74AHC3G04 ; 74AHCT3G04
逆变器
牧师02 - 2009年1月26日
产品数据表
1.概述
该74AHC3G04 ; 74AHCT3G04是一个高速硅栅CMOS器件。
该74AHC3G04 ; 74AHCT3G04提供了三个反相缓冲器。
2.特点
I
对称的输出阻抗
I
高噪声抗扰度
I
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
N
CDM JESD22- C101C超过1000 V
I
低功耗
I
平衡传输延迟
I
多种封装选择
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
从
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74AHC3G04DP
74AHCT3G04DP
74AHC3G04DC
74AHCT3G04DC
74AHC3G04GD
74AHCT3G04GD
40 °C
+125
°C
XSON8U
40 °C
+125
°C
VSSOP8
40 °C
+125
°C
TSSOP8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米;引线长度0.5毫米
VERSION
SOT505-2
类型编号
塑料非常薄小外形封装; 8线索; SOT765-1
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT996-2
8终端; UTLP基础;体3
×
2
×
0.5 mm
恩智浦半导体
74AHC3G04 ; 74AHCT3G04
逆变器
4.标记
表2中。
标记代码
标识代码
A04
C04
A04
C04
A04
C04
类型编号
74AHC3G04DP
74AHCT3G04DP
74AHC3G04DC
74AHCT3G04DC
74AHC3G04GD
74AHCT3G04GD
5.功能图
1
1
7
1
1A
1Y
7
3
1
5
3
2A
2Y
5
1
6
3A
3Y
2
6
2
A
Y
mna110
mna720
mna721
图1 。
逻辑符号
图2 。
IEC逻辑符号
图3 。
逻辑图（ 1门）
6.管脚信息
6.1钢钉
74AHC3G04
74AHCT3G04
1A
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
1Y
3A
2Y
74AHC3G04
74AHCT3G04
1A
3Y
2A
GND
1
2
3
4
001aaj514
3Y
8
7
6
5
V
CC
1Y
3A
2Y
2A
GND
001aaj515
透明的顶视图
图4 。
引脚CON组fi guration SOT505-2 （ TSSOP8 ）和
SOT765-1 （ VSSOP8 ）
图5 。
引脚CON组fi guration SOT996-2 （ XSON8U ）
74AHC_AHCT3G04_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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2 13
恩智浦半导体
74AHC3G04 ; 74AHCT3G04
逆变器
6.2引脚说明
表3中。
符号
1A, 2A, 3A
GND
1Y, 2Y, 3Y
V
CC
引脚说明
针
1, 3, 6
4
7, 5, 2
8
描述
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输出
电源电压
7.功能描述
表4 。
输入nA的
L
H
[1]
H =高电压电平; L =低电压电平
功能表
[1]
输出NY
H
L
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
民
0.5
0.5
最大
+7.0
+7.0
-
±20
±25
75
-
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
20
-
-
-
75
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于TSSOP8封装： 55以上
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
对于VSSOP8包： 110以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于XSON8U包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
74AHC_AHCT3G04_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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3 13
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器
特点
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过1000 V.
低功耗
平衡传输延迟
SOT505-2和SOT765-1包
从指定的
40
+85
°C
和
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC3G04 ; 74AHCT3G04
描述
该74AHC3G04 / 74AHCT3G04是高速硅栅
CMOS器件。
该74AHC3G04 / 74AHCT3G04提供了三个反相
缓冲区。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
功能表
见注1 。
输入
nA
L
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平。
产量
nY
H
L
参数
条件
74AHC3G04
传播延迟输入A到输出Y.
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
输入电容
功率耗散电容
C
L
= 50 pF的; F = 1兆赫;
注1和2
3.1
1.5
9
74AHCT3G04
3.4
1.5
10
ns
pF
pF
单位
2003 11月6日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器
74AHC3G04 ; 74AHCT3G04
手册， halfpage
1
1
7
3
1
5
手册， halfpage
A
Y
MNA110
6
1
2
MNA721
图3 IEC逻辑符号。
图4的逻辑图。
推荐工作条件
74AHC3G04
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
（ΔT /ΔF ）
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每台设备的特点
V
CC
= 3.3
±0.3
V
V
CC
= 5
±0.5
V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
20
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
74AHCT3G04
单位
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
D
记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40
+125
°C
V
I
＆ LT ;
0.5
V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
0.5
65
MAX 。 UNIT
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
+150
250
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2003 11月6日
4
QQ：2881677436 复制
