飞利浦半导体
产品speci fi cation
单一的D- FL型IP- FL操作;正边沿触发
特点
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 -A
超过2000伏;
MM EIA / JESD22 - A115 -A
超过200 V
低功耗
平衡传输延迟
非常小的5引脚封装
输出能力：标准。
描述
该74AHC1G / AHCT1G79是
高速硅栅CMOS器件。
该74AHC1G / AHCT1G79提供
单个正边沿触发
D型触发器。
在数据输入的信息
传送到Q输出端上的
低到高的时钟转变
脉搏。 D输入端必须是稳定的单
建立时间之前的低到高
可预测的时钟跳变
操作。
功能表
见注1 。
输入
CP
↑
↑
L
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平;
↑
=低到高CP的过渡;
X =不关心;
Q + 1 =之后的下一个状态
低到高CP的过渡。
D
L
H
X
产量
Q+1
L
H
Q
笔记
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC1G79;
74AHCT1G79
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
参数
传播延迟
CP到Q
输入电容
功耗
电容
条件
AHC1G
C
L
= 15 pF的;
V
CC
= 5 V
3.5
1.5
注1和2 ; 15
C
L
= 50 pF的;
F = 1 MHz的
AHCT1G
3.5
1.5
16
ns
pF
pF
单位
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在五=电源电压
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
钉扎
针
1
2
3
4
5
符号
D
CP
GND
Q
V
CC
数据输入
时钟脉冲输入
接地（ 0 V ）
数据输出
直流电源电压
描述
1999年5月18日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
单一的D- FL型IP- FL操作;正边沿触发
推荐工作条件
74AHC1G
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
直流电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度范围
输入上升和下降时间
以外
施密特触发器输入
见直流和交流
每个特性
设备
V
CC
= 3.3 V
±0.3
V
V
CC
= 5 V
±0.5
V
条件
分钟。
2.0
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+85
分钟。
4.5
0
0
40
74AHC1G79;
74AHCT1G79
74AHCT1G
单位
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+85
V
V
V
°C
t
r
, t
f
（ΔT /ΔF ）
100
20
20
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.以上55
°C
P的值
D
减额线性2.5毫瓦/ K 。
参数
直流电源电压
输入电压范围
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC输出源或灌电流
DC V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
温度范围：
40
+85
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V
O
＆ LT ;
0.5
或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
0.5
65
马克斯。
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
+150
200
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
1999年5月18日
4
74AHC1G79 ; 74AHCT1G79
单一的D- FL型IP- FL操作;正边沿触发
牧师05 - 2007年7月2日
产品数据表
1.概述
74AHC1G79和74AHCT1G79是高速硅栅CMOS器件。它们提供了一个
单正边沿触发的D型IP- FL佛罗里达州运。
对输入的数据信息传送到Q输出端上的低到高的跳变
的时钟脉冲。的D输入端必须在一设定时间之前是稳定的低到高
时钟转换为可预见的操作。
该AHC设备具有CMOS输入电平转换和电源电压范围为2 V至5.5 V.
该AHCT器件具有TTL输入电平转换和电源电压范围为4.5 V至5.5 V.
2.特点
I
I
I
I
I
I
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
SOT353-1和SOT753封装选项
ESD保护：
N
HBM JESD22 - A114E ：超过2000 V
N
MM JESD22 - A115 -A ：超过200 V
N
CDM JESD22 - C101C ：超过1000 V
I
从特定网络版
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74AHC1G79GW
74AHCT1G79GW
74AHC1G79GV
74AHCT1G79GV
40 °C
+125
°C
SC-74A
40 °C
+125
°C
TSSOP5
描述
塑料薄小外形封装; 5线索;
体宽1.25毫米
塑料表面贴装封装; 5线索
VERSION
SOT353-1
SOT753
类型编号
恩智浦半导体
74AHC1G79 ; 74AHCT1G79
单一的D- FL型IP- FL操作;正边沿触发
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
民
0.5
0.5
最大
+7.0
+7.0
-
±20
±25
75
-
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
20
-
-
-
75
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于这两种TSSOP5和SC - 74A封装： 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入转换崛起
和下降率
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
条件
民
2.0
0
0
40
-
-
74AHC1G79
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
4.5
0
0
40
-
-
74AHCT1G79
民
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
-
20
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
单位
10.静态特性
表7中。
静态特性
电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
对于类型74AHC1G79
V
IH
高位
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 5.5 V
V
IL
低电平
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 5.5 V
1.5
2.1
3.85
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
0.9
1.65
1.5
2.1
3.85
-
-
-
-
-
-
0.5
0.9
1.65
1.5
2.1
3.85
-
-
-
-
-
-
0.5
0.9
1.65
V
V
V
V
V
V
条件
民
25
°C
典型值
最大
40 °C
+85
°C 40 °C
+125
°C
单位
民
最大
民
最大
74AHC_AHCT1G79_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2007年7月2日
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