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74AHC1G06 ; 74AHCT1G06
逆变器开漏输出
牧师06 - 2007年6月7日
产品数据表
1.概述
74AHC1G06和74AHCT1G06是高速硅栅CMOS器件。他们提供了一个
反相缓冲器。这些设备的输出是漏极开路,并且可以连接到
其他漏极开路输出来实现低有效,线或有效或高电平有效,线与
功能。对于数字操作此设备必须有一个上拉电阻,以建立一个逻辑
高级别。
该AHC设备具有CMOS输入电平转换和电源电压范围为2 V至5.5 V.
该AHCT器件具有TTL输入电平转换和电源电压范围为4.5 V至5.5 V.
2.特点
I
I
I
I
高噪声抗扰度
低功耗
SOT353-1和SOT753封装选项
ESD保护:
N
HBM JESD22 - A114E :超过2000 V
N
MM JESD22 - A115 -A :超过200 V
N
CDM JESD22 - C101C :超过1000 V
I
从特定网络版
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
温度范围
74AHC1G06GW
74AHCT1G06GW
74AHC1G06GV
74AHCT1G06GV
40 °C
+125
°C
SC-74A
40 °C
+125
°C
名字
TSSOP5
描述
塑料薄小外形封装;
5线索;体宽1.25毫米
塑料表面贴装封装; 5线索
VERSION
SOT353-1
SOT753
类型编号
恩智浦半导体
74AHC1G06 ; 74AHCT1G06
逆变器开漏输出
4.标记
表2中。
标记代码
记号
AR
A06
CR
C06
类型编号
74AHC1G06GW
74AHC1G06GV
74AHCT1G06GW
74AHCT1G06GV
5.功能图
Y
2
A
Y
4
A
mna584
2
4
Y
A
GND
mna586
mna585
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
图3.逻辑图
6.管脚信息
6.1钢钉
74AHC1G06
74AHCT1G06
北卡罗来纳州
A
1
2
5
V
CC
GND
3
001aaf097
4
Y
图4.引脚CON组fi guration
6.2引脚说明
表3中。
符号
北卡罗来纳州
A
GND
Y
V
CC
引脚说明
1
2
3
4
5
描述
没有连接
数据输入
接地( 0 V )
数据输出
电源电压
74AHC_AHCT1G06_6
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师06 - 2007年6月7日
2 11
恩智浦半导体
74AHC1G06 ; 74AHCT1G06
逆变器开漏输出
7.功能描述
表4 。
功能表
H =高电压电平; L =低电压电平; Z =高阻关断状态
输入
A
L
H
产量
Y
Z
L
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
V
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
输出电压
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
0.5
0.5
最大
+7.0
+7.0
-
±20
±25
+7.0
+7.0
75
-
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
V
V
mA
mA
°C
mW
V
I
& LT ;
0.5
V
V
O
& LT ;
0.5
V
V
O
& GT ;
0.5
V
主动模式
高阻抗模式
[1]
[1]
[1]
20
-
-
0.5
0.5
-
75
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于这两种TSSOP5和SC - 74A封装: 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
推荐工作条件
电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入转换崛起
和下降率
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
主动模式
高阻抗模式
条件
2.0
0
0
0
40
-
-
74AHC1G06
典型值
5.0
-
-
-
+25
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
6.0
+125
100
20
4.5
0
0
0
40
-
-
74AHCT1G06
典型值
5.0
-
-
-
+25
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
6.0
+125
-
20
V
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
单位
74AHC_AHCT1G06_6
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师06 - 2007年6月7日
3 11
恩智浦半导体
74AHC1G06 ; 74AHCT1G06
逆变器开漏输出
10.静态特性
表7中。
静态特性
电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
对于类型74AHC1G06
V
IH
高位
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 5.5 V
V
IL
低电平
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 5.5 V
V
OL
低电平
V
I
= V
IH
或V
IL
输出电压
I
O
= 50
A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
= 50
A;
V
CC
= 3.0 V
I
O
= 50
A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
= 4.0毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 8.0毫安; V
CC
= 4.5 V
I
I
I
OZ
I
CC
C
I
输入漏
当前
V
I
= 5.5 V或GND ;
V
CC
= 0 V至5.5 V
1.5
2.1
3.85
