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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符7型号页 > 首字符7的型号第77页 > 74AHC1GU04
74AHC1GU04
逆变器
牧师05 - 2007年7月10日
产品数据表
1.概述
该74AHC1GU04是一个高速硅栅CMOS器件。它提供了一个反相单
舞台功能。
2.特点
I
I
I
I
I
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
ESD保护:
N
HBM JESD22 - A114E :超过2000 V
N
MM JESD22 - A115 -A :超过200 V
N
CDM JESD22 - C101C :超过1000 V
I
从特定网络版
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
温度范围
74AHC1GU04GW
74AHC1GU04GV
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
名字
TSSOP5
SC-74A
描述
塑料薄小外形封装;
5线索;体宽1.25毫米
塑料表面贴装封装; 5线索
VERSION
SOT353-1
SOT753
类型编号
4.标记
表2中。
标记代码
记号
AD
AU4
类型编号
74AHC1GU04GW
74AHC1GU04GV
恩智浦半导体
74AHC1GU04
逆变器
5.功能图
2
A
Y
4
2
1
mna044
4
A
Y
mna045
mna043
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
图3.逻辑图
6.管脚信息
6.1钢钉
74AHC1GU04
北卡罗来纳州
A
1
2
5
V
CC
GND
3
001aaf099
4
Y
图4.引脚CON组fi guration
6.2引脚说明
表3中。
符号
北卡罗来纳州
A
GND
Y
V
CC
引脚说明
1
2
3
4
5
描述
没有连接
数据输入
接地( 0 V )
数据输出
电源电压
7.功能描述
表4 。
功能表
H =高电压电平; L =低电压电平
输入
A
L
H
产量
Y
H
L
74AHC1GU04_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2007年7月10日
2 12
恩智浦半导体
74AHC1GU04
逆变器
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
V
I
& LT ;
0.5
V
[1]
0.5
20
0.5
-
-
-
75
65
最大
+7.0
-
+7.0
±20
±25
75
-
+150
250
单位
V
mA
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
V
O
& LT ;
0.5
V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5 V
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于这两种TSSOP5和SC - 74A封装: 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
推荐工作条件
电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
条件
2.0
0
0
40
-
-
典型值
5.0
-
-
+25
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
10.静态特性
表7中。
静态特性
电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
IH
参数
高位
输入电压
条件
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 5.5 V
V
IL
低电平
输入电压
V
CC
= 2.0V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 5.5 V
1.7
2.4
4.4
-
-
-
25
°C
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.3
0.6
1.1
40 °C
+85
°C 40 °C
+125
°C
单位
1.7
2.4
4.4
-
-
-
最大
-
-
-
0.3
0.6
1.1
1.7
2.4
4.4
-
-
-
最大
-
-
-
0.3
0.6
1.1
V
V
V
V
V
V
74AHC1GU04_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2007年7月10日
3 12
恩智浦半导体
74AHC1GU04
逆变器
表7中。
静态特性
- 续
电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
OH
参数
条件
高位
V
I
= V
IH
或V
IL
输出电压
I
O
=
50 A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
=
50 A;
V
CC
= 3.0 V
I
O
=
50 A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
=
4.0
毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
=
8.0
毫安; V
CC
= 4.5 V
V
OL
低电平
V
I
= V
IH
或V
IL
输出电压
I
O
= 50
A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
= 50
A;
V
CC
= 3.0 V
I
O
= 50
A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
= 4.0毫安; V
CC
= 3.0 V
I
O
= 8.0毫安; V
CC
= 4.5 V
I
I
I
CC
C
I
输入漏
当前
V
I
= 5.5 V或GND ;
V
CC
= 0 V至5.5 V
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
-
-
-
-
-
-
-
-
25
°C
典型值
2.0
3.0
4.5
-
-
0
0
0
-
-
-
-
1.5
最大
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.1
1.0
10
40 °C
+85
°C 40 °C
+125
°C
单位
1.9
2.9
4.4
2.48
3.8
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
1.0
10
10
1.9
2.9
4.4
2.40
3.70
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.55
0.55
2.0
40
10
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
电源电流V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 5.5 V
输入
电容
11.动态特性
表8 。
动态特性
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
=
3.0纳秒。测试电路见
图6 。
符号
t
pd
参数
传播
延迟
条件
一个为Y ;看
图5
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
PD
动力
耗散
电容
每个缓冲区;
V
I
= GND到V
CC
[4]
[3]
[1]
[2]
25
°C
典型值
最大
40 °C
+85
°C 40 °C
+125
°C
单位
最大
最大
-
-
-
-
-
3.4
4.9
2.6
3.6
14
7.1
10.6
5.5
7.0
-
1.0
1.0
1.0
1.0
-
8.5
12.0
6.0
8.0
-
1.0
1.0
1.0
1.0
-
10.0
13.5
7.0
9.0
-
ns
ns
ns
ns
pF
[1]
[2]
[3]
[4]
t
pd
是相同为T
PLH
和T
PHL
.
