飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位可寻址锁存器
特点
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
CDM EIA / JESD22- C101超过1000 V
平衡传输延迟
所有的输入有施密特触发器操作
结合了多路分离器和8位锁存
串行到并行能力
从每个存储位可用的输出
随机的（寻址）数据录入
易于扩展
常见的复位输入
有用的3至8高电平解码器
输入接受比V更高的电压
CC
对于AHC只：工作在CMOS输入电平
对于AHCT只：工作在TTL电平输入
从指定的
40
+85
°C
从
40
+125
°C.
描述
74AHC259;
74AHCT259
该74AHC / AHCT259是高速硅栅CMOS
器件引脚与低功率肖特基兼容
TTL （ LSTTL ） 。它们是符合规定的
JEDEC标准没有。 7A 。
该74AHC / AHCT259是高速8位寻址
专为通用存储应用锁
在数字系统中。在“ 259 ”是多功能的装置
能够存储单行数据的八个寻址的
锁存器，以及3至8译码器及多路分解器，用
高电平输出（ Q0到Q7 ） ，功能是可用的。
在“ 259 ”还集成了一个低有效复位常见
（ MR）用于复位所有的锁存器以及有源低
使能输入（ LE ） 。
在“ 259 ”具有四种工作模式如图中
模式选择表。在可寻址锁存模式中，数据在
的数据线（D ）被写入到所寻址的锁存器。该
地址锁存器将跟随输入的数据与所有非
针对留在他们以前的状态锁存器。
在内存模式下，所有的锁存器留在他们以前的
态，并且不受数据或地址输入端。
在3至8解码或解复用模式，则
解决的输出如下（ D）输入与所有的国家
在低状态等输出。在复位模式下的所有
输出为低电平，并不会受到地址
（A0至A2）和数据（D）输入端。当操作' 259 '作为
地址锁存器，改变所述一个以上的位
地址可以并处一过，错误的地址。
因此，这仅应同时在内存中完成
模式。
模式选择表总结的操作
在“ 259 ” 。
2000年03月14
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位可寻址锁存器
功能表
见注1 。
输入
经营模式
MR
RESET
L
LE
H
D
X
d
d
多路解复用器
（高电平有效
8-channel)
解码器（当D =高）
d
L
L
d
d
d
d
d
内存（什么都不做）
H
H
X
d
d
d
可寻址锁存器
H
L
d
d
d
d
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不关心;
D = HIGH或LOW数据中的一个建立时间之前的低到高的LE的过渡;
A0
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
L
H
L
H
L
H
L
H
A1
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A2
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
L
L
L
L
H
H
H
H
Q0
L
Q ？d
L
L
L
L
L
L
L
q
0
Q ？d
q
0
q
0
q
0
q
0
q
0
q
0
q
0
Q1
L
L
Q ？d
L
L
L
L
L
L
q
1
q
1
Q ？d
q
1
q
1
q
1
q
1
q
1
q
1
Q2
L
L
L
Q ？d
L
L
L
L
L
q
2
q
2
q
2
Q ？d
q
2
q
2
q
2
q
2
q
2
Q3
L
L
L
L
Q ？d
L
L
L
L
q
3
q
3
q
3
q
3
Q ？d
q
3
q
3
q
3
q
3
Q4
L
L
L
L
L
Q ？d
L
L
L
q
4
q
4
q
4
q
4
q
4
Q ？d
q
4
q
4
q
4
输出
74AHC259;
74AHCT259
Q5
L
L
L
L
L
L
Q ？d
L
L
q
5
q
5
q
5
q
5
q
5
q
5
Q ？d
q
5
q
5
Q6
L
L
L
L
L
L
L
Q ？d
L
q
6
q
6
q
6
q
6
q
6
q
6
q
6
Q ？d
q
6
Q7
L
L
L
L
L
L
L
L
Q ？d
q
7
q
7
q
7
q
7
q
7
q
7
q
7
q
7
Q ？d
Q =小写字母表示，其中它是最后一个周期期间建立的参考输出的状态
处理或清理。
订购信息
套餐
类型编号
74AHC259D
74AHC259PW
74AHCT259D
74AHCT259PW
温度
范围
40
+125
°C
引脚
16
16
16
16
包
SO
TSSOP
SO
TSSOP
材料
塑料
塑料
塑料
塑料
CODE
SOT109-1
SOT403-1
SOT109-1
SOT403-1
2000年03月14
4
74AHC259 ; 74AHCT259
8位可寻址锁存器
牧师02 - 2008年5月15日
产品数据表
1.概述
该74AHC259 ; 74AHCT259是高速硅栅CMOS器件，其引脚兼容
低功耗肖特基TTL （ LSTTL ） 。这是符合JEDEC标准的特定网络版
第7 -A 。
该74AHC259 ; 74AHCT259是一个高速8位可寻址锁存器设计用于一般
目的存储应用在数字系统中。它能够的多功能设备
储存在8可寻址锁存的单行数据，并提供一个3至8译码器和
多路复用器的功能与高电平有效输出（ Q0到Q7 ） 。它还集成了一个活跃
低共复位（ MR）用于复位所有的锁存器，以及一个低电平有效使能输入
（LE） 。
该74AHC259 ; 74AHCT259有四种操作模式：
在可寻址锁存模式中，在数据线（D）的数据被写入到寻址
锁存器。被寻址锁存器将跟随数据输入与所有非寻址锁存器
留在他们以前的状态。
在内存模式下，所有的锁仍保持在其先前的状态并且不受
数据或地址输入。
在3至8解码或解复用模式中，被寻址的输出如下的状态
数据输入（D ），在低状态的所有其他输出。
在复位模式下，所有的输出都为低电平而不受地址输入
（A0至A2）和数据输入（D）。
当操作74AHC259 ; 74AHCT259作为地址锁存器中，改变以上
地址中的一个位可以并处一过，错误的地址。因此，这应
只而在内存模式下进行。
2.特点
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
平衡传输延迟
所有的输入有施密特触发器操作
结合了多路分离器和8位锁存
串行到并行能力
从每个存储位可用的输出
随机的（寻址）数据录入
易于扩展
常见的复位输入
有用的3至8高电平解码器
输入接受比V更高的电压
CC
恩智浦半导体
74AHC259 ; 74AHCT259
8位可寻址锁存器
I
输入电平：
N
对于74AHC259 ： CMOS电平
N
对于74AHCT259 ： TTL电平
I
ESD保护：
N
HBM EIA / JESD22- A114E超过2000伏
N
