74ALVCH16373
低电压16位
透明锁存器与总线
持有1.8 / 2.5 / 3.3 V
(三态,非反相)
该74ALVCH16373是一种先进的性能,非反相
16位透明锁存器。它被设计用于非常高速,非常
在1.8 V , 2.5 V或3.3 V系统的低功耗操作。该
VCXH16373是字节控制的,每个字节的运作
相同,但独立。每个字节都有单独的输出使能
和锁存使能输入。这些控制引脚可以连在一起
完整的16位操作。
该74ALVCH16373包含16个D型锁存器三态
3.6 V的容错输出。当锁存使能( LEN )输入是
高,在DN上的输入数据进入锁存器。在这种条件下,
锁存器是透明的, (锁存器输出将每次的D转换状态
输入的变化) 。当LE为低电平时,锁存器存储的信息
是存在于D输入,一个建立时间之前的
HIGH到LOW LE的过渡。三态输出控制
由输出使能( OEN )输入。当OE为低电平时,输出为
启用。当OE为高电平时,标准输出处于高
阻抗状态,但这并不与新的数据进入干涉
所述锁存器。所述数据输入包括活性bushold电路,
省去了外部上拉电阻,以保持未使用的或
浮在输入一个有效的逻辑状态。
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标记图
48
48
74ALVCH16373DT
1
AWLYYWW
TSSOP–48
DT后缀
CASE 1201
A
WL
YY
WW
1
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚名称
引脚
OEN
LEN
D0–D15
O0–O15
功能
输出使能输入
锁存使能输入
输入
输出
专为低电压操作: VCC = 1.65 - 3.6 V
3.6 V容限输入和输出
高速运转: 3.0 ns(最大值)为3.0 3.6 V
3.9 ns(最大值)为2.3 2.7 V
6.8 ns(最大值)为1.65 1.95 V
静态驱动:
±24
mA驱动的3.0 V
±18
mA驱动的2.3 V
±6
mA驱动在1.65 V
支持实时插入和拔出
包括主动Bushold将举办未使用或浮动在输入一个有效的
逻辑状态
IOFF规范保证高阻抗当VCC = 0 V
在附近的所有三个逻辑状态零静态电流( 20
A)
大幅度降低了系统电源要求
闭锁性能超过
±250
毫安@ 125°C
静电放电性能:人体模型>2000 V ;
机器型号>200 V
第二个来源,以行业标准74ALVCH16373
订购信息
设备
74ALVCH16373DT
74ALVCH16373DTR
包
TSSOP
TSSOP
航运
39单位/铁
2500 /磁带&卷轴
为了确保输出激活的三态状态,输出使能引脚
应通过一个上拉电阻连接至VCC 。电阻器的值是
由连接到OE引脚输出的电流吸收能力来确定。
半导体元件工业有限责任公司, 2001年
1
2001年11月 - 修订版0
出版订单号:
74ALVCH16373/D
74ALVCH16373
OE1 1
O0 2
O1 3
GND 4
O2 5
O3 6
VCC 7
O4 8
O5 9
GND 10
O6 11
O7 12
O8 13
O9 14
GND 15
O10 16
O11 17
VCC 18
O12 19
O13 20
GND 21
O14 22
O15 23
OE2 24
48 LE1
47 D0
46 D1
45 GND
44 D2
43 D3
42 VCC
41 D4
40 D5
39 GND
38 D6
37 D7
36 D8
35 D9
34 GND
33 D10
32 D11
31 VCC
30 D12
29 D13
D1
OE1
LE1
D0
1
48
47
NLE
D
NLE
D
NLE
D
NLE
D
NLE
D
NLE
D
NLE
D
NLE
D
Q
2
O0
OE2
LE2
D8
24
25
36
NLE
D
NLE
D
NLE
D
NLE
D
NLE
D
NLE
D
NLE
D
NLE
D
Q
13
O8
46
Q
3
O1
D9
35
Q
14
O9
D2
44
Q
5
O2
D10
33
Q
16
O10
D3
43
Q
6
O3
D11
32
Q
17
O11
D4
41
Q
8
O4
D12
30
Q
19
O12
D5
40
Q
9
O5
D13
29
Q
20
O13
28 GND
27 D14
26 D15
25 LE2
D6
38
Q
11
O6
D14
27
Q
22
O14
D7
37
Q
12
O7
D15
26
Q
23
O15
图1. 48引脚引脚
( TOP VIEW )
图2.逻辑图
OE1
LE1
48
25
LE2
24
OE2
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
D10
D11
D12
D13
D14
D15
47
46
44
43
41
40
38
37
36
35
33
32
30
29
27
26
1
EN1
EN2
EN3
EN4
1
1
2
1
1
3
