飞利浦半导体
产品speci fi cation
双D- FL型IP- FL运算与置位和复位;
上升沿触发
特点
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 -A
超过2000伏
MM EIA / JESD22 - A115 -A
超过200 V
平衡传输延迟
投入比接受更高的电压
V
CC
对于AHC只：
与CMOS输入电平工作
对于AHCT只：
与TTL电平输入操作
输出能力：标准
I
CC
类别：触发器
从指定的
40
至+85和+125
°C.
描述
该74AHC / AHCT74是高速
硅栅CMOS器件和引脚
低功耗肖特基兼容
TTL （ LSTTL ） 。它们是在指定
符合JEDEC标准
没有。 7A 。
该74AHC / AHCT74双
正边沿触发的，D型
触发器与个别数据（D）的
输入时钟（ CP ）的投入，设置（S
D
）和
复位（R
D
）输入;还
互补Q及输出。
置位和复位是异步的
低电平有效的输入和操作
独立的时钟输入。
在数据输入的信息
传送到Q输出端上的
低到高的时钟转变
脉搏。在D投入必须保持稳定
一个建立时间之前
低到高的时钟跳变
可预测的操作。
在时钟的施密特触发器动作
输入使得电路非常宽容
以较慢的时钟上升和下降时间。
f
最大
C
I
C
PD
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC74 ; 74AHCT74
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟
NCP为NQ ， NQ
nS
D
， NR
D
为NQ ， NQ
马克斯。时钟频率
输入电容
功耗
电容
C
L
= 50 pF的;
F = 1兆赫;
注1和2
条件
AHC AHCT
C
L
= 15 pF的;
V
CC
= 5 V
3.7
3.7
130
V
I
= V
CC
或GND 4.0
12
3.3
3.7
100
4.0
16
ns
ns
兆赫
pF
pF
单位
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率; F
o
=以MHz输出频率;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
功能表
表1
见注1
输入
nS
D
L
H
L
表2
nR
D
H
L
L
见注1
输入
nS
D
H
H
nR
D
H
H
NCP
↑
↑
nD
L
H
产量
nQ
n+1
L
H
nQ
n+1
H
L
NCP
X
X
X
nD
X
X
X
nQ
H
L
H
产量
nQ
L
H
H
注意，表1和表2
1. H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不关心;
↑
=低到高CP的过渡;
Q
n+1
=下一个低到高CP转型后的状态。
1999年09月23日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双D- FL型IP- FL运算与置位和复位;
上升沿触发
推荐工作条件
74AHC
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
直流电源电压
输入电压
输出电压
工作环境温度
见直流和交流
每个特性
设备
V
CC
= 5 V
±0.5
V
条件
分钟。
2.0
0
0
40
40
74AHC74 ; 74AHCT74
74AHCT
单位
典型值。马克斯。
5.0
+25
+25
5.5
5.5
V
CC
+85
V
V
V
°C
典型值。马克斯。分钟。
5.0
+25
+25
5.5
5.5
V
CC
+85
4.5
0
0
40
+125
40
100
20
+125
°C
20
NS / V
t
r
,t
f
（ ΔT/ ΔF ）输入上升和下降率
V
CC
= 3.3 V
±0.3
V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.对于SO封装： 70以上
°C
P的值
D
减额线性8毫瓦/ K 。
对于TSSOP封装： 60岁以上
°C
P的值
D
减额线性5.5毫瓦/ K 。
参数
直流电源电压
输入电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围：
40
+85
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
条件
分钟。马克斯。单位
0.5
0.5
65
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
500
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
DC输出源或灌电流
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
+150
°C
1999年09月23日
5
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