74AHC1G86
单路2输入异或门
描述
该74AHC1G86是一个2输入正异或
栅极与标准的推挽输出。本设备被设计
操作与2.0V至5.5V的电源电压范围。该
门进行了积极的布尔函数：
引脚分配
（ TOP VIEW ）
A
1
5 VCC
B 2
Y
=
A
⊕
B
or
Y
=
AB
+
A B
GND 3
新产品
4 Y
SOT25 / SOT353
特点
电源电压范围从2.0V到5.5V
±8 mA输出驱动电压为5.0V
CMOS低功耗
施密特触发器动作在所有输入使电路
宽容的输入速度较慢的上升和下降时间。
每JESD 22 ESD保护
o
o
o
超过200 -V机型号（ A115 -A ）
超过2000 -V人体模型（ A114 -A ）
超过1000 -V带电器件模型（ C101C ）
应用
通用逻辑
的产品，如各种各样的：
o
o
o
o
o
电脑，网络，笔记本电脑，上网本，掌上电脑
电脑外设，硬盘驱动器， CD / DVD-ROM
电视， DVD ， DVR ，机顶盒
个人导航/全球定位系统
MP3播放器，摄像机，录像机
闭锁超过每JESD 78 ， II类100毫安
SOT25和SOT353 ：组装与“绿色”模塑
（无溴，锑）
无铅涂层/符合RoHS （注1 ）
1.欧盟指令2002/ 95 / EC （ RoHS指令） 。所有适用的RoHS指令的豁免申请。请访问我们的网站：
http://www.diodes.com/products/lead_free.html 。
注意事项：
74AHC1G86
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74AHC1G86
单路2输入异或门
绝对最大额定值
（注2 ）
符号
ESD HBM
防静电清洁发展机制
ESD MM
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
J
T
英镑
注意事项：
描述
人体模型ESD保护
带电器件模型ESD保护
机器模型ESD保护
电源电压范围
输入电压范围
电压施加到输出在高或低的状态
输入钳位电流V
I
<0
输出钳位电流（V
O
＆ LT ; 0或V
O
＆ GT ; V
CC
)
连续输出电流（V
O
= 0至V
CC
)
连续电流通过V
CC
连续电流通过GND
工作结温
储存温度
等级
2
1
200
-0.5 6.5
-0.5 6.5
-0.5到V
CC
+0.5
-20
±20
±25
50
-50
-40至150
-65到150
单位
KV
KV
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
新产品
2.强调超过绝对最大可能会导致立即出现故障或降低可靠性。这些都是强调价值观和设备操作应
在推荐值。
推荐工作条件
（注3）
符号
V
CC
V
IH
工作电压
V
CC
= 2V
高电平输入电压
V
CC
= 3V
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 2V
V
IL
V
I
V
O
I
OH
低电平输入电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 2V
高电平输出电流
V
CC
= 3.3 V ± 0.3V
V
CC
= 5V ± 0.5V
V
CC
= 2V
I
OL
低电平输出电流
输入转换上升或下降
率
工作自由空气
温度
V
CC
= 5V ± 0.5V
V
CC
= 3V
ΔT/ ΔV
T
A
注意事项：
参数
民
2
1.5
2.1
3.85
最大
5.5
单位
V
V
0.5
0.9
1.65
0
0
5.5
V
CC
-50
-4
-8
50
4
8
100
20
-40
125
V
V
uA
mA
uA
mA
NS / V
C
V
V
CC
= 3V
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 3.3V ± 0.3V
V
CC
= 5V ± 0.5V
3.未使用的输入应在V举行
CC
或地面。
74AHC1G86
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74AHC1G86
单路2输入异或门
电气特性
符号
参数
测试条件
V
CC
2V
3V
4.5V
3V
4.5V
2V
V
OL
低层
产量
电压
I
OL
= 50μA
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
I
I
I
CC
C
i
输入电流V
I
= 5.5 V或GND
供应
当前
V
I
= 5.5V或GND
I
O
=0
3V
4.5V
3V
4.5V
0至5.5V
5.5V
5.5V
2.0
195
（注4 ）
SOT353
SOT25
（注4 ）
SOT353
155
430
58
o
o
民
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
25C
典型值。
2
3
4.5
最大
-40oC至85oC
民
最大
1.9
2.9
4.4
2.48
3.8
-40oC至125oC
民
最大
1.9
2.9
4.4
2.40
3.70
单位
V
OH
高层
产量
电压
I
OH
= -50μA
I
OH
= -4mA
I
OH
= -8mA
V
新产品
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
± 0.1
1
10
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
±1
10
10
0.1
0.1
0.1
0.55
0.55
±2
40
10
μA
μA
pF
V
输入
V
I
= V
CC
- 或GND
电容
热
阻力
结点到
环境
热
阻力
结点到
例
SOT25
θ
JA
C / W
θ
JC
C / W
注意：
4.测试条件为SOT25和SOT353 ：设备安装在FR-4基板的PC板， 2盎司覆铜，以最小的推荐焊盘布局
开关特性
V
CC
= 3.3V ± 0.3
（参见图1）
参数
t
pd
从
TO
（ INPUT） （ OUTPUT）
A或B
Y
C
L
=15pF
C
L
=50pF
民
0.6
0.6
25C
典型值。
4.0
5.8
最大
11.0
14.5
-40oC至85oC
民
最大
0.6
0.6
13.0
16.5
-40oC至125oC
民
最大
0.6
0.6
14.0
18.5
单位
ns
ns
V
CC
= 5V ± 0.5V
（参见图1）
参数
t
pd
从
TO
（ INPUT） （ OUTPUT）
A或B
Y
C
L
=15pF
C
L
=50pF
民
0.6
0.6
25C
典型值。
3.4
4.9
最大
6.8
8.8
-40oC至85oC
民
最大
0.6
0.6
8.0
10.0
-40oC至125oC
民
最大
0.6
0.6
8.5
11.5
单位
ns
ns
74AHC1G86
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2011年3月
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入异或门
特点
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过1000 V.
