74AHC74 ; 74AHCT74
双D- FL型IP- FL运算与置位和复位;正边沿触发
牧师05 - 2008年6月9日
产品数据表
1.概述
该74AHC74 ; 74AHCT74是高速硅栅CMOS器件，其引脚兼容
低功耗肖特基TTL （ LSTTL ） 。这是符合JEDEC标准的特定网络版
第7 -A 。
该74AHC74 ; 74AHCT74是双正边沿触发的，D型佛罗里达州的ip-佛罗里达州运与个别
数据输入（D ） ，时钟输入（ CP ） ，设定输入（ SD）和复位输入（ RD ） 。它也有
互补输出（ Q和Q） 。
置位和复位是独立运作的低电平有效的异步输入
时钟输入。对输入的数据信息传送到Q输出端上的低到
在时钟脉冲的高电平跳变。输入的数据必须是稳定的一个建立时间之前
低位的预测操作HIGH时钟跳变。
在时钟输入施密特触发器动作使得电路非常宽容较慢的时钟
上升和下降时间。
2.特点
I
I
I
I
平衡传输延迟
所有的输入有施密特触发器操作
输入接受比V更高的电压
CC
输入电平：
N
对于74AHC74 ： CMOS电平
N
对于74AHCT74 ： TTL电平
I
ESD保护：
N
HBM EIA / JESD22- A114E超过2000伏
N
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
N
CDM EIA / JESD22- C101C超过1000 V
I
多种封装选择
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
从
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
74AHC74 ; 74AHCT74
双D- FL型IP- FL运算与置位和复位;正边沿触发
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74AHC74
74AHC74D
74AHC74PW
74AHC74BQ
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
SO14
TSSOP14
塑料小外形封装; 14线索;车身宽度
3.9 mm
塑料薄小外形封装; 14线索;体
宽度4.4毫米
SOT108-1
SOT402-1
SOT762-1
描述
VERSION
类型编号
DHVQFN14塑料双列直插兼容非常热增强
薄型四方扁平的封装;没有线索; 14终端;
机身2.5
×
3
×
0.85 mm
SO14
TSSOP14
塑料小外形封装; 14线索;车身宽度
3.9 mm
塑料薄小外形封装; 14线索;体
宽度4.4毫米
74AHCT74
74AHCT74D
74AHCT74PW
74AHCT74BQ
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
SOT108-1
SOT402-1
SOT762-1
DHVQFN14塑料双列直插兼容非常热增强
薄型四方扁平的封装;没有线索; 14终端;
机身2.5
×
3
×
0.85 mm
4.功能图
4 10
1SD 2SD
2
12
3
11
SD
1Q
1D
Q
D
2D
2Q
1CP
CP
2CP
FF
1Q
Q
2Q
RD
1RD 2RD
1 13
mna418
5
9
6
8
图1 。
工作原理图
74AHC_AHCT74_5
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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2 18
恩智浦半导体
74AHC74 ; 74AHCT74
双D- FL型IP- FL运算与置位和复位;正边沿触发
4
1SD
SD
D
CP
FF
Q
RD
1Q
6
4
3
2
1
2D
2CP
SD
D
CP
FF
Q
RD
2Q
8
Q
2Q
9
S
C1
1D
R
6
5
Q
2
3
1D
1CP
1Q
5
1
10
1RD
2SD
12
11
10
11
12
13
S
C1
1D
R
mna419
9
8
13
2RD
mna420
图2 。
逻辑符号
图3 。
IEC逻辑符号
Q
C
C
C
C
D
C
RD
C
C
Q
C
SD
mna421
CP
C
C
图4 。
逻辑图（ 1 FL IP- FL运）
74AHC_AHCT74_5
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恩智浦半导体
74AHC74 ; 74AHCT74
双D- FL型IP- FL运算与置位和复位;正边沿触发
5.管脚信息
5.1钢钉
1RD
2
3
4
5
6
7
GND
2Q
8
1
1号航站楼
索引区
1D
1RD
1D
1CP
1SD
1Q
1Q
GND
1
2
3
4
5
6
7
001aac449
14 V
DD
13 2RD
12 2D
11 2CP
10 2SD
9
2Q
14 V
CC
13 2RD
12 2D
1CP
1SD
1Q
1Q
74
GND
(1)
74
11 2CP
10 2SD
9
8
2Q
2Q
001aac450
透明的顶视图
(1)
模头基板，使用连接到该垫
导电芯片粘接材料。它不能用于
作为电源引脚或输入。
图5 。
引脚CON组fi guration SO14和TSSOP14
图6 。
引脚CON组fi guration DHVQFN14
5.2引脚说明
表2中。
符号
1RD
1D
1CP
1SD
1Q
1Q
GND
2Q
2Q
2SD
2CP
2D
2RD
V
CC
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
描述
异步复位直接输入（低电平有效）
数据输入
时钟输入（从低到高，边沿触发）
异步设置直接输入（低电平有效）
真正的FL IP- FL运算输出
补FL IP- FL运算输出
接地（ 0 V ）
补FL IP- FL运算输出
真正的FL IP- FL运算输出
异步设置直接输入（低电平有效）
时钟输入（从低到高，边沿触发）
数据输入
异步复位直接输入（低电平有效）
电源电压
74AHC_AHCT74_5
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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4 18
恩智浦半导体
74AHC74 ; 74AHCT74
双D- FL型IP- FL运算与置位和复位;正边沿触发
6.功能描述
表3中。
控制
NSD
L
H
L
H
H
[1]
功能表
