飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向开关
特点
极低的导通电阻：
– 26
（典型值） V
CC
= 3.0 V
– 16
（典型值） V
CC
= 4.5 V
– 14
（典型值） V
CC
= 5.5 V.
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过1000 V.
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
SOT353和SOT753封装
输出能力：非标
从指定的
40
+125
°C.
快速参考数据
接地= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3纳秒。
74AHC1G66 ; 74AHCT1G66
描述
该74AHC1G / AHCT1G66是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74AHC1G / AHCT1G66提供一个模拟开关。
该开关具有两个输入/输出管脚（ Y和Z）和一个
高电平有效使能输入引脚（ E） 。当引脚E为低电平时，
模拟开关被关断。
典型
符号
t
PZH
/t
PZL
t
PHZ
/t
PLZ
C
I
C
PD
C
S
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ ((C
L
+ C
S
)
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
C
S
=以pF最大的开关电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
参数
开启时间E至V
os
关断时间E到V
os
输入电容
功率耗散电容
开关电容
C
L
= 50 pF的; F = 10MHz的;
注1和2
条件
AHC1G
C
L
= 15 pF的;
L
= 1 k;
V
CC
= 5 V
C
L
= 15 pF的;
L
= 1 k;
V
CC
= 5 V
3
5
2
13
4
3
5
2
15
4
AHCT1G
ns
ns
pF
pF
pF
单位
2002年6月6日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向开关
推荐工作条件
74AHC1G66 ; 74AHCT1G66
74AHC1G66
符号
V
CC
V
I
V
S
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
开关电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 3.3
±0.3
V
V
CC
= 5.0
±0.5
V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
74AHCT1G66
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
V
V
V
°C
t
r
, t
f
100
20
20
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V） ;
注： 1 。
符号
V
CC
I
IK
I
SK
I
S
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
D
记
1.为了避免绘制V
CC
电流输出引脚Z，当开关电流流入端子Y，横跨上的电压降的
双向开关不得超过0.4 V.如果开关电流流入引脚Z，没有V
CC
电流流过输出引脚Y的
在这种情况下，不存在限制开关两端的电压降，但在销Y中的电压和Z可以不超过
V
CC
或GND 。
参数
电源电压
输入二极管电流
开关二极管电流
开关源或吸收电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
S
＆ LT ;
0.5
V或V
S
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
65
马克斯。
+7.0
20
±20
±25
±75
+150
250
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2002年6月6日
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向开关
特点
极低的导通电阻：
– 26
（典型值） V
CC
= 3.0 V
– 16
（典型值） V
CC
= 4.5 V
– 14
（典型值） V
CC
= 5.5 V.
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过1000 V.
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
SOT353和SOT753封装
输出能力：非标
从指定的
40
+125
°C.
快速参考数据
接地= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3纳秒。
74AHC1G66 ; 74AHCT1G66
描述
该74AHC1G / AHCT1G66是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74AHC1G / AHCT1G66提供一个模拟开关。
该开关具有两个输入/输出管脚（ Y和Z）和一个
高电平有效使能输入引脚（ E） 。当引脚E为低电平时，
模拟开关被关断。
典型
符号
t
PZH
/t
PZL
t
PHZ
/t
PLZ
C
I
C
PD
C
S
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ ((C
L
+ C
S
)
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
C
S
=以pF最大的开关电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
参数
开启时间E至V
os
关断时间E到V
os
输入电容
功率耗散电容
开关电容
C
L
= 50 pF的; F = 10MHz的;
注1和2
条件
AHC1G
C
L
= 15 pF的;
L
= 1 k;
V
CC
= 5 V
C
L
= 15 pF的;
L
= 1 k;
V
CC
= 5 V
3
5
2
13
4
3
5
2
15
4
AHCT1G
ns
ns
pF
pF
pF
单位
2002年6月6日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向开关
推荐工作条件
74AHC1G66 ; 74AHCT1G66
74AHC1G66
符号
V
CC
V
I
V
S
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
开关电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 3.3
±0.3
V
V
CC
= 5.0
±0.5
V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
74AHCT1G66
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
V
V
V
°C
t
r
, t
f
100
20
20
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V） ;
注： 1 。
符号
V
CC
I
IK
I
SK
I
S
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
D
记
1.为了避免绘制V
CC
电流输出引脚Z，当开关电流流入端子Y，横跨上的电压降的
双向开关不得超过0.4 V.如果开关电流流入引脚Z，没有V
CC
电流流过输出引脚Y的
在这种情况下，不存在限制开关两端的电压降，但在销Y中的电压和Z可以不超过
V
CC
或GND 。
参数
电源电压
输入二极管电流
开关二极管电流
开关源或吸收电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
S
＆ LT ;
0.5
V或V
S
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
65
马克斯。
+7.0
20
±20
±25
±75
+150
250
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2002年6月6日
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向开关
特点
极低的导通电阻：
– 26
（典型值） V
CC
= 3.0 V
– 16
（典型值） V
CC
= 4.5 V
– 14
（典型值） V
CC
= 5.5 V.
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过1000 V.
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
SOT353和SOT753封装
输出能力：非标
从指定的
40
+125
°C.
