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74AHC2G08 ; 74AHCT2G08
双路2输入与门
牧师03 - 2009年1月12日
产品数据表
1.概述
该74AHC2G08 ; 74AHCT2G08是一个高速硅栅CMOS器件。
该74AHC2G08 ; 74AHCT2G08提供两个2输入与门。
2.特点
I
对称的输出阻抗
I
高噪声抗扰度
I
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
N
CDM JESD22- C101C超过1000 V
I
低功耗
I
平衡传输延迟
I
多种封装选择
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
从
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
74AHC2G08DP
74AHCT2G08DP
74AHC2G08DC
74AHCT2G08DC
74AHC2G08GD
74AHCT2G08GD
40 °C
+125
°C
XSON8U
40 °C
+125
°C
VSSOP8
40 °C
+125
°C
TSSOP8
描述
VERSION
塑料薄小外形封装; 8线索;身体SOT505-2
宽3毫米;引线长度0.5毫米
塑料非常薄小外形封装; 8线索; SOT765-1
体宽2.3毫米
塑料非常薄小外形封装;没有线索; SOT996-2
8终端; UTLP基础;体3
×
2
×
0.5 mm
类型编号
恩智浦半导体
74AHC2G08 ; 74AHCT2G08
双路2输入与门
4.标记
表2中。
记号
标识代码
A08
C08
A08
C08
A08
C08
类型编号
74AHC2G08DP
74AHCT2G08DP
74AHC2G08DC
74AHCT2G08DC
74AHC2G08GD
74AHCT2G08GD
5.功能图
1
1
2
5
6
1A
1B
2A
2B
2
1Y
7
5
6
mna724
mna725
＆放大器;
7
2Y
3
＆放大器;
3
图1 。
逻辑符号。
图2 。
IEC逻辑符号。
A
Y
B
mna221
图3 。
逻辑框图（ 1栅极） 。
74AHC_AHCT2G08_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年1月12日
2 14
恩智浦半导体
74AHC2G08 ; 74AHCT2G08
双路2输入与门
6.管脚信息
6.1钢钉
74AHC2G08
74AHCT2G08
74AHC2G08
74AHCT2G08
1A
1B
2Y
GND
1
2
3
4
001aaj389
1A
1B
8
7
6
5
V
CC
1Y
2B
2A
GND
2Y
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
1Y
2B
2A
001aaj390
透明的顶视图
图4 。
引脚CON组fi guration SOT505-2 （ TSSOP8 ）和
SOT765-1 （ VSSOP8 ）
图5 。
引脚CON组fi guration SOT996-2 （ XSON8U ）
6.2引脚说明
表3中。
符号
1A, 2A
1B, 2B
GND
1Y, 2Y
V
CC
引脚说明
针
1, 5
2, 6
4
7, 3
8
描述
数据输入
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输出
电源电压
7.功能描述
表4 。
输入
nA
L
L
H
H
[1]
功能表
[1]
产量
nB
L
H
L
H
nY
L
L
L
H
H =高电压电平; L =低电压电平。
74AHC_AHCT2G08_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年1月12日
3 14
恩智浦半导体
74AHC2G08 ; 74AHCT2G08
双路2输入与门
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
民
0.5
0.5
最大
+7.0
+7.0
-
±20
±25
75
-
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
20
-
-
-
75
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于TSSOP8封装： 55以上
°C
P的值
合计
减额线性2.5毫瓦/ K 。
对于VSSOP8包： 110以上
°C
P的值
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
对于XSON8U包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入转换崛起
和下降率
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
条件
民
2.0
0
0
40
-
-
74AHC2G08
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
4.5
0
0
40
-
-
74AHCT2G08
民
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
-
20
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
单位
74AHC_AHCT2G08_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
74AHC2G08 ; 74AHCT2G08
双路2输入与门
10.静态特性
表7中。
静态特性
电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
74AHC2G08
V
IH
高位
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 5.5 V
V
IL
低电平
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 5.5 V
V
OH
高位
V
I
= V
IH
或V
IL
输出电压
I
O
=
50 A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
=
50 A;
V
CC
= 3.0 V
I
O
=
50 A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
=
4.0
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
8.0
毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OL
低电平
V
I
= V
IH
或V
IL
输出电压
I
O
= 50
A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
= 50
A;
V
CC
= 3.0 V
I
O
= 50
A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
= 4.0毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 8.0毫安; V
CC
= 4.5 V
I
I
I
CC
C
I
输入漏
当前
V
I
= 5.5 V或GND ;
V
CC
= 0 V至5.5 V
1.5
2.1
3.85
-
-
-
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
3.0
4.5
-
-
0
0
0
-
-
-
-
1.5
-
-
-
0.5
0.9
1.65
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.1
1.0
10
1.5
2.1
3.85
-
-
-
1.9
2.9
4.4
2.48
3.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
0.9
1.65
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
1.0
10
10
1.5
2.1
3.85
-
-
-
1.9
2.9
4.4
2.40
3.70
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
0.9
1.65
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.55
0.55
2.0
40
10
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
条件
民
25
°C
典型值
最大
40 °C
+85
°C 40 °C
+125
°C
单位
民
最大
民
最大
电源电流V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 5.5 V
输入
电容
高位
输入电压
低电平
输入电压
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
74AHCT2G08
V
IH
V
IL
V
OH
2.0
-
-
-
-
0.8
2.0
-
-
0.8
2.0
-
-
0.8
V
V
高位
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
CC
= 4.5 V
输出电压
I
O
=
50 A
I
O
=
8.0
mA
低电平
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
CC
= 4.5 V
输出电压
I
O
= 50
A
I
O
= 8.0毫安
输入漏
当前
V
I
= 5.5 V或GND ;
V
CC
= 0 V至5.5 V
4.4
3.94
-
-
-
4.5
-
0
-
-
-
-
0.1
0.36
0.1
4.4
3.8
-
-
-
-
-
0.1
0.44
1.0
4.4
3.70
-
-
-
-
-
0.1
0.55
2.0
V
V
V
V
A
V
OL
I
I
74AHC_AHCT2G08_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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74F352
7BT2L4F-362
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    -
    -
    -
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