74AHCT1G02
单路2输入正或非门
描述
该74AHCT1G02是一个2输入正与NOR门
一个标准的图腾柱输出。该设备是专为
操作在4.5V至5.5V的电源电压范围。该
门进行了积极的布尔函数：
引脚分配
（ TOP VIEW ）
A
1
5 VCC
Y
=
A
+
B
新产品
or
Y
=
A
B
B 2
GND 3
4 Y
SOT25 / SOT353
特点
电源电压范围为4.5V至5.5V
±8 mA输出驱动电压为5.0V
CMOS低功耗
施密特触发器动作在所有输入使电路
宽容的输入速度较慢的上升和下降时间。
每JESD 22 ESD保护
o
o
o
超过200 -V机型号（ A115 -A ）
超过2000 -V人体模型（ A114 -A ）
超过1000 -V带电器件模型（ C101C ）
应用
通用逻辑
的产品，如各种各样的：
o
o
o
o
o
电脑，网络，笔记本电脑，上网本，掌上电脑
电脑外设，硬盘驱动器， CD / DVD-ROM
电视， DVD ， DVR ，机顶盒
手机，个人导航/全球定位系统
MP3播放器，摄像机，录像机
闭锁超过每JESD 78 ， II类100毫安
SOT25和SOT353 ：组装与“绿色”模塑
（无溴，锑）
无铅涂层/符合RoHS （注1 ）
1.欧盟指令2002/ 95 / EC （ RoHS指令） 。所有适用的RoHS指令的豁免申请。请访问我们的网站：
http://www.diodes.com/products/lead_free.html 。
注意事项：
74AHCT1G02
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1第8
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Diodes公司
74AHCT1G02
单路2输入正或非门
绝对最大额定值
（注2 ）
符号
ESD HBM
防静电清洁发展机制
ESD MM
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
J
T
英镑
注意事项：
描述
人体模型ESD保护
带电器件模型ESD保护
机器模型ESD保护
电源电压范围
输入电压范围
电压施加到输出在高或低的状态
输入钳位电流V
I
<0
输出钳位电流（V
O
＆ LT ; 0或V
O
＆ GT ; V
CC
)
连续输出电流（V
O
= 0至V
CC
)
连续电流通过V
CC
连续电流通过GND
工作结温
储存温度
等级
2
1
200
-0.5 6.5
-0.5 6.5
-0.5到V
CC
+0.5
-20
±20
±25
50
-50
-40至150
-65到150
单位
KV
KV
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
新产品
2.强调超过绝对最大可能会导致立即出现故障或降低可靠性。这些都是强调价值观和设备操作应
在推荐值。
推荐工作条件
（注3）
符号
V
CC
V
IH
V
IL
V
I
V
O
I
OH
I
OL
ΔT/ ΔV
T
A
注意事项：
参数
工作电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电压
输出电压
高电平输出电流
低电平输出电流
输入转换上升或下降
率
工作自由空气
温度
民
4.5
2.0
最大
5.5
0.8
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
NS / V
C
0
0
5.5
V
CC
-8
8
20
-40
125
3.未使用的输入应在VCC或地举行。
74AHCT1G02
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74AHCT1G02
单路2输入正或非门
电气特性
符号
V
OH
V
OL
I
I
参数
测试条件
V
CC
4.5V
4.5V
4.5V
4.5V
0至5.5V
5.5V
5.5V
2.0
25C
典型值。
4.5
0
-40oC至85oC
民
最大
4.4
3.8
0.1
0.44
±1
10
10
-40oC至125oC
民
最大
4.4
3.70
0.1
0.55
±2
40
10
单位
V
V
μA
μA
pF
I
OH
= -50μA
高层
输出电压余
OH
= -8mA
I
OL
= 50μA
低层
输出电压余
OL
= 8毫安
V
I
= 5.5V或GND
V
I
= 5.5V或GND
电源电流
I
O
=0
V
I
= V
CC
“或
输入
电容
GND
一个输入在3.4
另外
V其他输入在
电源电流
V
CC
或GND
热
SOT25
阻力
结点到
SOT353
环境
热
SOT25
阻力
结点到
SOT353
例
输入电流
民
4.4
3.94
最大
0.1
0.36
± 0.1
1
10
新产品
I
CC
C
i
ΔI
CC
5.5V
204
（注4 ）
371
52
（注4 ）
143
1.35
1.5
mA
θ
JA
o
C / W
θ
JC
o
C / W
注意：
4.测试条件为SOT25和SOT353 ：设备安装在FR-4基板的PC板， 2盎司覆铜，以最小的推荐焊盘布局。
开关特性
V
CC
= 5V ± 0.5V
（参见图1）
参数
t
pd
从
（输入）
A或B
TO
（输出）
Y
C
L
=15pF
C
L
=50pF
民
0.6
0.6
25C
典型值。
3.5
4.9
最大
5.5
7.5
-40oC至85oC
民
最大
0.6
0.6
6.5
8.5
-40oC至125oC
民
最大
0.6
0.6
7.0
9.5
单位
ns
ns
工作特性
T
A
= 25 C
参数
C
pd
功率耗散电容
TEST
条件
F = 1 MHz的
空载
V
CC
= 5V
典型值。
15
单位
pF
74AHCT1G02
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入或非门
特点
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过1000 V.