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0
0
0
-
-
-
-
-
1.5
-
-
-
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.1
±0.25
1.0
10
-
-
1.5
2.1
3.85
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
1.0
±2.5
10
10
-
-
1.5
2.1
3.85
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.55
0.55
2.0
±10.0
20
10
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
pF
条件
25
°C
典型值
最大
40 °C
+85
°C 40 °C
+125
°C
单位
最大
最大
关闭状态
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
O
= V
CC
or
输出电流接地; V
CC
= 5.5 V
电源电流V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 5.5 V
输入
电容
高位
输入电压
低电平
输入电压
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
对于类型74AHCT1G06
V
IH
V
IL
V
OL
2.0
-
-
-
-
0.8
2.0
-
-
0.8
2.0
-
-
0.8
V
V
低电平
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
CC
= 4.5 V
输出电压
I
O
= 50
A
I
O
= 8.0毫安
输入漏
当前
V
I
= 5.5 V或GND ;
V
CC
= 0 V至5.5 V
-
-
-
-
-
-
0
-
-
-
-
-
0.1
0.36
0.1
±0.25
1.0
1.35
-
-
-
0.1
0.44
1.0
±2.5
-
-
-
0.1
0.55
2.0
±10.0
V
V
A
A
A
mA
I
I
I
OZ
I
CC
I
CC
关闭状态
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
O
= V
CC
or
输出电流接地; V
CC
= 5.5 V
电源电流V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 5.5 V
另外
每个输入引脚; V
I
= 3.4 V;
电源电流等输入在V
CC
或GND ;
I
O
= 0 ; V
CC
= 5.5 V
输入
电容
-
-
10
1.5
-
-
20
1.5
C
I
-
1.5
10
-
10
-
10
pF
74AHC_AHCT1G06_6
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师06 - 2007年6月7日
4 11
恩智浦半导体
74AHC1G06 ; 74AHCT1G06
逆变器开漏输出
11.动态特性
表8 。
动态特性
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
=
3.0纳秒。测试电路见
图6 。
符号
参数
条件
对于类型74AHC1G06
t
PZL
关闭状态
以LOW
传播
延迟
一个为Y ;看
图5
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
t
PLZ
关闭状态
传播
延迟
一个为Y ;看
图5
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
PD
动力
耗散
电容
关闭状态
以LOW
传播
延迟
关闭状态
传播
延迟
动力
耗散
电容
每个缓冲区;
C
L
= 50 pF的; F = 1兆赫;
V
I
= GND到V
CC
一个为Y ;看
图5
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
t
PLZ
一个为Y ;看
图5
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
PD
每个缓冲区;
C
L
= 50 pF的; F = 1兆赫;
V
I
= GND到V
CC
[3]
[2]
[2]
[3]
[2]
[1]
[2]
[1]
25
°C
典型值
最大
40 °C
+85
°C 40 °C
+125
°C
单位
最大
最大
-
-
-
-
3.7
5.2
2.7
3.8
7.0
10.0
4.9
7.0
1.0
1.0
1.0
1.0
7.7
11.0
5.3
7.5
1.0
1.0
1.0
1.0
8.1
11.5
5.6
8.0
ns
ns
ns
ns
-
-
-
-
-
4.8
6.9
3.0
4.3
3
6.4
10.0
4.1
6.5
-
1.0
1.0
1.0
1.0
-
6.9
10.5
4.6
7.0
-
1.0
1.0
1.0
1.0
-
7.4
11.0
5.1
7.5
-
ns
ns
ns
ns
pF
对于类型74AHCT1G06
t
PZL
-
-
3.0
4.2
5.3
7.5
1.0
1.0
6.0
8.5
1.0
1.0
6.3
9.0
ns
ns
-
-
-
3.2
4.5
4.5
4.6
7.0
-
1.0
1.0
-
5.1
7.5
-
1.0
1.0
-
5.6
8.0
-
ns
ns
pF
[1]
[2]
[3]
典型值是在V测量
CC
= 3.3 V.
典型值是在V测量
CC
= 5.0 V.
C
PD
被用于确定所述动态功耗P
D
(W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在电压=电源电压
74AHC_AHCT1G06_6
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师06 - 2007年6月7日
5 11
集成电路
数据表
74AHC1G06 ; 74AHCT1G06
逆变器采用开漏输出
产品speci fi cation
取代2002年的数据2月21日
2002年5月28日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器采用开漏输出
特点
高噪声抗扰度
ESD保护:
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过1000 V.