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
N
CDM EIA / JESD22- C101C超过1000 V
I
多种封装选择
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
从
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74AHC259
74AHC259D
74AHC259PW
74AHCT259
74AHCT259D
74AHCT259PW
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
SO16
TSSOP16
塑料小外形封装; 16线索;
体宽3.9毫米
塑料薄小外形封装; 16线索;
体宽4.4毫米
SOT109-1
SOT403-1
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
SO16
TSSOP16
塑料小外形封装; 16线索;
体宽3.9毫米
塑料薄小外形封装; 16线索;
体宽4.4毫米
SOT109-1
SOT403-1
描述
VERSION
类型编号
4.功能图
13
15
14
Z9
G8
G10
9,10D
0
1
C10
8R
DX
14
LE
Q0
13
D
Q1
Q2
Q3
1
2
3
A0
A1
A2
MR
15
mna573
4
1
4
5
6
7
9
10
11
12
2
3
0
G
2
0
7
1
5
6
2
7
3
9
4
10
5
11
6
12
7
mna572
Q4
Q5
Q6
Q7
图1 。
逻辑符号
图2 。
IEC逻辑符号
NXP B.V. 2008保留所有权利。
74AHC_AHCT259_2
产品数据表
牧师02 - 2008年5月15日
2 17
恩智浦半导体
74AHC259 ; 74AHCT259
8位可寻址锁存器
表2中。
符号
Q6
Q7
D
LE
MR
V
CC
引脚说明
- 续
针
11
12
13
14
15
16
描述
锁存输出
锁存输出
数据输入
锁存使能输入（低电平有效）
有条件的复位输入端（低电平有效）
电源电压
6.功能描述
表3中。
功能表
[1]
输入
MR
复位（清）
L
多路解复用器
L
（高电平有效8通道）
解码器（当D =高）
LE
H
L
D
X
d
d
d
d
d
d
d
d
内存（无动作）
可寻址锁存器
H
H
H
L
X
d
d
d
d
d
d
d
H
[1]
H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不关心;
D = HIGH或LOW数据中的一个建立时间之前的低到高的LE的过渡;
Q =小写字母表示的参考输入一组行动之前低到高的跳变时间的状态。
经营模式
产量
A0
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
L
H
L
H
L
H
L
H
A1
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A2
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
L
L
L
L
H
H
H
H
Q0
L
L
L
L
L
L
L
L
q
0
q
0
q
0
q
0
q
0
q
0
q
0
q
0
Q1
L
Q2
L
L
Q3
L
L
L
Q4
L
L
L
L
Q5
L
L
L
L
L
Q6
L
L
L
L
L
L
Q7
L
L
L
L
L
L
L
Q ？d
q
7
q
7
q
7
q
7
q
7
q
7
q
7
Q ？d
Q =平负
L
L
L
L
L
L
q
1
Q =平负
L
L
L
L
L
q
2
q
2
Q =平负
L
L
L
L
q
3
q
3
q
3
Q =平负
L
L
L
q
4
q
4
q
4
q
4
Q =平负
L
L
q
5
q
5
q
5
q
5
q
5
Q =平负
L
q
6
q
6
q
6
q
6
q
6
q
6
Q =平负
Q = D Q
1
q
1
q
1
q
1
q
1
q
1
q
1
Q = D Q
2
q
2
q
2
q
2
q
2
q
2
Q = D Q
3
q
3
q
3
q
3
q
3
Q = D Q
4
q
4
q
4
q
4
Q = D Q
5
q
5
q
5
Q = D Q
6
q
6
Q = D Q
7
74AHC_AHCT259_2
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2008年5月15日
4 17
恩智浦半导体
74AHC259 ; 74AHCT259
8位可寻址锁存器
表4 。
LE
L
H
L
H
[1]
工作模式选择表
[1]
MR
H
H
L
L
模式
可寻址锁存器
内存
高电平8通道多路解复用器
RESET
H =高电压电平; L =低电压电平。
7.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
民
0.5
0.5
最大
+7.0
+7.0
-
+20
+25
+75
-
+150
500
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
=
0.5
V到（V
CC
+ 0.5 V)
[1]
[1]
20
20
25
-
75
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于SO16封装： 70以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于TSSOP16封装： 60岁以上
°C
P的值
合计
减额线性5.5毫瓦/ K 。
8.推荐工作条件
表6 。
符号
74AHC259
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
74AHCT259
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
74AHC_AHCT259_2
工作条件
参数
条件
民
2.0
0
0
40
-
-
4.5
0
0
40
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
-
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
5.0
-
-
+25
-
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
5.5
5.5
V
CC
+125
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
V
V
V
°C
NS / V
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2008年5月15日
5 17
QQ：2881677436 复制
