飞利浦半导体
产品speci fi cation
四缓冲器/线路驱动器;三态
特点
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 -A
超过2000伏
MM EIA / JESD22 - A115 -A
超过200 V
CDM EIA / JESD22- C101
超过1000 V
平衡传输延迟
所有的输入有施密特触发器
操作
投入比接受更高的电压
V
CC
对于AHC只：
与CMOS输入电平工作
对于AHCT只：
与TTL电平输入操作
从指定的
40
至+85和+125
°C.
描述
该74AHC / AHCT126是
高速硅栅CMOS器件
引脚与兼容低
功率肖特基TTL （ LSTTL ） 。他们
与指定符合
JEDEC标准没有。 7A 。
该74AHC / AHCT126四
非反相缓冲器/线路驱动器与
三态输出。三态输出
（ NY ）由输出控制
使能输入（ NOE ）一个低点NOE
使输出假定一个
高阻关断状态。
该' 126'是相同的' 125 '，但
具有高电平有效使能输入。
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不关心;
Z =高阻关断状态。
功能表
见注1 。
输入
诺埃
H
H
L
74AHC126 ; 74AHCT126
产量
nA
L
H
X
nY
L
H
Z
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
O
C
PD
参数
传播延迟
nA至纽约
输入电容
输出电容
功耗
电容
C
L
= 50 pF的;
F = 1兆赫;
注1和2
条件
AHC
C
L
= 15 pF的;
V
CC
= 5 V
V
I
= V
CC
或GND
3.3
3.0
4.0
10
AHCT
3.0
3.0
4.0
12
ns
pF
pF
pF
单位
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
钉扎
针
1，4， 10和13
2，图5 ，图9和12
3，图6 ，图8和11
7
14
符号
图10E至如图40E所示
1A至4A
1Y到4Y
GND
V
CC
2
描述
输出使能输入（高电平有效）
数据输入
数据输出
接地（ 0 V ）
直流电源电压
1999年09月29日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四缓冲器/线路驱动器;三态
推荐工作条件
74AHC126 ; 74AHCT126
74AHC
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
直流电源电压
输入电压
输出电压
工作环境温度
范围
见直流和交流
每个特性
设备
V
CC
= 5 V
±0.5
V
条件
分钟。
2.0
0
0
40
40
典型值。马克斯。分钟。
5.0
+25
+25
5.5
5.5
V
CC
+85
4.5
0
0
40
74AHCT
单位
典型值。马克斯。
5.0
+25
+25
5.5
5.5
V
CC
+85
V
V
V
°C
+125
40
100
20
+125
°C
20
NS / V
t
r
,t
f
（ ΔT/ ΔF ）输入上升和下降率
V
CC
= 3.3 V
±0.3
V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.对于SO封装： 70以上
°C
P的值
D
减额线性8毫瓦/ K 。
对于TSSOP封装： 60岁以上
°C
P的值
D
减额线性5.5毫瓦/ K 。
参数
直流电源电压
输入电压范围
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC V
CC
或GND电流
存储温度范围
每个封装功耗
对于温度范围：
40
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
条件
分钟。马克斯。单位
0.5
0.5
65
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
500
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
DC输出源或灌电流
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
+150
°C
1999年09月29日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四缓冲器/线路驱动器;三态
DC特性
74AHC126 ; 74AHCT126
74AHC系列
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
测试条件
符号
参数
其他
V
IH
高级别输入
电压
V
CC
(V)
2.0
3.0
5.5
V
IL
低电平输入
电压
2.0
3.0
5.5
V
OH
高电平的输出
电压;所有
输出
高电平的输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
50 A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
4.0
mA
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
8.0
mA
V
OL
低电平输出
电压;所有
输出
低电平输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 4毫安
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 8毫安
I
I
I
OZ
I
CC
C
I
输入漏
当前
三态输出
关断电流
静态电源
当前
输入电容
V
I
= V
CC
或GND