典型值是在V测量
CC
= 3.3 V.
典型值是在V测量
CC
= 5.0 V.
C
PD
被用于确定所述动态功耗P
D
(W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:
f
i
=以MHz输入频率;
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
74AHC1GU04_5
产品数据表
牧师05 - 2007年7月10日
4 12
恩智浦半导体
74AHC1GU04
逆变器
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
12.波形
A输入
V
M(1)
VI
V
CC
t
PHL
t
PLH
脉冲
发电机
VO
DUT
RT
CL
50 pF的
Y输出
V
M(1)
mna046
mna034
V
M
= 0.5
×
V
CC
; V
I
= GND到V
CC
.
测试数据列于
表8 。
德网络nitions测试电路:
C
L
=负载电容包括夹具和探头
电容。
R
T
=终端电阻应等于
输出阻抗Z
o
的脉冲发生器。
图5.输入端( A)到输出(Y)的传播延迟
图6.负载电路的开关时间
13.典型的传输特性
mna397
mna398
2.0
V
O
(V)
1.6
V
O
1.0
I
CC
(MA )
0.8
3.0
V
O
(V)
V
O
10
I
CC
(MA )
8
1.2
0.6
1.5
6
0.8
0.4
4
I
D
(漏极电流)
0.4
I
D
(漏极电流)
0.2
2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
I
(V)
0
2.0
0
0
1
2
3
0
V
I
(V)
图7. V
CC
= 2.0 V ;我
O
= 0 A
图8. V
CC
= 3.0 V ;我
O
= 0 A
74AHC1GU04_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2007年7月10日
5 12
集成电路
数据表
74AHC1GU04
逆变器
产品speci fi cation
在集成电路, IC06文件
1999年5月19日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器
特点
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
ESD保护:
HBM EIA / JESD22 - A114 -A
超过2000伏;
MM EIA / JESD22 - A115 -A
超过200 V
低功耗
平衡传输延迟
非常小的5引脚封装
输出能力:标准。
描述
该74AHC1GU04是一个高速
硅栅CMOS器件。
该74AHC1GU04提供
反相单级功能。
功能表
见注1 。
输入
INA
L
H
1. H =高电压电平;
L =低电压电平。
订购信息
套餐
类型编号
74AHC1GU04GW
温度
范围
40
+85
°C
引脚
5
SC-88A
材料
塑料
产量
OUTY
H
L
笔记
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
3.0纳秒。
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
参数
传播延迟
INA向OUTY
输入电容
功耗
电容
注1和2
74AHC1GU04
条件
典型单位
ns
pF
pF
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V 2.6
3
14
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在V =电源电压;
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
钉扎
1
2
3
4
5
北卡罗来纳州
INA
GND
OUTY
V
CC
符号
描述
没有连接
数据输入
接地( 0 V )
数据输出
直流电源电压
CODE
SOT353
记号
AD
1999年5月19日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器
74AHC1GU04
手册, halfpage
北卡罗来纳州1
INA 2
GND
3
MNA042
5 VCC
手册, halfpage
U04
4
OUTY
2
INA
OUTY
4
MNA043
Fig.1引脚配置。
图2逻辑符号。
手册, halfpage
2
1
MNA044
4
手册, halfpage
INA
OUTY
MNA045
图3 IEC逻辑符号。
图4的逻辑图。
1999年5月19日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器
推荐工作条件
74AHC1GU04
74AHC1G
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
(ΔT /ΔF )
参数
直流电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度范围
见直流和交流
每台设备的特点
条件
分钟。
2.0
0
0
40
+25
典型值。
5.0
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+85
100
20
V
V
V
°C
NS / V
单位
输入上升和下降时间,除了V
CC
= 3.3 V
±0.3
V
对于施密特触发器输入
V
CC
= 5 V
±0.5
V