低功耗
平衡传输延迟
非常小的5引脚封装
输出能力：标准
从指定的
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC1G02 ; 74AHCT1G02
描述
该74AHC1G / AHCT1G02是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74AHC1G / AHCT1G02提供二输入NOR
功能。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
参数
传播延迟A和B为Y
输入电容
功率耗散电容
C
L
= 50 pF的; F = 1兆赫;
注1和2
条件
AHC1G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
3.2
1.5
18
AHCT1G
3.5
1.5
19
ns
pF
pF
单位
2002年5月27日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入或非门
74AHC1G02 ; 74AHCT1G02
手册， halfpage
1
2
≥
1
MNA104
手册， halfpage
B
Y
A
MNA105
4
图3 IEC逻辑符号。
图4的逻辑图。
推荐工作条件
74AHC1G
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入兴衰
时
见直流和交流
每个特性
设备
V
CC
= 3.3
±0.3
V
V
CC
= 5
±0.5
V
条件
分钟。
2.0
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
V
V
V
°C
74AHCT1G
单位
t
r
, t
f
（ΔT /ΔF ）
100
20
20
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
0.5
65
马克斯。
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2002年5月27日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入或非门
DC特性
74AHC1G02 ; 74AHCT1G02
家庭74AHC1G
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
测试条件
符号
参数
其他
V
IH
高级别输入
电压
V
CC
(V)
2.0
3.0
5.5
V
IL
低电平输入
电压
2.0
3.0
5.5
V
OH
高电平的输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
50 A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
50 A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
50 A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
4.0
mA
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
8.0
mA
V
OL
低电平输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 4.0毫安
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 8.0毫安
I
LI
I
CC
C
I
输入漏
当前
静态电源
当前
输入电容
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND ;
I
O
= 0
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
5.5
25
分钟。
1.5
2.1
3.85
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
2.0
3.0
4.5
0
0
0
1.5
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.1
1.0
10
T
AMB
(°C)
40
+85
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
1.0
10
10
40
+125
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.55
0.55
2.0
40
10
单位
TYP 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。
1.5
2.1
3.85
1.9
2.9
4.4
2.48
3.8
1.5
2.1
3.85
1.9
2.9
4.4
2.40
3.70
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
2002年5月27日
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入或非门
特点
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过1000 V.
低功耗
平衡传输延迟
非常小的5引脚封装
输出能力：标准
从指定的
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC1G02 ; 74AHCT1G02
描述
该74AHC1G / AHCT1G02是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74AHC1G / AHCT1G02提供二输入NOR
功能。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
参数
传播延迟A和B为Y
输入电容
功率耗散电容
C
L
= 50 pF的; F = 1兆赫;
注1和2
条件
AHC1G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
3.2
1.5
18
AHCT1G
3.5
1.5
19
ns
pF
pF
单位
2002年5月27日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入或非门
74AHC1G02 ; 74AHCT1G02
手册， halfpage
1
2
≥
1
MNA104
手册， halfpage
B
Y
A
MNA105
4
图3 IEC逻辑符号。
图4的逻辑图。
推荐工作条件
74AHC1G
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入兴衰
时
见直流和交流
每个特性
设备
V
CC
= 3.3
±0.3
V
V
CC
= 5
±0.5
V
条件
分钟。
2.0
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
V
V
V
°C
74AHCT1G
单位
t
r
, t
f
（ΔT /ΔF ）
100
20
20
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
0.5
65
马克斯。
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2002年5月27日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入或非门
DC特性
74AHC1G02 ; 74AHCT1G02
家庭74AHC1G
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
测试条件
符号
参数
其他
V
IH
高级别输入
电压
V
CC
(V)
2.0
3.0
5.5
V
IL
低电平输入
电压
2.0
3.0
5.5
V
OH
高电平的输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
50 A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
50 A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
50 A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
4.0
mA
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
8.0
mA
V
OL
低电平输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 4.0毫安
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 8.0毫安
I
LI
I
CC
C
I
输入漏
当前
静态电源
当前
输入电容
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND ;
I
O
= 0
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
5.5
25
分钟。
1.5
2.1
3.85
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
2.0
3.0
4.5
0
0
0
1.5
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.1
1.0
10
T
AMB
(°C)
40
+85
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
1.0
10
10
40
+125
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.55
0.55
2.0
40
10
单位
TYP 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。
1.5
2.1
3.85
1.9
2.9
4.4
2.48
3.8
1.5
2.1
3.85
1.9
2.9
4.4
2.40
3.70
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
2002年5月27日
5
QQ：2880707522 复制