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
分钟。
1.5
2.1
1.9
2.9
4.4
2.0
3.0
4.5
25
典型值。
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.1
T
AMB
(°C)
40
+85
0.5
0.9
1.65
40
以125单位
0.5
0.9
1.65
V
V
V
MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。
1.5
2.1
1.9
2.9
4.4
1.5
2.1
1.9
2.9
4.4
V
3.85
3.85
3.85
2.58
3.94
0
0
0
3
2.48
3.8
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
1.0
±2.5
20
10
2.40
3.70
0.1
0.1
0.1
0.55
0.55
2.0
V
V
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
5.5
V
O
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND ;
I
O
= 0
5.5
±0.25
2.0
10
±10.0 A
40
10
A
pF
1999年09月29日
5
74AHC126 ; 74AHCT126
四缓冲器/线路驱动器;三态
牧师04 - 2009年8月12日
产品数据表
1.概述
该74AHC126 ; 74AHCT126是高速硅栅CMOS器件，其引脚兼容
低功耗肖特基TTL （ LSTTL ） 。这是符合JEDEC标准的特定网络版
第7 -A 。
该74AHC126 ; 74AHCT126提供了四个非反相缓冲器/线路驱动器，具有三态
输出。三态输出（纽约州）是由输出使能输入（ NOE ）控制。
一个低级别的引脚NOE使输出呈高阻抗OFF状态。
该74AHC126 ; 74AHCT126是相同的74AHC125 ; 74AHCT125但活跃
高输出使能输入。
2.特点
I
I
I
I
平衡传输延迟
所有的输入有施密特触发器动作
输入接受比V更高的电压
CC
输入电平：
N
对于74AHC126 ： CMOS电平
N
对于74AHCT126 ： TTL电平
I
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
N
CDM JESD22- C101C超过1000 V
I
多种封装选择
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
从
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
74AHC126 ; 74AHCT126
四缓冲器/线路驱动器;三态
5.管脚信息
5.1钢钉
74AHC126
74AHCT126
1OE
1A
1Y
2OE
2A
2Y
GND
1
2
3
4
5
6
7
001aac982
74AHC126
74AHCT126
1OE
2
3
4
5
6
7
GND
3Y
8
GND
(1)
1
13如图40E所示
12 4A
11 4Y
10 3Oe时
9
8
3A
3Y
14 V
CC
1号航站楼
索引区
1A
1Y
2OE
2A
2Y
14 V
CC
13如图40E所示
12 4A
11 4Y
10 3Oe时
9
3A
001aak180
透明的顶视图
（1）模具基体是利用连接到该垫
导电芯片粘接材料。它不能被用作
电源引脚或输入。
图4.引脚CON组fi guration SO14和TSSOP14
图5.引脚CON组fi guration DHVQFN14
5.2引脚说明
表2中。
符号
1OE
1A
1Y
2OE
2A
2Y
GND
3Y
3A
3OE
4Y
4A
4OE
V
CC
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
描述
输出使能输入1（高电平有效）
数据输入1
数据输出1
输出使能输入端2（高电平有效）
数据输入2
数据输出2
接地（ 0 V ）
数据输出3
数据输入3
输出使能输入端3（高电平有效）
数据输出4
数据输入4
输出使能输入端4（高电平有效）
电源电压
74AHC_AHCT126_4
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2009年8月12日
3 15
恩智浦半导体
74AHC126 ; 74AHCT126
四缓冲器/线路驱动器;三态
6.功能描述
表3中。
控制
诺埃
H
H
L
[1]
H =高电压状态;
L =低电压状态;
X =不关心;
Z =高阻关断状态。
功能表
[1]
输入
nA
L
H
X
产量
nY
L
H
Z
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
民
0.5
0.5
最大
+7.0
+7.0
-
+20
+25
+75
-
+150
500
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
=
0.5
V到（V
CC
+ 0.5 V)
[1]
[1]
20
20
25
-
75
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于SO14封装： 70以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于TSSOP14封装： 60岁以上
°C
P的值
合计
减额线性5.5毫瓦/ K 。
对于DHVQFN14包： 60岁以上
°C
P的值
合计
减额线性在4.5毫瓦/ K 。
74AHC_AHCT126_4
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2009年8月12日
4 15
QQ：2880707522 复制