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) ;电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.以上55
°C
P的值
D
减额线性2.5毫瓦/ K 。
参数
直流电源电压
输入电压范围
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
V
I
& LT ;
0.5
V
O
& LT ;
0.5
或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
条件
分钟。
0.5
0.5
65
温度范围:
40
+85
°C;
注2
马克斯。
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
+150
200
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
DC输出源或灌电流
0.5
V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5 V
1999年5月19日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器
DC特性
在推荐工作条件;电压都参考GND(地= 0V)。
测试条件
符号
参数
其他
V
IH
高级别输入
电压
V
CC
(V)
2.0
3.0
5.5
V
IL
低电平输入电压
2.0
3.0
5.5
V
OH
高电平的输出
电压;所有输出
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
50 A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
4.0
mA
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
8.0
mA
V
OL
低电平输出
电压;所有输出
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 4毫安
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 8毫安
I
I
I
CC
C
I
输入漏电流
静态电源
当前
输入电容
V
I
= V
CC
或GND
2.0
3.0
4.5
高电平的输出
电压
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
低电平输出
电压
3.0
4.5
5.5
分钟。
1.7
2.4
4.4
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
2.0
3.0
4.5
0
0
0
3
+25
典型值。
马克斯。
0.3
0.6
1.1
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.1
1.0
T
AMB
(°C)
74AHC1GU04
40
+85
分钟。
1.7
2.4
4.4
1.9
2.9
4.4
2.48
3.8
马克斯。
0.3
0.6
1.1
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
1.0
10
10
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
V
I
= V
CC
或GND ; 5.5
I
O
= 0
1999年5月19日
5
74AHC1GU04
UNBUFFERED单非门
描述
该74AHC1GU04是一个标准的单个反相门
图腾柱输出。该设备是专为操作
电源电压范围2.0V至5.5V 。该逆变器可
在模拟电路中,如晶体振荡器使用。
引脚分配
( TOP VIEW )
NC
1
5 VCC
A 2
新产品
GND 3
4 Y
SOT25 / SOT353
特点
电源电压范围从2.0V到5.5V
±6 mA输出驱动电压为5.0V
CMOS低功耗
无缓冲输出
ESD保护超过JESD 22
200 -V机型号( A115 -A )
2000 -V人体模型( A114 -A )
闭锁超过每JESD 78 , II类100毫安
SOT25和SOT353 :组装与“绿色”模塑
(无溴,锑)
无铅涂层/符合RoHS (注1 )
应用
晶体振荡器,模拟逆变器
的产品,如广泛。
o
o
o
o
o
电脑,网络,笔记本电脑,上网本,掌上电脑
电脑外设,硬盘驱动器, CD / DVD-ROM
电视, DVD , DVR ,机顶盒
个人导航/全球定位系统
MP3播放器,摄像机,录像机
注意事项:
1.欧盟指令2002/ 95 / EC ( RoHS指令) 。所有适用的RoHS指令的豁免申请。请访问我们的网站:
http://www.diodes.com/products/lead_free.html 。
74AHC1GU04
文件编号: DS35178修订版1 - 2
1第8
www.diodes.com
2011年3月
Diodes公司
74AHC1GU04
UNBUFFERED单非门
引脚说明
引脚名称
NC
A
GND
Y
V
CC
PIN号
1
2
3
4
5
无连接
数据输入
数据输出
电源电压
描述
新产品
逻辑图
A
2
4
Y
功能表
输入
A
H
L
产量
Y
L
H
74AHC1GU04
文件编号: DS35178修订版1 - 2
2第8
www.diodes.com
2011年3月
Diodes公司
74AHC1GU04
UNBUFFERED单非门
绝对最大额定值
(注2 )
符号
