损坏背溢流电流通过
设备时，它被断电。
2.特点和好处科幻TS
宽电源电压范围为0.8 V至3.6 V
高噪声抗扰度
符合JEDEC标准：
JESD8-12 （ 0.8 V至1.3 V）
JESD8-11 （ 0.9 V至1.65 V ）
JESD8-7 （ 1.2 V至1.95 V）
JESD8-5 （ 1.8 V至2.7 V ）
JESD8 -B （ 2.7 V至3.6 V ）
ESD保护：
HBM JESD22- A114F 3A级超过5000 V
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
CDM JESD22- C101E超过1000 V
低静态功耗;我
CC
= 0.9
μA
（最大）
闭锁性能超过每II JESD 78级100毫安
输入接收电压高达3.6 V
噪音低过冲和下冲的V < 10 ％
CC
I
关闭
电路部分提供了掉电模式运行
多种封装选择
从指定的
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
74AUP1G02
低功率2输入NOR门
7.功能描述
表4 。
输入
A
L
L
H
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平。
功能表
[1]
产量
B
L
H
L
H
Y
H
L
L
L
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电压
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
V
I
＆ LT ; 0 V
[1]
民
0.5
50
0.5
-
[1]
最大
+4.6
-
+4.6
±50
+4.6
±20
+50
-
+150
250
单位
V
mA
V
mA
V
mA
mA
mA
°C
mW
V
O
＆ GT ; V
CC
或V
O
＆ LT ; 0 V
主动模式和掉电模式
V
O
= 0 V到V
CC
0.5
-
-
50
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于TSSOP5包： 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
对于XSON6和X2SON5套餐： 118以上
°C
P的值
合计
减额线性7.8毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 0.8 V至3.6 V
主动模式
掉电模式; V
CC
= 0 V
条件
民
0.8
0
0
0
40
0
最大
3.6
3.6
V
CC
3.6
+125
200
单位
V
V
V
V
°C
NS / V
74AUP1G02
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产品数据表
启示录6 - 2012年6月27日
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