飞利浦半导体
产品speci fi cation
六反相器
特点
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 -A
超过2000伏
MM EIA / JESD22 - A115 -A
超过200 V
CDM EIA / JESD22- C101
超过1000 V
平衡传输延迟
所有的输入有施密特触发器
操作
投入比接受更高的电压
V
CC
从指定的
40
至+85和+125
°C.
描述
该74AHCU04是高速硅栅
CMOS器件和引脚兼容
低功耗肖特基TTL
（ LSTTL ） 。这是符合规定的
符合JEDEC标准号7A 。
该74AHCU04是一种通用
六反相器。每六个反相器的
是单级。
功能表
见注1 。
输入nA的
L
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平。
输出NY
H
L
笔记
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
O
C
PD
参数
传播延迟
nA至纽约
输入电容
输出电容
功耗
电容
C
L
= 50 pF的;
F = 1兆赫;
注1和2
条件
C
L
= 15 pF的;
V
CC
= 5 V
V
I
= V
CC
或GND
74AHCU04
典型
1.5
3.0
4.0
9.1
单位
ns
pF
pF
pF
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
钉扎
针
1，3， 5 ，9，11和13
2，4， 6，8， 10和12的
7
14
符号
1A至6A
1Y到6Y
GND
V
CC
描述
数据输入
数据输出
接地（ 0 V ）
直流电源电压
1999年09月27
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六反相器
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
直流电源电压
输入电压
输出电压
工作环境温度范围看每个DC和AC特性
设备
V
CC
= 3.3 V
±0.3
V
V
CC
= 5 V
±0.5
V
条件
分钟。
2.0
0
0
40
40
74AHCU04
典型值。马克斯。单位
5.0
+25
+25
5.5
5.5
V
CC
+85
100
20
V
V
V
°C
NS / V
+125
°C
t
r
,t
f
（ ΔT/ ΔF ）输入上升和下降率
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.对于SO封装： 70以上
°C
P的值
D
减额线性8毫瓦/ K 。
对于TSSOP封装： 60岁以上
°C
P的值
D
减额线性5.5毫瓦/ K 。
参数
直流电源电压
输入电压范围
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC输出源或灌电流
DC V
CC
或GND电流
存储温度范围
每个封装功耗
对于温度范围：
40
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。马克斯。单位
0.5
0.5
65
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
500
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
+150
°C
1999年09月27
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六反相器
DC特性
在推荐工作条件;电压都参考GND（地= 0V）。
测试条件
符号
参数
其他
V
IH
高级别输入
电压
V
CC
(V)
2.0
3.0
5.5
V
IL
低电平输入
电压
2.0
3.0
5.5
V
OH
高电平的输出V
I
= V
IH
或V
IL
;
电压;所有输出I
O
=
50 A
高电平的输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
4.0
mA
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
8.0
mA
V
OL
低电平输出V
I
= V
IH
或V
IL
;
电压;所有输出I
O
= 50
A
低电平输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 4毫安
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 8毫安
I
I
I
OZ
I
CC
C
I
输入漏
当前
三态输出
关断电流
静态电源
当前
输入电容
V
I
= V
CC
或GND
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
25
0.3
0.6
1.1
0.2
0.3
0.5
0.36
0.36
0.1
T
AMB
(°C)
40
+85
0.3
0.6
1.1
74AHCU04
40
以125单位
0.3
0.6
1.1
0.2
0.3
0.5
0.55
0.55
2.0
A
V
V
V
V
V