1
4
2
3
5
6
8
9
11
12
13
14
16
17
19
20
22
23
O0
O1
O2
O3
O4
O5
O6
O7
O8
O9
O10
O11
O12
O13
O14
O15
图3. IEC逻辑图
输入
LE1
X
H
H
L
OE1
H
L
L
L
D0:7
X
L
H
X
输出
O0:7
Z
L
H
O0
LE2
X
H
H
L
输入
OE2
H
L
L
L
D8:15
X
L
H
X
输出
O8:15
Z
L
H
O0
H =高电压电平; L =低电压水平; Z =高阻态; X =高或低电压电平转换,并可以接受,对于
ICC的原因,不浮动的投入。 O0 =无变化。
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2
74ALVCH16373
最大额定值
(注1 )
符号
VCC
VI
VO
IIK
IOK
IO
ICC
IGND
TSTG
TL
TJ
q
JA
MSL
FR
VESD
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出灌电流
每个电源引脚DC电源电流
每个接地引脚直流接地电流
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
在偏置结温
热阻(注2 )
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
氧指数: 30 % - 35 %
人体模型(注3 )
机器模型(注4 )
带电器件模型(注5 )
六< GND
VO < GND
参数
价值
*0.5
to
)4.6
*0.5
to
)4.6
*0.5
to
)4.6
*50
*50
$50
$100
$100
*65
to
)150
260
)150
90
LEVEL 1
UL- 94 -VO (0.125英寸)
u2000
u200
不适用
V
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
_C
_C
_C
° C / W
ILatch式闭锁性能
上述VCC和GND下面的85_C (注6 )
$250
mA
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件以外的
表示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。实用
操作应仅限于推荐工作条件。
1. IO绝对最大额定值必须遵守。
2.测与在FR4板上最小焊盘间距,用10毫米×1英寸, 2盎司铜迹线,没有空气流动。
3.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
4.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
5.经测试JESD22 - C101 -A 。
6.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
符号
VCC
VI
VO
TA
DT / DV
电源电压
输入电压
输出电压
经营自由的空气温度
输入过渡上升或下降速率
VCC = 2.5 V
$
0.2 V
VCC = 3.0 V
$
0.3 V
VCC = 5.0 V
$
0.5 V
参数
操作
数据保存时间只有
(注7 )
(高或低状态)
民
2.3
1.5
0
0
*40
0
0
0
最大
3.6
3.6
3.6
3.6
)85
20
10
5
单位
V
V
V
_C
NS / V
7.未使用的输入可能不会悬空。所有输入必须连接到一个高逻辑电平或低逻辑输入电压电平。
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3
74ALVCH16373
DC电气特性
TA =
*40_C
to
)85_C
符号
VIH
参数
高电平输入电压
(注8)
(
)
1.65 V
v
VCC
t
2.3 V
2.3 V
v
VCC
v
2.7 V
2.7 V
t
VCC
v
3.6 V
VIL
低电平输入电压
(注8)
(
)
1.65 V
v
VCC
t
2.3 V
2.3 V
v
VCC
v
2.7 V
2.7 V
t
VCC
v
3.6 V
VOH
高电平输出电压
1.65 V
v
VCC
v
3.6 V ; IOH =
*100
mA
VCC = 1.65 V ; IOH =
*4
mA
VCC = 2.3 V ; IOH =
*6
mA
VCC = 2.3 V ; IOH =
*12
mA
VCC = 2.7 V ; IOH =
*12
mA
VCC = 3.0 V ; IOH =
*12
mA
VCC = 3.0 V ; IOH =
*24
mA
VOL
低电平输出电压
1.65 V
v
VCC
v
3.6 V ; IOL = 100
mA
VCC = 1.65 V ; IOL = 4毫安
VCC = 2.3 V ; IOL = 6毫安