快速参考数据
接地= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3纳秒。
74AHC1G66 ; 74AHCT1G66
描述
该74AHC1G / AHCT1G66是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74AHC1G / AHCT1G66提供一个模拟开关。
该开关具有两个输入/输出管脚（ Y和Z）和一个
高电平有效使能输入引脚（ E） 。当引脚E为低电平时，
模拟开关被关断。
典型
符号
t
PZH
/t
PZL
t
PHZ
/t
PLZ
C
I
C
PD
C
S
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ ((C
L
+ C
S
)
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
C
S
=以pF最大的开关电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
参数
开启时间E至V
os
关断时间E到V
os
输入电容
功率耗散电容
开关电容
C
L
= 50 pF的; F = 10MHz的;
注1和2
条件
AHC1G
C
L
= 15 pF的;
L
= 1 k;
V
CC
= 5 V
C
L
= 15 pF的;
L
= 1 k;
V
CC
= 5 V
3
5
2
13
4
3
5
2
15
4
AHCT1G
ns
ns
pF
pF
pF
单位
2002年6月6日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向开关
推荐工作条件
74AHC1G66 ; 74AHCT1G66
74AHC1G66
符号
V
CC
V
I
V
S
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
开关电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 3.3
±0.3
V
V
CC
= 5.0
±0.5
V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
74AHCT1G66
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
V
V
V
°C
t
r
, t
f
100
20
20
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V） ;
注： 1 。
符号
V
CC
I
IK
I
SK
I
S
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
D
记
1.为了避免绘制V
CC
电流输出引脚Z，当开关电流流入端子Y，横跨上的电压降的
双向开关不得超过0.4 V.如果开关电流流入引脚Z，没有V
CC
电流流过输出引脚Y的
在这种情况下，不存在限制开关两端的电压降，但在销Y中的电压和Z可以不超过
V
CC
或GND 。
参数
电源电压
输入二极管电流
开关二极管电流
开关源或吸收电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
S
＆ LT ;
0.5
V或V
S
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
65
马克斯。
+7.0
20
±20
±25
±75
+150
250
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2002年6月6日
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向开关
特点
极低的导通电阻：
– 26
（典型值） V
CC
= 3.0 V
– 16
（典型值） V
CC
= 4.5 V
– 14
（典型值） V
CC
= 5.5 V.
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过1000 V.
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
SOT353和SOT753封装
输出能力：非标
从指定的
40
+125
°C.
快速参考数据
接地= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3纳秒。
74AHC1G66 ; 74AHCT1G66
描述
该74AHC1G / AHCT1G66是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74AHC1G / AHCT1G66提供一个模拟开关。
该开关具有两个输入/输出管脚（ Y和Z）和一个
高电平有效使能输入引脚（ E） 。当引脚E为低电平时，
模拟开关被关断。
典型
符号
t
PZH
/t
PZL
t
PHZ
/t
PLZ
C
I
C
PD
C
S
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ ((C
L
+ C
S
)
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
C
S
=以pF最大的开关电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
参数
开启时间E至V
os
关断时间E到V
os
输入电容
功率耗散电容
开关电容
C
L
= 50 pF的; F = 10MHz的;
注1和2
条件
AHC1G
C
L
= 15 pF的;
L
= 1 k;
V
CC
= 5 V
C
L
= 15 pF的;
L
= 1 k;
V
CC
= 5 V
3
5
2
13
4
3
5
2
15
4
AHCT1G
ns
ns
pF
pF
pF
单位
2002年6月6日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向开关
推荐工作条件
74AHC1G66 ; 74AHCT1G66
74AHC1G66
符号
V
CC
V
I
V
S
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
开关电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 3.3
±0.3
V
V
CC
= 5.0
±0.5
V
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
74AHCT1G66
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
V
V
V
°C
t
r
, t
f
100
20
20
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V） ;
注： 1 。
符号
V
CC
I
IK
I
SK
I
S
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
D
记
1.为了避免绘制V
CC
电流输出引脚Z，当开关电流流入端子Y，横跨上的电压降的
双向开关不得超过0.4 V.如果开关电流流入引脚Z，没有V
CC
电流流过输出引脚Y的
在这种情况下，不存在限制开关两端的电压降，但在销Y中的电压和Z可以不超过
V
CC
或GND 。
参数
电源电压
输入二极管电流
开关二极管电流
开关源或吸收电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
S
＆ LT ;
0.5
V或V
S
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
65
马克斯。
+7.0
20
±20
±25
±75
+150
250