低功耗
平衡传输延迟
非常小的5引脚封装
输出能力：标准
从指定的
40
+125
°C.
快速参考数据
接地= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC1G86 ; 74AHCT1G86
描述
该74AHC1G / AHCT1G86是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74AHC1G / AHCT1G86提供二输入
异或功能。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
参数
传播延迟A和B为Y
输入电容
功率耗散电容
C
L
= 50 pF的; F = 1兆赫;
注1和2
条件
AHC1G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
3.4
1.5
9
AHCT1G
3.5
1.5
11
ns
pF
pF
单位
2002年6月6日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入异或门
74AHC1G86 ; 74AHCT1G86
手册， halfpage
B
手册， halfpage
1
2
=1
MNA039
4
A
Y
MNA040
图3 IEC逻辑符号。
图4的逻辑图。
推荐工作条件
74AHC1G
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
见直流和交流
每个特性
设备
V
CC
= 3.3
±0.3
V
V
CC
= 5
±0.5
V
条件
分钟。
2.0
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
V
V
V
°C
74AHCT1G
单位
t
r
, t
f
（ ΔT/ ΔF ）输入兴衰
时
100
20
20
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
0.5
65
马克斯。
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2002年6月6日
4
74AHC1G86 ; 74AHCT1G86
2输入异或门
牧师05 - 2007年7月4日
产品数据表
1.概述
74AHC1G86和74AHCT1G86是高速硅栅CMOS器件。它们提供了一个
2输入异或功能。
该AHC设备具有CMOS输入电平转换和电源电压范围为2 V至5.5 V.
该AHCT器件具有TTL输入电平转换和电源电压范围为4.5 V至5.5 V.
2.特点
I
对称的输出阻抗
I
高噪声抗扰度
I
ESD保护：
N
HBM JESD22 - A114E ：超过2000 V
N
MM JESD22 - A115 -A ：超过200 V
N
CDM JESD22 - C101C ：超过1000 V
I
低功耗
I
平衡传输延迟
I
SOT353-1和SOT753封装选项
I
从特定网络版
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74AHC1G86GW
74AHCT1G86GW
74AHC1G86GV
74AHCT1G86GV
40 °C
+125
°C
SC-74A
40 °C
+125
°C
名字
TSSOP5
描述
塑料薄小外形封装; 5线索;
体宽1.25毫米
塑料表面贴装封装; 5线索
VERSION
SOT353-1
SOT753
类型编号
恩智浦半导体
74AHC1G86 ; 74AHCT1G86
2输入异或门
6.2引脚说明
表3中。
符号
B
A
GND
Y
V
CC
引脚说明
针
1
2
3
4
5
描述
数据输入
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输出
电源电压
7.功能描述
表4 。
功能表
H =高电压电平; L =低电压电平
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
L
H
H
L
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
民
0.5
0.5
最大
+7.0
+7.0
-
±20
±25
75
-
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
20
-
-
-
75
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于这两种TSSOP5和SC - 74A封装： 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
74AHC_AHCT1G86_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2007年7月4日
3 12
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入异或门
特点
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过1000 V.
低功耗
平衡传输延迟
非常小的5引脚封装
输出能力：标准
从指定的
40
+125
°C.
快速参考数据
接地= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC1G86 ; 74AHCT1G86
描述
该74AHC1G / AHCT1G86是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74AHC1G / AHCT1G86提供二输入
异或功能。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
参数
传播延迟A和B为Y
输入电容
功率耗散电容
C
L
= 50 pF的; F = 1兆赫;
注1和2
条件
AHC1G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
3.4
1.5
9
AHCT1G
3.5
1.5
11
ns
pF
pF
单位
2002年6月6日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入异或门
74AHC1G86 ; 74AHCT1G86
手册， halfpage
B
手册， halfpage
1
2
=1
MNA039
4
A
Y
MNA040
图3 IEC逻辑符号。
图4的逻辑图。
推荐工作条件
74AHC1G
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
见直流和交流
每个特性
设备
V
CC
= 3.3
±0.3
V
V
CC
= 5
±0.5
V
条件
分钟。
2.0
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
V
V
V
°C
74AHCT1G
单位
t
r
, t
f
（ ΔT/ ΔF ）输入兴衰
时
100
20
20
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
0.5
65
马克斯。
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2002年6月6日
4
QQ：2881677436 复制
