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集成电路
数据表
74AHC04 ; 74AHCT04
六反相器
产品speci fi cation
取代1999年的数据02月25日
在集成电路， IC06文件
1999年09月27
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六反相器
特点
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 -A
超过2000伏
MM EIA / JESD22 - A115 -A
超过200 V
平衡传输延迟
投入比接受更高的电压
V
CC
对于AHC只：
与CMOS输入电平工作
对于AHCT只：
与TTL电平输入操作
从指定的
40
至+85和+125
°C.
描述
该74AHC / AHCT04是高速
硅栅CMOS器件和引脚
低功耗肖特基兼容
TTL （ LSTTL ） 。它们是在指定
符合JEDEC标准
没有。 7A 。
该74AHC / AHCT04提供六
反相缓冲器。
功能表
见注1 。
输入nA的
L
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平。
输出NY
H
L
C
I
C
PD
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC04 ; 74AHCT04
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播
延迟nA至纽约
输入
电容
条件
AHC
C
L
= 15 pF的;
V
CC
= 5 V
V
I
= V
CC
或GND
3.0
4.0
13.5
AHCT
3.0
4.0
13.9
ns
pF
pF
单位
功耗
L
= 50 pF的;
电容
F = 1兆赫;
注1和2
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
钉扎
针
1，3， 5 ，9，11和13
2，4， 6，8， 10和12的
7
14
符号
1A至6A
1Y到6Y
GND
V
CC
描述
数据输入
数据输出
接地（ 0 V ）
直流电源电压
1999年09月27
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六反相器
订购信息
北外
AMERICA
74AHC04D
74AHC04PW
74AHCT04D
74AHCT04PW
74AHC04 ; 74AHCT04
套餐
北美
引脚
74AHC04D
74AHC04PW DH
74AHCT04D
74AHCT04PW DH
14
14
14
14
包
SO
TSSOP
SO
TSSOP
材料
塑料
塑料
塑料
塑料
CODE
SOT108-1
SOT402-1
SOT108-1
SOT402-1
手册， halfpage
1A
1Y
2A
2Y
3A
3Y
GND
1
2
3
4
5
6
7
MNA340
14 VCC
13 6A
12 6Y
04
11 5A
10 5Y
9
4A
手册， halfpage
A
Y
MNA341
8 4Y
Fig.1引脚配置。
图2的逻辑图（ 1栅极） 。
手册， halfpage
手册， halfpage
1
1
1A
1Y
2
3
1
2
1
3
2A
2Y
4
4
5
3A
3Y
6
5
1
6
9
4A
4Y
8
9
1
8
11
5A
5Y
10
11
1
10
13
6A
6Y
12
13
1
MNA343
MNA342
12
图3的功能框图。
图4 IEC逻辑符号。
1999年09月27
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六反相器
推荐工作条件
74AHC
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
直流电源电压
输入电压
输出电压
工作环境温度
范围
见直流和交流
每个特性
设备
V
CC
= 5 V
±0.5
V
条件
分钟。
2.0
0
0
40
40
74AHC04 ; 74AHCT04
74AHCT
单位
典型值。马克斯。
5.0
+25
+25
5.5
5.5
V
CC
+85
V
V
V
°C
典型值。马克斯。分钟。
5.0
+25
+25
5.5
5.5
V
CC
+85
4.5
0
0
40
+125
40
100
20
+125
°C
20
NS / V
t
r
,t
f
（ ΔT/ ΔF ）输入上升和下降时间除外
对于施密特触发器输入
V
CC
= 3.3 V
±0.3
V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.对于SO封装： 70以上
°C
P的值
D
减额线性8毫瓦/ K 。
对于TSSOP封装： 60岁以上
°C
P的值
D
减额线性5.5毫瓦/ K 。
参数
直流电源电压
输入电压范围
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC V
CC
或GND电流
存储温度范围
每个封装功耗
对于温度范围：
40
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
条件
分钟。马克斯。单位
0.5
0.5
65
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
500
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
DC输出源或灌电流
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
+150
°C
1999年09月27
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六反相器
DC特性
74AHC04 ; 74AHCT04
74AHC系列
在推荐工作条件;电压都参考GND（地= 0V）。
测试条件
符号
参数
其他
V
IH
高级别输入
电压
V
CC
(V)
2.0
3.0
5.5
V
IL
低电平输入
电压
2.0
3.0
5.5
V
OH
高电平的输出
电压;所有
输出
高电平的输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
50 A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
4.0
mA
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
8.0
mA
V
OL
低电平输出
电压;所有
输出
低电平输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 4毫安
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 8毫安
I
I
I
OZ
I
CC
C
I
输入漏
当前
三态输出
关断电流
静态电源
当前
输入电容
V
I
= V
CC
或GND
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
分钟。
1.5
2.1
1.9
2.9
4.4
2.0
3.0
4.5
25
典型值。
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.1
T
AMB
(°C)
40
+85
0.5
0.9
1.65
40
以125单位
0.5
0.9
1.65
V
V
V
MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。
1.5
2.1
1.9
2.9
4.4
1.5
2.1
1.9
2.9
4.4
V
3.85
3.85
3.85
2.58
3.94
0
0
0
3
2.48
3.8
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
1.0
±2.5
40
10
2.40
3.70
0.1
0.1
0.1
0.55
0.55
2.0
V
V
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
5.5
V
O
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND ;
I
O
= 0
5.5
±0.25
4.0
10
±10.0 A
80
10
A
pF
1999年09月27
5
查看更多74AHCT04PWPDF信息
推荐型号
74536
74F573DC
768143473DPSP
70555-0014
74AHCT541D
74ALVC162601TX
750311592
7565EN103M10
74VCXH16240
742C083180XP
7HCT1284D
744777127
7511F2
7101SD9APE
744373490056
7070-03-BCO
7410DC
74AHC541PW-T
70-IDC5K
74F655A
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    74AHCT04PW
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74AHCT04PW
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24+
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TSSOP
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74AHCT04PW
PHI
15+
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