MIN 。 TYP 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。
1.7
2.4
4.4
1.8
2.7
4.0
1.7
2.4
4.4
1.8
2.7
4.0
1.7
2.4
4.4
1.8
2.7
4.0
2.40
3.7
V
2.58
3.94
0
0
0
3
2.48
3.8
0.2
0.3
0.5
0.44
0.44
1.0
±2.5
20
10
V
I
= V
IH
或V
IL
;
5.5
V
O
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND ;
I
O
= 0
5.5
±0.25
2.0
10
±10.0 A
40
10
A
pF
1999年09月27
5
74AHCU04
六反相器
牧师03 - 2007年11月14日
产品数据表
1.概述
该74AHCU04是高速硅栅CMOS器件，并与低引脚兼容
功率肖特基TTL （ LSTTL ） 。这是符合JEDEC标准没有特定网络版。 7A 。
该74AHCU04是一个通用的十六进制逆变器。每六个反相器是一个单
阶段。
2.特点
s
s
s
s
低功耗
平衡传输延迟
输入接受比V更高的电压
CC
ESD保护：
x
HBM JESD22 - A114E ：超过2000 V
x
MM JESD22 - A115 -A ：超过200 V
x
CDM JESD22 - C101C ：超过1000 V
s
多种封装选择
s
从特定网络版
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度
范围
74AHCU04D
74AHCU04PW
74AHCU04BQ
名字
描述
VERSION
类型编号
40 °C
+125
°C
SO14
40 °C
+125
°C
TSSOP14
塑料小外形封装; 14线索;体宽3.9毫米SOT108-1
塑料薄小外形封装; 14线索;
体宽4.4毫米
SOT402-1
SOT762-1
40 °C
+125
°C
DHVQFN14塑料双列直插兼容的热增强型很瘦
四，在FL封装;没有线索; 14终端;
机身2.5
×
3
×
0.85 mm
恩智浦半导体
74AHCU04
六反相器
4.功能图
1
1
2
1
1A
1Y
2
3
1
4
3
2A
2Y
4
5
1
6
5
3A
3Y
6
9
1
8
9
4A
4Y
8
11
5A
5Y
10
11
1
10
13
6A
6Y
12
13
1
mna343
12
A
Y
mna045
mna342
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
图3.逻辑图（一台变频器）
5.管脚信息
14 V
CC
13 6A
12 6Y
11 5A
10 5Y
9
7
GND
4Y
8
4A
1号航站楼
索引区
1Y
1A
1Y
2A
2Y
3A
3Y
GND
1
2
3
4
5
6
7
001aac441
2
3
4
5
6
14 V
CC
13 6A
12 6Y
2A
2Y
3A
3Y
04
11 5A
10 5Y
9
8
4A
4Y
GND
(1)
1
1A
04
001aac442
透明的顶视图
（1）模具基体附着到暴露的管芯焊盘
使用导电芯片粘接材料。它不能
用作电源脚或输入。
图4.引脚CON组fi guration SO14和TSSOP14
图5.引脚CON组fi guration DHVQFN14
5.1引脚说明
表2中。
符号
1A
1Y
2A
2Y
74AHCU04_3
引脚说明
针
1
2
3
4
描述
数据输入
数据输出
数据输入
数据输出
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2007年11月14日
2 14
恩智浦半导体
74AHCU04
六反相器
表2中。
符号
3A
3Y
GND
4Y
4A
5Y
5A
6Y
6A
V
CC
引脚说明
- 续
针
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
描述
数据输入
数据输出
接地（ 0 V ）
数据输出
数据输入
数据输出
数据输入
数据输出
数据输入
电源电压
6.功能描述
表3中。
功能表
H =高电压电平; L =低电压电平
输入
nA
L
H
产量
nY
H
L
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V
[1]
民
0.5
20
0.5
-
-
-
75
65
最大
+7.0
-
+7.0
±20
±25
75
-
+150
500
单位
V
mA
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于SO14封装： 70以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于TSSOP14封装： 60岁以上
°C
P的值
合计
减额线性5.5毫瓦/ K 。
对于DHVQFN14包： 60岁以上
°C
P的值
合计
减额线性4.5毫瓦/ K 。
74AHCU04_3
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2007年11月14日
3 14
QQ：2880707522 复制
