飞利浦半导体
产品speci fi cation
八路缓冲器/线路驱动器;三态
74ALVC244
特点
宽电源电压范围从1.65至3.6 V
3.6 V宽容输入/输出
CMOS低功耗
直接接口与TTL电平（2.7 3.6 V ）
掉电模式
闭锁性能超过250毫安
符合JEDEC标准：
JESD8-7 （ 1.65 1.95 V）
JESD8-5 （ 2.3 2.7 V ）
JESD8B / JESD36 （2.7 3.6 V ）
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C.
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟楠NYN
描述
该74ALVC244是一款高性能，低功耗，
低电压，硅栅CMOS器件和优越于最
先进的CMOS兼容TTL家庭。
该74ALVC244是一个八进制非反相缓冲器/线路驱动器
具有三态输出。 3态输出被控制
输出使能输入图10E和2OE 。在NOE A HIGH
使输出呈现一个高阻抗
OFF状态。在所有输入施密特触发器动作，使
电路的输入速度较慢的上升和下降时间非常宽容。
条件
V
CC
= 1.8 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
典型
2.7
ns
ns
ns
ns
单位
V
CC
= 2.5 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 500
2.0
V
CC
= 2.7 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
2.3
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
2.2
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
输入电容
每个缓冲区的功率耗散电容
V
CC
= 3.3 V ;注1和2
3.5
20
pF
pF
2003九月08
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
八路缓冲器/线路驱动器;三态
74ALVC244
特点
宽电源电压范围从1.65至3.6 V
3.6 V宽容输入/输出
CMOS低功耗
直接接口与TTL电平（2.7 3.6 V ）
掉电模式
闭锁性能超过250毫安
符合JEDEC标准：
JESD8-7 （ 1.65 1.95 V）
JESD8-5 （ 2.3 2.7 V ）
JESD8B / JESD36 （2.7 3.6 V ）
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C.
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟楠NYN
描述
该74ALVC244是一款高性能，低功耗，
低电压，硅栅CMOS器件和优越于最
先进的CMOS兼容TTL家庭。
该74ALVC244是一个八进制非反相缓冲器/线路驱动器
具有三态输出。 3态输出被控制
输出使能输入图10E和2OE 。在NOE A HIGH
使输出呈现一个高阻抗
OFF状态。在所有输入施密特触发器动作，使
电路的输入速度较慢的上升和下降时间非常宽容。
条件
V
CC
= 1.8 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 1 k
典型
2.7
ns
ns
ns
ns
单位
V
CC
= 2.5 V ;
L
= 30 pF的;
L
= 500
2.0
V
CC
= 2.7 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
2.3
V
CC
= 3.3 V ;
L
= 50 pF的;
L
= 500
2.2
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
输入电容
每个缓冲区的功率耗散电容
V
CC
= 3.3 V ;注1和2
3.5
20
pF
pF
2003九月08
2
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