VCC = 2.3 V ; IOL = 12毫安
VCC = 2.7 V ; IOL = 12毫安
VCC = 3.0 V ; IOL = 24毫安
VOL
II
II (HOLD)
低电平输出电压
输入漏电流
最低总线保持输入
当前
VCC = 3.6 V ; VI = 0 3.6 V
1.65 V
v
VCC
v
3.6 V; 0 V
v
VI
v
3.6 V
VCC = 3.0V, VIN = 0.8 V
VCC = 3.0V, VIN = 2.0 V
VCC = 2.3 V , VIN = 0.7 V
VCC = 2.3 V , VIN = 1.7 V
VCC = 1.65 V , VIN = 0.58 V
VCC = 1.65 V , VIN = 1.07 V
IOZ
IOFF
ICC
三态输出电流
关机漏电流
静态电源电流
(注9 )
(N
)
1.65 V
v
VCC
v
3.6 V; 0 V
v
VO
v
3.6 V ; VI = VIH或VIL
VCC = 0 V ; VI或VO = 3.6 V
1.65 V
v
VCC
v
3.6 V ; VI = GND或VCC
1.65 V
v
VCC
v
3.6 V; 3.6 V
v
六, VO
v
3.6 V
75
*75
45
*45
25
*25
$10
10
40
$40
750
mA
mA
mA
mA
VCC
*
0.2
1.20
2.0
1.7
2.2
2.4
2.0
0.2
0.45
0.4
0.7
0.4
0.55
$500
$5.0
mA
mA
mA
V
条件
0.65
1.7
2.0
0.35
VCC
0.7
0.8
V
V
民
VCC
最大
单位
V
DI
CC
提高每输入ICC
2.7 V
t
VCC
≤
3.6 V ; VIH = VCC
*
0.6 V
第六8.使用这些值仅用于检测直流电气特性。
9.输出禁用或仅三态。
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4
74ALVCH16373
AC特性
(注10 ;指定tR = tF = 2.0纳秒; CL = 30 pF的; RL = 500
)
范围
TA = -40 ° C至+ 85°C
VCC = 3.0 V吨 3.6 V
符号
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
tpZH
tPZL
tPHZ
tPLZ
ts
th
tw
tOSHL
tOSLH
参数
传播延迟
DN为开
传播延迟
LE为开
输出使能时间
高低电平
输出禁止时间从
高低电平
建立时间,高或低DN为LE
保持时间,高或低DN为LE
LE脉冲宽度,高
输出至输出扭曲
(注11 )
波形
1
1
2
2
3
3
3
民
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1.5
1.0
1.5
0.5
0.5
最大
3.0
3.0
3.0
3.0
3.5
3.5
3.5
3.5
VCC = 2.3 V至2.7 V
民
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1.5
1.0
1.5
0.5
0.5
最大
3.4
3.4
3.9
3.9
4.6
4.6
3.8
3.8
VCC = 1.65 V至1.95 V
民
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
2.5
1.0
4.0
0.75
0.75
最大
6.8
6.8
7.8
7.8
9.2
9.2
6.8
6.8
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10.对于CL = 50 pF的,加入约300 PS的最大交流规范。
11.斜度被定义为实际的传播延迟为同一装置的任何两个单独的输出之间的差的绝对值。
本说明书适用于任何输出以相同的方向切换,无论是高到低( tOSHL )或低到高( tOSLH ) ;参数
通过设计保证。
电容特性
符号
CIN
COUT
CPD
参数
输入电容
输出电容
功率耗散电容
条件
注12
注12
注12 , 10兆赫
典型
6
7
20
单位
pF
pF
pF
12. VCC = 1.8 , 2.5或3.3 V ; VI = 0V或VCC 。
VIH
Dn
Vm
TPLH
On
Vm
Vm
0V
的TPH1
Vm
VOL
波形1 - 传播延迟
指定tR = tF = 2.0纳秒,10%至90% ; F = 1MHz的; TW = 500纳秒
VOH
图4. AC波形
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5
74ALVCH16373
低压CMOS 16 BITD类锁存器( 3 -STATE )
与承受3.6V电压的输入和输出
s
s
s
s
s
s
s
s
s
承受3.6V电压的输入和输出
高速:
t
PD
= 3.6纳秒( MAX 。 )在V