低功耗
SOT353或SOT753封装
输出能力标准(漏极开路)
从指定的
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
3.0纳秒。
74AHC1G06 ; 74AHCT1G06
描述
该74AHC1G / AHCT1G06是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74AHC1G / AHCT1G06提供反相缓冲器。
该74AHC1G / AHCT1G06器件的输出是一个
漏极开路,并且可以连接到其他的开漏
输出实现低有效,有线-OR或
高电平有效,线与功能。对于数字操作
此设备必须有一个上拉电阻,以建立一个逻辑
高级别。
典型
符号
t
PZL
t
PLZ
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
功能表
见注1 。
输入
A
L
H
1. H =高电压电平;
L =低电压电平;
Z =高阻关断状态。
产量
Y
Z
L
参数
传播延迟为Y
传播延迟为Y
输入电容
功率耗散电容
C
L
= 50 pF的; F = 1兆赫;
注1和2
条件
AHC1G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
2.7
3.0
1.5
3
AHCT1G
3.0
3.2
1.5
4.5
ns
ns
pF
pF
单位
2002年5月28日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器采用开漏输出
订购信息
74AHC1G06 ; 74AHCT1G06
套餐
类型编号
74AHC1G06GW
74AHCT1G06GW
74AHC1G06GV
74AHCT1G06GV
钉扎
1
2
3
4
5
北卡罗来纳州
A
GND
Y
V
CC
符号
没有连接
数据输入A
接地( 0 V )
数据输出Y.
电源电压
描述
温度
范围
40
+125
°C
40
+125
°C
40
+125
°C
40
+125
°C
引脚
5
5
5
5
SC-88A
SC-88A
SC-74A
SC-74A
材料
塑料
塑料
塑料
塑料
CODE
SOT353
SOT353
SOT753
SOT753
记号
AR
CR
A06
C06
手册, halfpage
北卡罗来纳州1
A
GND
2
3
MNA583
5 VCC
手册, halfpage
2
A
Y
4
06
4
Y
MNA584
Fig.1引脚配置。
图2逻辑符号。
手册, halfpage
手册, halfpage
Y
A
2
4
Y
A
MNA585
GND
MNA586
图3 IEC逻辑符号。
图4的逻辑图。
2002年5月28日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器采用开漏输出
推荐工作条件
74AHC1G06 ; 74AHCT1G06
74AHC
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
主动模式
高阻抗模式
见直流和交流
每台设备的特点
V
CC
= 3.3
±0.3
V
V
CC
= 5
±0.5
V
条件
分钟。
2.0
0
0
0
40
40
典型值。
5.0
+25
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
6.0
+85
+125
100
20
分钟。
4.5
0
0
0
40
40
74AHCT
单位
典型值。
5.0
+25
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
6.0
+85
+125
20
V
V
V
V
°C
°C
NS / V
NS / V
t
r
, t
f
( ΔT/ ΔF )输入兴衰
时间比率
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) ;电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
V
O
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
输出钳位二极管
当前
输出电压
输出灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个功率耗散
V
I
& LT ;
0.5
V ;注1
V
O
& LT ;
0.5
V ;注1
主动模式;注1
高阻抗模式;注1
V
O
& GT ;
0.5
V
条件
分钟。
0.5
0.5
0.5
0.5
65
对于温度范围从
40
+125
°C
马克斯。
+7.0
+7.0
20
±20
V
CC
+ 0.5
7.0
±25
±75
+150
250
单位
V
V
mA
mA
V
V
mA
mA
°C
mW
2002年5月28日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器采用开漏输出
DC特性
74AHC1G06 ; 74AHCT1G06
74AHC1G家庭
在推荐工作条件;电压参考GND(地= 0V)。
测试条件
符号
参数
其他
V
IH
高级别输入
电压
V
CC
(V)
2.0
3.0
5.5
V
IL
低电平输入
电压
2.0
3.0
5.5
V
OL
低电平输出V
I
= V
IH
或V
IL
;
电压
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 4.0毫安
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 8.0毫安
I
LI
I
OZ
输入漏
当前
三态输出
关闭状态
当前
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
IH
或V
IL
;
V
O
= V
CC
或GND
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
5.5
分钟。
1.5
2.1
3.85
0
0
0
25
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.1
T
AMB
(°C)
40
+85
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
1.0
±2.5
40
以125单位
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.55
0.55
2.0
TYP 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。
1.5
2.1
3.85
1.5
2.1
3.85
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
±0.25
±10.0 A
I
CC
C
I
静态电源V
I
= V
CC
或GND ;
当前
I
O
= 0
输入
电容
5.5
1.5
1.0
10
10
10
20
10
A
pF
2002年5月28日
5
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