飞利浦半导体
产品speci fi cation
总线缓冲器/线路驱动器;三态
特点
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过1000 V.
低功耗
平衡传输延迟
SOT505-2和SOT765-1包
规定从40到85
°C
和
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC2G125 ; 74AHCT2G125
描述
该74AHC2G / AHCT2G125是一个高速硅栅
CMOS器件。
该74AHC2G / AHCT2G125提供了双非反相
缓冲/线路驱动器，具有三态输出。三态输出
由输出使能输入（ NOE ）控制。为高电平时
销NOE使输出呈现高阻
关断状态。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
参数
传播延迟nA至纽约
输入电容
条件
AHC2G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
3.4
1.5
AHCT2G
3.4
1.5
11
ns
pF
pF
单位
功率耗散电容C
L
= 50 pF的; F = 1兆赫;注1和2 9
2004年1月13日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
总线缓冲器/线路驱动器;三态
推荐工作条件
74AHC2G125 ; 74AHCT2G125
74AHC2G125
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
见直流和交流
每台设备的特点
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
V
CC
= 5
±
0.5 V
条件
分钟。
2.0
0
0
40
74AHCT2G125
单位
典型值。马克斯。
5.0
+25
5.5
5.5
V
CC
V
V
V
典型值。马克斯。分钟。
5.0
+25
5.5
5.5
V
CC
4.5
0
0
+125
40
100
20
+125
°C
20
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40
+125
°C
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。马克斯。单位
0.5
0.5
65
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
250
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
+150
°C
2004年1月13日
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
总线缓冲器/线路驱动器;三态
特点
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过1000 V.
低功耗
平衡传输延迟
SOT505-2和SOT765-1包
规定从40到85
°C
和
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC2G125 ; 74AHCT2G125
描述
该74AHC2G / AHCT2G125是一个高速硅栅
CMOS器件。
该74AHC2G / AHCT2G125提供了双非反相
缓冲/线路驱动器，具有三态输出。三态输出
由输出使能输入（ NOE ）控制。为高电平时
销NOE使输出呈现高阻
关断状态。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
参数
传播延迟nA至纽约
输入电容
条件
AHC2G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
3.4
1.5
AHCT2G
3.4
1.5
11
ns
pF
pF
单位
功率耗散电容C
L
= 50 pF的; F = 1兆赫;注1和2 9
2004年1月13日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
总线缓冲器/线路驱动器;三态
推荐工作条件
74AHC2G125 ; 74AHCT2G125
74AHC2G125
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
见直流和交流
每台设备的特点
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
V
CC
= 5
±
0.5 V
条件
分钟。
2.0
0
0
40
74AHCT2G125
单位
典型值。马克斯。
5.0
+25
5.5
5.5
V
CC
V
V
V
典型值。马克斯。分钟。
5.0
+25
5.5
5.5
V
CC
4.5
0
0
+125
40
100
20
+125
°C
20
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40
+125
°C
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。马克斯。单位
0.5
0.5
65
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
250
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
+150
°C
2004年1月13日
5
74AHC2G125 ; 74AHCT2G125
双缓冲/线路驱动器;三态
牧师02 - 2008年12月22日
产品数据表
1.概述
该74AHC2G125和74AHCT2G125是高速硅栅CMOS器件。他们
提供3态输出的双非反相缓冲器/线路驱动器。三态输出
由输出使能输入（ NOE ）控制。为高电平时NOE使输出的假设
高阻关断状态。
该AHC设备具有CMOS输入电平转换和电源电压范围为2 V至5.5 V.
该AHCT器件具有TTL输入电平转换和电源电压范围为4.5 V至5.5 V.
2.特点
I
I
I
I
I
I
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
多种封装选择
ESD保护：
N
HBM JESD22 - A114E ：超过2000 V
N
MM JESD22 - A115 -A ：超过200 V
N
CDM JESD22 - C101C ：超过1000 V
I
从特定网络版
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74AHC2G125DP
74AHCT2G125DP
74AHC2G125DC
74AHCT2G125DC
74AHC2G125GD
74AHCT2G125GD
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
VSSOP8
40 °C
+125
°C
TSSOP8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米;引线长度0.5毫米
塑料非常薄小外形封装;
8线索;体宽2.3毫米
VERSION
SOT505-2
SOT765-1
SOT996-2
类型编号
XSON8U塑料非常薄小外形封装;没有
导致; 8终端; UTLP基础;体3
×
2
×
0.5
mm
恩智浦半导体
74AHC2G125 ; 74AHCT2G125
双缓冲/线路驱动器;三态
4.标记
表2中。
标记代码
记号
A25
C25
A25
C25
A25
C25
类型编号
74AHC2G125DP
74AHCT2G125DP
74AHC2G125DC
74AHCT2G125DC
74AHC2G125GD
74AHCT2G125GD
5.功能图
2
1A
1Y
6
2
1
1OE
1
EN1
1
6
5
2A
2Y
3
5
2
EN2
mce186
nA
3
nY
7
2OE
mce185
7
诺埃
mna227
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
图3.逻辑图（一个缓冲区）
6.管脚信息
6.1钢钉
74AHC2G125
74AHCT2G125
1OE
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
2OE
1Y
2A
74AHC2G125
74AHCT2G125
1OE
1A
2Y
GND
1
2
3
4
001aaj260
1A
8
7
6
5
V
CC
2OE
1Y
2A
2Y
GND
001aaj261
透明的顶视图
图4 。
引脚CON组fi guration SOT505-2 （ TSSOP8 ）和
SOT765-1 （ VSSOP8 ）
图5 。
引脚CON组fi guration SOT996-2 （ XSON8U ）
74AHC_AHCT2G125_2
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
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2 15
恩智浦半导体
74AHC2G125 ; 74AHCT2G125
双缓冲/线路驱动器;三态
6.2引脚说明
表3中。
符号
10E， 2OE
1A, 2A
GND
1Y, 2Y
V
CC
引脚说明
针
1, 7
2, 5
4
6, 3
8
描述
输出使能输入（低电平有效）
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输出
电源电压
7.功能描述
表4 。
控制
诺埃
L
L
H
[1]
功能表
[1]
输入
nA
L
H
X
产量
nY
L
H
Z
H =高电压电平; L =低电压电平; X =不关心; Z =高阻关断状态。
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
民
0.5
0.5
最大
+7.0
+7.0
-
±20
±25
75
-
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
20
-
-
-
75
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于TSSOP8封装： 55以上
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
对于VSSOP8包： 110以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于XSON8U包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
74AHC_AHCT2G125_2
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2008年12月22日
3 15
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