飞利浦半导体
产品speci fi cation
施密特触发器
特点
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过500 V.
低功耗
平衡传输延迟
多种封装选择
从指定的
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC3G14 ; 74AHCT3G14
应用
波和脉冲整形器
非稳态多谐振荡器
单稳态多谐振荡器。
描述
该74AHC3G / AHCT3G14是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74AHC3G / AHCT3G14提供了三个反相
缓冲带施密特触发器的动作。这些设备是
能够转化缓慢变化的输入信号转换成
清晰的，无抖动的输出信号。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =输入切换次数;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
功能表
见注1 。
输入
nA
L
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平。
2004年10月18日
2
产量
nY
H
L
参数
传播延迟为Y
输入电容
功率耗散电容
C
L
= 15 pF的; F = 1兆赫;
注1和2
条件
AHC3G14
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
3.2
1.5
10
AHCT3G14
4.1
1.5
12
ns
pF
pF
单位
飞利浦半导体
产品speci fi cation
施密特触发器
推荐工作条件
74AHC3G14 ; 74AHCT3G14
74AHC3G
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境温度
见直流和交流
每个特性
设备
条件
分钟。
2.0
0
0
40
74AHCT3G
单位
典型值。马克斯。
5.0
+25
5.5
5.5
V
CC
V
V
V
典型值。马克斯。分钟。
5.0
+25
5.5
5.5
V
CC
4.5
0
0
+125
40
+125
°C
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
D
记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
0.5
65
马克斯。
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2004年10月18日
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
施密特触发器
特点
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过500 V.
低功耗
平衡传输延迟
多种封装选择
从指定的
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC3G14 ; 74AHCT3G14
应用
波和脉冲整形器
非稳态多谐振荡器
单稳态多谐振荡器。
描述
该74AHC3G / AHCT3G14是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74AHC3G / AHCT3G14提供了三个反相
缓冲带施密特触发器的动作。这些设备是
能够转化缓慢变化的输入信号转换成
清晰的，无抖动的输出信号。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =输入切换次数;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
功能表
见注1 。
输入
nA
L
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平。
2004年10月18日
2
产量
nY
H
L
参数
传播延迟为Y
输入电容
功率耗散电容
C
L
= 15 pF的; F = 1兆赫;
注1和2
条件
AHC3G14
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
3.2
1.5
10
AHCT3G14
4.1
1.5
12
ns
pF
pF
单位
飞利浦半导体
产品speci fi cation
施密特触发器
推荐工作条件
74AHC3G14 ; 74AHCT3G14
74AHC3G
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境温度
见直流和交流
每个特性
设备
条件
分钟。
2.0
0
0
40
74AHCT3G
单位
典型值。马克斯。
5.0
+25
5.5
5.5
V
CC
V
V
V
典型值。马克斯。分钟。
5.0
+25
5.5
5.5
V
CC
4.5
0
0
+125
40
+125
°C
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
D
记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
0.5
65
马克斯。
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2004年10月18日
5
74AHC3G14 ; 74AHCT3G14
施密特触发器
牧师04 - 2009年5月5日
产品数据表
1.概述
74AHC3G14和74AHCT3G14是高速硅栅CMOS器件。他们提供了一个
反相缓冲器功能带施密特触发器的动作。这些设备能够
转变缓慢变化的输入信号转换成大幅德网络定义，无抖动的输出信号。
该AHC设备具有CMOS输入电平转换和电源电压范围为2 V至5.5 V.
该AHCT器件具有TTL输入电平转换和电源电压范围为4.5 V至5.5 V.