[1]
输入
NRD
H
L
L
H
H
NCP
X
X
X
↑
↑
nD
X
X
X
L
H
产量
nQ
H
L
H
-
-
nQ
L
H
H
-
-
nQ
n+1
L
H
-
L
H
nQ
n+1
H
L
-
H
L
H =高电压电平;
L =低电压电平;
↑
=低到高转变;
Q
n+1
=下一个低到高CP转型后的状态;
X =不在乎。
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
民
0.5
0.5
最大
+7.0
+7.0
-
+20
+25
+75
-
+150
500
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
=
0.5V
到（Ⅴ
CC
+ 0.5 V)
[1]
[1]
20
20
25
-
75
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于SO14封装： 70以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于TSSOP14封装： 60岁以上
°C
P的值
合计
减额线性5.5毫瓦/ K 。
对于DHVQFN14包： 60岁以上
°C
P的值
合计
减额线性在4.5毫瓦/ K 。
74AHC_AHCT74_5
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2008年6月9日
5 18
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双D- FL型IP- FL运算与置位和复位;
上升沿触发
特点
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 -A
超过2000伏
MM EIA / JESD22 - A115 -A
超过200 V
平衡传输延迟
投入比接受更高的电压
V
CC
对于AHC只：
与CMOS输入电平工作
对于AHCT只：
与TTL电平输入操作
输出能力：标准
I
CC
类别：触发器
从指定的
40
至+85和+125
°C.
描述
该74AHC / AHCT74是高速
硅栅CMOS器件和引脚
低功耗肖特基兼容
TTL （ LSTTL ） 。它们是在指定
符合JEDEC标准
没有。 7A 。
该74AHC / AHCT74双
正边沿触发的，D型
触发器与个别数据（D）的
输入时钟（ CP ）的投入，设置（S
D
）和
复位（R
D
）输入;还
互补Q及输出。
置位和复位是异步的
低电平有效的输入和操作
独立的时钟输入。
在数据输入的信息
传送到Q输出端上的
低到高的时钟转变
脉搏。在D投入必须保持稳定
一个建立时间之前
低到高的时钟跳变
可预测的操作。
在时钟的施密特触发器动作
输入使得电路非常宽容
以较慢的时钟上升和下降时间。
f
最大
C
I
C
PD
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC74 ; 74AHCT74
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟
NCP为NQ ， NQ
nS
D
， NR
D
为NQ ， NQ
马克斯。时钟频率
输入电容
功耗
电容
C
L
= 50 pF的;
F = 1兆赫;
注1和2
条件
AHC AHCT
C
L
= 15 pF的;
V
CC
= 5 V
3.7
3.7
130
V
I
= V
CC
或GND 4.0
12
3.3
3.7
100
4.0
16
ns
ns
兆赫
pF
pF
单位
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率; F
o
=以MHz输出频率;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
功能表
表1
见注1
输入
nS
D
L
H
L
表2
nR
D
H
L
L
见注1
输入
nS
D
H
H
nR
D
H
H
NCP
↑
↑
nD
L
H
产量
nQ
n+1
L
H
nQ
n+1
H
L
NCP
X
X
X
nD
X
X
X
nQ
H
L
H
产量
nQ
L
H
H
注意，表1和表2
1. H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不关心;
↑
=低到高CP的过渡;
Q
n+1
=下一个低到高CP转型后的状态。
1999年09月23日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双D- FL型IP- FL运算与置位和复位;
上升沿触发
推荐工作条件
74AHC
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
直流电源电压
输入电压
输出电压
工作环境温度
见直流和交流
每个特性
设备
V
CC
= 5 V
±0.5
V
条件
分钟。
2.0
0
0
40
40
74AHC74 ; 74AHCT74
74AHCT
单位
典型值。马克斯。
5.0
+25
+25
5.5
5.5
V
CC
+85
V
V
V
°C
典型值。马克斯。分钟。
5.0
+25
+25
5.5
5.5
V
CC
+85
4.5
0
0
40
+125
40
100
20
+125
°C
20
NS / V
t
r
,t
f
（ ΔT/ ΔF ）输入上升和下降率
V
CC
= 3.3 V
±0.3
V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.对于SO封装： 70以上
°C
P的值
D
减额线性8毫瓦/ K 。
对于TSSOP封装： 60岁以上
°C
P的值
D
减额线性5.5毫瓦/ K 。
参数
直流电源电压
输入电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围：
40
+85
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
条件
分钟。马克斯。单位
0.5
0.5
65
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
500
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
DC输出源或灌电流
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
+150
°C
1999年09月23日
5
QQ：2881677436 复制