CC
= 3.0 3.6V
t
PD
= 4.5纳秒( MAX 。 )在V
CC
= 2.3 2.7V
t
PD
= 6.5纳秒( MAX 。 )在V
CC
= 1.65V
掉电保护输入端上的
和产出
对称的输出阻抗:
|I
OH
| = I
OL
= 24毫安( MIN)在V
CC
= 3.0V
|I
OH
| = I
OL
= 18毫安( MIN)在V
CC
= 2.3V
|I
OH
| = I
OL
= 4毫安( MIN)在V
CC
= 1.65V
工作电压范围:
V
CC
( OPR) = 1.65V至3.6V
提供的内容数据输入总线保持
引脚和功能兼容
74系列16373
闭锁性能超过
300mA(对JESD 17 )
ESD性能:
HBM > 2000V ( MIL STD 883方法3015 ) ;
MM > 200V
TSSOP
订购代码
包
TSSOP
管
T&R
74ALVCH16373TTR
引脚连接
描述
该74ALVCH16373是低压CMOS 16
位D型锁存器带3态输出
非反相制备具有亚微米
硅栅极和五层金属布线
2
MOS
技术。它是理想的低功耗和非常高
加快1.65至3.6V的应用;它可以是
接口到3.6V的信号环境为
输入和输出。
这16位D型锁存器控制咬
由两个锁存器的使能输入(NLE )和两个输出
使能输入( OE ) 。
而NLE输入被保持在一个较高的水平, NQ
输出将跟随输入的数据准确。
当NLE被拉低时, NQ输出会
在一个正常的逻辑状态(高或低逻辑电平)和
而高水平的输出将处于高
阻抗state.This装置被设计成
有3个国家级的内存地址驱动器等使用
有源总线保持电路拥有未使用的或无驱动
在输入一个有效的逻辑状态。
所有输入和输出都配备有
防止静电放电保护电路,使
他们2KV ESD免疫能力和瞬态过剩
电压。
2003年2月
1/11
74ALVCH16373
输入和输出等效电路
引脚说明
针无
1
符号
1OE
名称和功能
IEC逻辑符号
3态输出使能
输入(低电平有效)
2,第3 ,第5, 6,8 ,9, 1Q0到1Q7三态输出的
11, 12
13 , 14 , 16 , 17 , 2Q0到2Q7三态输出
19, 20, 22, 23
24
2OE
3态输出使能
输入(低电平有效)
25
2LE
锁存使能输入
36 , 35 , 33 , 32 , 2D0到2D7数据输入
30, 29, 27, 26
47 , 46 , 44 , 43 , 1D0到1D7数据输入
41, 40, 38, 37
48
1LE
锁存使能输入
4, 10, 15, 21,
GND
地( 0V )
28, 34, 39, 45
7, 18, 31, 42
V
CC
正电源电压
真值表
输入
OE
H
L
L
L
LE
X
L
H
H
D
X
X
L
H
产量
Q
Z
NO CHANGE *
L
H
X:无关
Z:高阻
*: Q输出锁存的时候LE输入被拉低
逻辑电平。
2/11
74ALVCH16373
逻辑图
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压
直流输入电压
直流输出电压( OFF状态)
直流输出电压(高或低状态) (注1 )
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流(注2 )
直流输出电流
参数
价值
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
-0.5到V
CC
+ 0.5
- 50
- 50
±
50
±
100
400
-65到+150
300
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流每个电源引脚
功耗
P
D
T
英镑
T
L
储存温度
焊接温度( 10秒)
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
1) I
O
绝对最大额定值必须遵守
2) V
O
& LT ; GND ,V
O
& GT ; V
CC
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
OH
, I
OL
I
OH
, I
OL
I
OH
, I
OL
T
op
DT / DV
电源电压
输入电压
输出电压( OFF状态)
输出电压(高或低状态)
高电平或低电平输出电流(V
CC
= 3.0 3.6V )
高电平或低电平输出电流(V
CC
= 2.3 2.7V )
高电平或低电平输出电流(V
CC
= 1.8V)
工作温度
输入上升和下降时间(注1 )
参数
价值
1.65 3.6
-0.3 3.6
0至3.6
0到V
CC
±
24
±
12
±
4
-55至125
0-10
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
NS / V
1) V
IN
从0.8V至2V在V
CC
= 3.0V
3/11