2.特点
I
对称的输出阻抗
I
高噪声抗扰度
I
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
N
CDM JESD22- C101C超过1000 V
I
低功耗
I
平衡传输延迟
I
多种封装选择
I
从特定网络版
40 °C
+125
°C
3.应用
I
波和脉冲整形高度嘈杂环境
I
多谐振荡器
I
单稳态多谐振荡器
恩智浦半导体
74AHC3G14 ; 74AHCT3G14
施密特触发器
4.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74AHC3G14DP
74AHCT3G14DP
74AHC3G14DC
74AHCT3G14DC
74AHC3G14GD
74AHCT3G14GD
40 °C
+125
°C
XSON8U
40 °C
+125
°C
VSSOP8
40 °C
+125
°C
TSSOP8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米;引线长度0.5毫米
VERSION
SOT505-2
类型编号
塑料非常薄小外形封装; 8线索; SOT765-1
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT996-2
8终端; UTLP基础;体3
×
2
×
0.5 mm
5.打标
表2中。
标记代码
标识代码
[1]
A14
C14
A14
C14
A14
C14
类型编号
74AHC3G14DP
74AHCT3G14DP
74AHC3G14DC
74AHCT3G14DC
74AHC3G14GD
74AHCT3G14GD
[1]
销1指示符位于该装置的左下角，下面的标记代码。
6.功能图
1A
1Y
3Y
3A
2A
2Y
A
001aah729
Y
mna025
001aah728
图1 。
逻辑符号
图2 。
IEC逻辑符号
图3 。
逻辑图
（ 1施密特触发器）
74AHC_AHCT3G14_4
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2009年5月5日
2 16
恩智浦半导体
74AHC3G14 ; 74AHCT3G14
施密特触发器
7.管脚信息
7.1钢钉
74AHC3G14
74AHCT3G14
1A
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
1Y
3A
2Y
74AHC3G14
74AHCT3G14
1A
3Y
2A
GND
1
2
3
4
001aai259
3Y
8
7
6
5
V
CC
1Y
3A
2Y
2A
GND
001aai260
透明的顶视图
图4 。
引脚CON组fi guration SOT505-2 （ TSSOP8 ）和
SOT765-1 （ VSSOP8 ）
图5 。
引脚CON组fi guration SOT996-2 （ XSON8U ）
7.2引脚说明
表3中。
符号
1A, 2A, 3A
GND
1Y, 2Y, 3Y
V
CC
引脚说明
针
1, 3, 6
4
7, 5, 2
8
描述
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输出
电源电压
8.功能描述
表4 。
输入nA的
L
H
[1]
H =高电压电平; L =低电压电平
功能表
[1]
输出NY
H
L
74AHC_AHCT3G14_4
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2009年5月5日
3 16
恩智浦半导体
74AHC3G14 ; 74AHCT3G14
施密特触发器
9.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
民
0.5
0.5
最大
+7.0
+7.0
-
±20
±25
75
-
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
20
-
-
-
75
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于TSSOP8封装： 55以上
°C
P的值
合计
减额线性为2.5毫瓦/ K 。
对于VSSOP8包： 110以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于XSON8U包： 118以上
°C
P的值
合计
减额线性7.8毫瓦/ K 。
10.推荐工作条件
表6 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
条件
民
2.0
0
0
40
74AHC3G14
典型值
5.0
-
-
+25
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
4.5
0
0
40
74AHCT3G14
民
典型值
5.0
-
-
+25
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
V
V
V
°C
单位
11.静态特性
表7中。
静态特性
电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
74AHC3G14
V
OH
高位
V
I
= V
T+
或V
T
输出电压
I
O
=
50 A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
=
50 A;
V
CC
= 3.0 V
I
O
=
50 A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
=
4.0
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
8.0
毫安; V
CC
= 4.5 V
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
2.0
3.0
4.5
-
-
-
-
-
-
-
1.9
2.9
4.4
2.48
3.8
-
-
-
-
-
1.9
2.9
4.4
2.40
3.70
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
条件
民
25
°C
典型值
最大
40 °C
+85
°C 40 °C
+125
°C
单位
民
最大
民
最大
74AHC_AHCT3G14_4
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2009年5月5日
4 16
QQ：2880707522 复制