ESD HBM
ESD MM
V
CC
V
I
V
O
描述
人体模型ESD保护
机器模型ESD保护
电源电压范围
输入电压范围
电压施加到输出在高或低的状态
输入钳位电流V
I
<0
输出钳位电流(V
O
& LT ; 0或V
O
& GT ; V
CC
)
连续输出电流(V
O
= 0至V
CC
)
连续电流通过V
CC
连续电流通过GND
工作结温
储存温度
等级
2
200
-0.5 6.5
-0.5 6.5
-0.5到V
CC
+0.5
-20
±20
±25
50
-50
-40至150
-65到150
单位
KV
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
新产品
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
J
T
英镑
注意事项:
2.强调超过绝对最大可能会导致立即出现故障或降低可靠性。这些都是强调价值观和设备操作应
在推荐值。
推荐工作条件
(注3)
符号
V
CC
V
IH
工作电压
V
CC
= 2V
高电平输入电压
V
CC
= 3V
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 2V
V
IL
V
I
V
O
I
OH
低电平输入电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 2V
高电平输出电流
V
CC
= 3.3V ± 0.3V
V
CC
= 5V ± 0.5V
V
CC
= 2V
I
OL
低电平输出电流
工作自由空气
温度
V
CC
= 5V ± 0.5V
V
CC
= 3V
T
A
注意事项:
参数
2
1.7
2.4
4.4
最大
5.5
单位
V
V
0.3
0.6
1.1
0
0
5.5
V
CC
-50
-3
-6
50
3
6
-40
85
V
V
uA
mA
uA
mA
C
V
V
CC
= 3V
V
CC
= 5.5V
3.未使用的输入应在V举行
CC
或地面。
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电气特性
符号
参数
测试条件
V
CC
2V
3V
4.5V
3V
4.5V
2V
3V
4.5V
3V
4.5V
0至5.5V
5.5V
5.5V
2.0
195
(注4 )
SOT353
SOT25
(注4 )
SOT353
155
430
58
o
V
OH
高层
产量
电压
I
OH
= -50μA
I
OH
= -3mA
I
OH
= -6mA
I
OL
= 50μA
I
OL
= 3毫安
I
OL
= 6毫安
V
I
= 5.5V或GND
V
I
= 5.5V或GND
I
O
=0
V
I
= V
CC
- 或GND
SOT25
1.8
2.7
4.0
2.58
3.94
25C
典型值。
2
3
4.5
最大
新产品
V
OL
低层
产量
电压
输入电流
供应
当前
输入
电容
阻力
结点到
环境
阻力
结点到
0.2
0.3
0.5
0.36
0.36
± 0.1
1
10
-40oC至85oC
最大
1.75
2.65
3.9
2.5
3.8
0.2
0.3
0.5
0.44
0.44
±1
10
10
-40oC至125oC
最大
1.75
2.65
3.9
2.5
3.8
0.2
0.3
0.5
0.55
0.55
±2
40
10
单位
V
V
I
I
I
CC
C
I
θ
JA
μA
μA
pF
o
C / W
θ
JC
注意:
C / W
4.测试条件为SOT25和SOT353 :设备安装在FR-4基板的PC板, 2盎司覆铜,以最小的推荐焊盘布局
开关特性
V
CC
= 3.3V ± 0.3
(参见图1)
参数
t
pd
TO
( INPUT) ( OUTPUT)
A
Y
C
L
=15pF
C
L
=50pF
0.6
0.6
25C
典型值。
3.4
4.9
最大
7.1
10.6
-40oC至85oC
最大
0.6
0.6
8.5
12.0
-40oC至125oC
最大
0.6
0.6
10.0
13.0
单位
ns
ns
V
CC
= 5V ± 0.5V
(参见图1)
参数
t
pd
TO
( INPUT) ( OUTPUT)
A
Y
C
L
=15pF
C
L
=50pF
25C
0.6
0.6
典型值。
2.6
3.6
最大
5.5
7.0
-40oC至85oC
0.6
0.6
最大
6.0
8.0
-40oC至125oC
0.6
0.6
最大
7.0
9.0
单位
ns
ns
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工作特性
T
A
= 25 C
参数
C
pd
功率耗散电容
TEST
条件
F = 1 MHz的
空载
V
CC
= 5V
典型值。
8
单位
pF
新产品
参数测量信息
V
CC
3.3V±0.3V
5V±0.5V
3.3V±0.3V
5V±0.5V
输入
V
I
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
t
r
/t
f
≤3ns
≤3ns
≤3ns
≤3ns
V
M
V
CC
/2
V
CC
/2
V
CC
/2
V
CC
/2
C
L
15pF
15pF
50pF
50pF
电压波形的脉冲持续时间
电压波形的传播延迟时间
反相和非反相输出
图1.负载电路和电压波形
注意事项:
答:包括测试线和测试设备电容。
B.所有脉冲的脉冲重复率被提供
1兆赫。
C.输入测量每个单独的测量一种过渡。
D.吨
PLH
和T
PHL
相同吨
PD
.
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