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2002年6月6日
5
74AHC1G66 ; 74AHCT1G66
单刀单掷模拟开关
牧师04 - 2008年12月18日
产品数据表
1.概述
74AHC1G66和74AHCT1G66是高速硅栅CMOS器件。他们是
单刀单掷模拟开关。该开关具有两个输入/输出管脚（ Y和Z）
和一个高有效的使能输入引脚（ E）。当引脚E为低电平，模拟开关被打开
关。
2.特点
I
非常低的导通电阻：
N
26
（典型值）在V
CC
= 3.0 V
N
16
（典型值）在V
CC
= 4.5 V
N
14
（典型值）在V
CC
= 5.5 V
I
高噪声抗扰度
I
低功耗
I
平衡传输延迟
I
多种封装选择
I
ESD保护：
N
HMB JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
N
CDM JESD22- C101C超过1000 V
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
和
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74AHC1G66GW
74AHCT1G66GW
74AHC1G66GV
74AHCT1G66GV
40 °C
+125
°C
SC-74A
40 °C
+125
°C
名字
TSSOP5
描述
塑料薄小外形封装;
5线索;体宽1.25毫米
塑料表面贴装封装; 5线索
VERSION
SOT353-1
SOT753
类型编号
恩智浦半导体
74AHC1G66 ; 74AHCT1G66
单刀单掷模拟开关
4.标记
表2中。
标记代码
记号
AL
CL
A66
C66
类型编号
74AHC1G66GW
74AHCT1G66GW
74AHC1G66GV
74AHCT1G66GV
5.功能图
Z
E
Z
Y
001aag487
E
Y
V
CC
mna628
图1.逻辑符号
图2.逻辑图
6.管脚信息
6.1钢钉
74AHC1G66
74AHCT1G66
Y
Z
1
2
5
V
CC
GND
3
001aai834
4
E
图3 。
引脚CON组fi guration SOT353-1和SOT753
74AHC_AHCT1G66_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2008年12月18日
2 17
恩智浦半导体
74AHC1G66 ; 74AHCT1G66
单刀单掷模拟开关
6.2引脚说明
表3中。
符号
Y
Z
GND
E
V
CC
引脚说明
针
1
2
3
4
5
描述
独立的输入或输出
独立的输入或输出
接地（ 0 V ）
使能输入（高电平有效）
电源电压
7.功能描述
表4 。
输入E
L
H
[1]
H =高电压电平; L =低电压电平。
功能表
[1]
开关
关闭
ON
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
SK
I
SW
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
开关电流钳位
开关电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
民
0.5
20
-
-
-
75
65
最大
+7.0
-
±20
±25
75
-
+150
250
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电压的额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于TSSOP5和SC - 74A封装： 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0V）。
[1]
符号参数
V
CC
V
I
V
SW
电源电压
输入电压
开关电压
条件
民
2.0
0
0
74AHC1G66
典型值
5.0
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
4.5
0
0
74AHCT1G66
民
典型值
5.0
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
V
V
V
单位
74AHC_AHCT1G66_4
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恩智浦半导体
74AHC1G66 ; 74AHCT1G66
单刀单掷模拟开关
表6 。
推荐工作条件
- 续
电压参考GND（地= 0V）。
[1]
符号参数
T
AMB
ΔT/ ΔV
环境温度
输入过渡上升和V
CC
= 3.3
±
0.3 V
掉落率
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
[2]
[2]
条件
民
40
-
-
74AHC1G66
典型值
+25
-
-
最大
+125
100
20
40
-
-
74AHCT1G66
民
典型值
+25
-
-
最大
+125
-
20
单位
°C
NS / V
NS / V
[1]
为了避免绘制V
CC
电流输出引脚Z，当开关电流FL OWS的脚Y，横跨双向开关的电压降不得
超过0.4 V.如果开关电流FL OWS到脚Z，没有V
CC
当前意愿溢流出端子Y在这种情况下是没有限制的电压
降开关两端的，但在销Y和Z上的电压可能不会超过V
CC
或GND 。
适用于控制信号电平。
[2]
10.静态特性
表7中。
静态特性
电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
74AHC1G66
V
IH
高位
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 5.5 V
V
IL
低电平
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 5.5 V
I
I
I
S（ OFF）
输入漏
当前
关闭状态
泄漏
当前
导通状态
泄漏
当前
V
I
= 5.5 V或GND ;
V
CC
= 5.5 V
Y或Z ; V
CC
= 5.5 V;
SEE
图4
Y或Z ; V
CC
= 5.5 V;
SEE
图5
1.5
2.1
3.85
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
1.5
2.1
3.85
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
0.9
1.65
1.0
1.0
1.5
2.1
3.85
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
0.9
1.65
2.0
4.0
V
V
V
V
V
V
A
A
条件
民
25
°C
典型值
最大
40 °C
+85
°C 40 °C
+125
°C
单位
民
最大
民
最大
I
秒（上）
-
-
0.1
-
1.0
-
4.0
A
I
CC
C
I
C
秒（上）
电源电流E， Y或Z = V
CC
或GND ;
V
CC
= 5.5 V
输入
电容
导通状态
电容
高位
输入电压
低电平
输入电压
输入漏
当前
输入E
Y或Z输入或输出
-
-
-
-
2.0
4.0
1.0
10
10
-
-
-
10
10
10
-
-
-
40
10
10
A
pF
pF
74AHCT1G66
V
IH
V
IL
I
I
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
I
= 5.5 V或GND ;
V
CC
= 5.5 V
2.0
-
-
-
-
-
-
0.8
0.1
2.0
-
-
-
0.8
1.0
2.0
-
-
-
0.8
2.0
V
V
A
74AHC_AHCT1G66_4
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