74AHC595
与8位输出寄存器的8位移位寄存器
描述
该74AHC595是一种先进的高速CMOS器件。
一个8位的移位寄存器接受来自上串行输入（ DS）中的数据
在移位寄存器时钟（ STCP ）的每个正跳变。
零，并独立于所有时钟。
从输入串行移位寄存器中的数据被放置在输出寄存器
一个上升脉冲对存储器时钟电阻（ SHCP ） 。与
输出使能（ OE低电平三态输出Q0- Q7成为
积极出席。
所有寄存器捕捉上升沿数据和更改输出的
下降沿。如果两个时钟连在一起，输入移位
寄存器是永远领先于输出寄存器一个时钟周期。
当
低电平复位功能（ MR）将所有移位寄存器的值
引脚分配
特点
宽电源电压范围为2.0 V至5.5V
汇或来源8毫安在V
CC
= 4.5V
CMOS低功耗
施密特触发器动作在所有输入
输入接受高达5.5V
每JESD 22 ESD保护测试
超过200 -V机型号（ A115 -A ）
超过2000 -V人体模型（ A114 -A ）
超过1000 -V带电器件模型（ C101C ）
应用
通用逻辑
串行到并行数据的转换
捕捉并保持长时间的数据
从单片机控制，因为允许简单的串行比特流
根据需要许多外围线
的产品，如各种各样的：
电脑外设
家电
工业控制
闭锁超过每JESD 78 ， II类250毫安
完全无铅&完全符合RoHS （注1 & 2 ）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注3 ）
注意事项：
1.没有故意添加铅。全欧盟指令2002/ 95 / EC指令（RoHS ） & 2011/65 / EU指令（RoHS 2 ）兼容。
2.关于卤素 - 和无锑， "Green"的Diodes公司的定义的详细信息，请参阅http://www.diodes.com/quality/lead_free.html
和无铅。
3.卤素 - 锑 - 自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴， <900ppm氯（ <1500ppm总溴+ Cl）的和
<1000ppm锑化合物。
点击这里订购信息，位于数据表的末尾
74AHC595
文件编号： DS35486修订版3 - 2
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2013年6月
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74AHC595
功能描述和时序图
控制
SHCP
X
X
X
STCP
X
X
X
OE
L
L
H
L
MR
L
L
L
H
输入
DS
Q7S
L
L
L
Q6S
产量
Qn
NC
L
Z
NC
功能
低级别的认定上MR清除移位寄存器。
存储寄存器不变
空的移位寄存器传送到存储寄存器
移位寄存器仍然清晰;:所有Q OUPUTS在Z状态。
高被转移到了每一个移位寄存器的内容第一阶段
寄存器转移到下一个寄存器
Q6S的内容已经被移动到Q7S和现在出现在
器件的引脚Q7S
移位寄存器的内容复制到存储寄存器。与现在的输出
处于活动状态的存储电阻的内容出现在Q输出。
X
L
L
H
H
NC
Q6S
QNS
QNS
H =高电压状态
L =低电压状态
低
到高的转变
X =不在乎 - 高或低（非浮动）
NC =无变化
Z =高阻抗状态
SHCP
DS
STCP
MR
OE
Z-状态
Q0
Z-状态
Q1
Z-状态
Q6
Z-状态
Q7
Q7S
74AHC595
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绝对最大额定值（注4 ） （ @T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
符号
ESD HBM
防静电清洁发展机制
ESD MM
V
CC
V
I
V
o
I
IK
I
OK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
J
T
英镑
P
合计
注意：
参数
人体模型ESD保护
带电器件模型ESD保护
机器模型ESD保护
电源电压范围
输入电压范围
电压施加到输出在高或低的状态
输入钳位电流
V
I
< -0.5V
输出钳位电流V
O
<-0.5V
输出钳位电流V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
连续输出电流
连续电流通过VCC或GND
连续电流通过VCC或GND
工作结温
储存温度
总功耗
等级
2
1
200
-0.5 7.0
-0.5 7.0
-0.3到V
CC
+0.5
-20
-20
25
+/- 25
75
-75
-40至150
-65到150
500
单位
KV
KV
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
mW
4.强调超过绝对最大可能会导致立即出现故障或降低可靠性。这些都是强调价值观和设备操作应
在推荐值。
推荐工作条件
（注5）（ @T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
符号
V
CC
V
I
V
O
ΔT/ ΔV
T
A
注意：
参数
电源电压
输入电压
输出电压
输入过渡上升或下降速率
工作自由空气的温度
条件
主动模式
V
CC
= 3.0V至3.6V
V
CC
= 4.5V至5.5V
民
2.0
0
0
-40
最大
5.5
5.5
V
CC
100
20
+125
单位
V
V
V
NS / V
°C
5.未使用的输入应在V举行
CC
或地面。
电气特性
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
符号
V
IH
参数
高级别输入
电压
低电平输入
电压
测试条件
I
OH
= -50μA
I
OH
= -50μA
I
OH
= -50μA
I
OH
= -4mA
I
OH
= -8mA
I
OL
= 50μA
I
OL
= 50μA
I
OL
= 50μA
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
V
I
= GND到5.5V
V
I
= V
IH
或V
IL
;
V
O
= V
CC
或GND
V
I
= GND或V
CC
I
O
=
0
V
i
= V
CC
或GND
V
CC
2.0V
3.0V
5.5V
2.0V
3.0V
5.5V
2.0V
3.0V
4.5V
3.0V
4.5V
2.0V
3.0V
4.5V
3.0V
4.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
T
A
= +25°C
民
典型值
最大
1.5
2.1
3.85
0.5
0.9
1.65
2.0
1.9
3.0
2.9
4.5
4.4
2.58
3.94
0
0.1
0
0.1
0
0.1
0.36
0.36
0.1
±0.1
4
±0.25
4.0
10
T
A
= -40 ° C至+ 85 ° （C T）
A
= -40 ° C至+ 125°C
民
最大
民
最大
1.5
1.5
2.1
2.1
3.85
3.85
0.5
0.5
0.9
0.9
1.65
1.65
1.9
1.9
2.9
2.9
4.4
4.4
2.48
2.40
3.80
3.70
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.44
0.55
0.44
0.55
±1
±2
±2.5
40
10
±10
80
10
单位
V
V
IL
V
V
OH
高层
输出电压
V
V
OL
低电平
输出电压
V
I
I
I
OZ
I
CC
C
i
输入电流
关闭状态
输出电流
电源电流
输入
电容
μA
μA
μA
pF
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