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集成电路
数据表
74AHC86 ; 74AHCT86
四2输入异或门
产品speci fi cation
在集成电路, IC06文件
1999年9月17日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入异或门
特点
ESD保护:
HBM EIA / JESD22 - A114 -A
超过2000伏
MM EIA / JESD22 - A115 -A
超过200 V
CDM EIA / JESD22- C101
超过1000 V
投入比接受更高的电压
V
CC
对于AHC只:
与CMOS输入电平工作
对于AHCT只:
与TTL电平输入操作
从指定的
40
+85
°C
40
+125
°C.
描述
该74AHC / AHCT86是高速
硅栅CMOS器件和引脚
低功耗肖特基兼容
TTL ( LSTTL ) 。它们是在指定
符合JEDEC标准
没有。 7A 。
该74AHC / AHCT86提供
2输入异或功能。
74AHC86 ; 74AHCT86
快速参考数据
接地= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
3.0纳秒。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
O
C
PD
参数
传播延迟
呐, NB到纽约
输入电容
功耗
电容
条件
AHC
C
L
= 15 pF的;
V
CC
= 5 V
V
I
= V
CC
或GND
C
L
= 50 pF的;
F = 1兆赫;
注1和2
3.4
3.0
4.0
10
AHCT
3.4
3.0
4.0
12
ns
pF
pF
pF
单位
输出电容V
I
= V
CC
或GND
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
) =产出的总和;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
功能表
见注1 。
输入
nA
L
L
H
H
1. H =高电压电平;
L =低电压电平。
nB
L
H
L
H
产量
nY
L
H
H
L
订购信息
北外
AMERICA
74AHC86D
74AHC86PW
74AHCT86D
74AHCT86PW
套餐
北美
引脚
74AHC86D
74AHC86PW DH
74AHCT86D
74AHCT86PW DH
14
14
14
14
SO
TSSOP
SO
TSSOP
材料
塑料
塑料
塑料
塑料
CODE
SOT108-1
SOT402-1
SOT108-1
SOT402-1
1999年9月17日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入异或门
钉扎
1 ,图4,图9和12
2 ,5,10和13
3,图6 ,图8和11
7
14
符号
1A至4A
1B到4B
1Y到4Y
GND
V
CC
数据输入
数据输入
数据输出
接地( 0 V )
直流电源电压
74AHC86 ; 74AHCT86
描述
手册, halfpage
手册, halfpage
1A
1B
1Y
2A
2B
2Y
GND
1
2
3
4
5
6
7
MNA455
1
2
4
5
9
10
12
13
14 VCC
13 4B
12 4A
1A
1B
2A
2B
3A
3B
4A
4B
1Y
3
2Y
6
86
11 4Y
10 3B
9
3A
3Y
8
4Y
11
8 3Y
MNA456
Fig.1引脚配置。
图2逻辑符号。
手册, halfpage
1
2
=
1
3
4
5
=
1
6
手册, halfpage
A
9
10
Y
=
1
8
B
MNA458
12
13
=
1
11
MNA457
图3 IEC逻辑符号。
图4的逻辑图( 1栅极) 。
1999年9月17日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入异或门
推荐工作条件
74AHC
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
直流电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
见直流和交流
每台设备的特点
条件
分钟。
2.0
0
0
40
40
典型值。
5.0
+25
+25
74AHC86 ; 74AHCT86
74AHCT
单位
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+85
+125
100
20
分钟。
4.5
0
0
40
40
典型值。
5.0
+25
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+85
+125
20
V
V
V
°C
°C
NS / V
t
r
,t
f
( ΔT/ ΔF )输入兴衰
V
CC
= 3.3
±0.3
V
除次
V
CC
= 5
±0.5
V
施密特触发器输入
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) ;电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.对于SO封装: 70以上
°C
P的值
D
减额线性8毫瓦/ K 。
对于TSSOP封装: 60岁以上
°C
P的值
D
减额线性5.5毫瓦/ K 。
参数
直流电源电压
输入电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC输出源或灌电流
DC V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围:
40
+125
°C;
注2
V
I
& LT ;
0.5
V ;注1
V
O
& LT ;
0.5
V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
0.5
65
马克斯。
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
+150
500
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
1999年9月17日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四2输入异或门
DC特性
74AHC86 ; 74AHCT86
家庭74AHC
在推荐工作条件;电压都参考GND(地= 0V)。
测试条件
符号
参数
其他
V
IH
高级别输入
电压
V
CC
(V)
2.0
3.0
5.5
V
IL
低电平输入
电压
2.0
3.0
5.5
V
OH
高电平的输出
电压;所有
输出
高电平的输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
50 A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
4.0
mA
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
8.0
mA
V
OL
低电平输出
电压;所有
输出
低电平输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 4.0毫安
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 8.0毫安
I
I
I
OZ
I
CC
C
I
输入漏
当前
三态输出
关断电流
静态电源
当前
输入电容
V
I
= V
CC
或GND
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
分钟。
1.5
2.1
1.9
2.9
4.4
2.0
3.0
4.5
25
典型值。
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.1
T
AMB
(°C)
40
+85
0.5
0.9
1.65
40
以125单位
0.5
0.9
1.65
V
V
V
MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。
1.5
2.1
1.9
2.9
4.4
1.5
2.1
1.9
2.9
4.4
V
3.85
3.85
3.85
2.58
3.94
0
0
0
3
2.48
3.8
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
1.0
±2.5
20
10
2.40
3.70
0.1
0.1
0.1
0.55
0.55
2.0
V
V
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
5.5
V
O
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND ;
I
O
= 0
5.5
±0.25
2.0
10
±10.0 A
40
10
A
pF
1999年9月17日
5
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