74AHC1G125 ; 74AHCT1G125
总线缓冲器/线路驱动器;三态
牧师09 - 2009年6月22日
产品数据表
1.概述
74AHC1G125和74AHCT1G125是高速硅栅CMOS器件。它们提供
一个非反相缓冲器/线路驱动器，具有三态输出。 3态输出由控制
输出使能输入端（OE） 。一高在OE使输出假设
高阻关断状态。
该AHC设备具有CMOS输入电平转换和电源电压范围为2 V至5.5 V.
该AHCT器件具有TTL输入电平转换和电源电压范围为4.5 V至5.5 V.
2.特点
I
I
I
I
I
I
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
多种封装选择
ESD保护：
N
HBM JESD22 - A114E ：超过2000 V
N
MM JESD22 - A115 -A ：超过200 V
N
CDM JESD22 - C101C ：超过1000 V
I
从特定网络版
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74AHC1G125GW
74AHCT1G125GW
74AHC1G125GV
74AHCT1G125GV
74AHC1G125GM
74AHCT1G125GM
74AHC1G125GF
74AHCT1G125GF
40 °C
+125
°C
XSON6
40 °C
+125
°C
XSON6
塑料非常薄小外形封装;没有SOT886
导致; 6终端;体1
×
1.45
×
0.5 mm
塑料非常薄小外形封装;
没有线索; 6终端;体1
×
1
×
0.5 mm
SOT891
40 °C
+125
°C
SC-74A
40 °C
+125
°C
名字
TSSOP5
描述
塑料薄小外形封装;
5线索;体宽1.25毫米
塑料表面贴装封装; 5线索
VERSION
SOT353-1
SOT753
类型编号
恩智浦半导体
74AHC1G125 ; 74AHCT1G125
总线缓冲器/线路驱动器;三态
6.2引脚说明
表3中。
符号
OE
A
GND
Y
北卡罗来纳州
V
CC
引脚说明
针
SOT353-1/SOT753
1
2
3
4
-
5
SOT886/SOT891
1
2
3
4
5
6
输出使能输入
数据输入
接地（ 0 V ）
数据输出
没有连接
电源电压
描述
7.功能描述
表4 。
功能表
H =高电压电平; L =低电压电平; X =不关心; Z =高阻关断状态
输入
OE
L
L
H
A
L
H
X
产量
Y
L
H
Z
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
民
0.5
0.5
最大
+7.0
+7.0
-
±20
±25
75
-
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
[1]
20
-
-
-
75
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于TSSOP5和SC - 74A封装： 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
对于XSON6包： 118以上
°C
P的值
合计
减额线性7.8毫瓦/ K 。
74AHC_AHCT1G125_9
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师09 - 2009年6月22日
3 16
飞利浦半导体
产品speci fi cation
总线缓冲器/线路驱动器;三态
特点
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过1000 V.
低功耗
平衡传输延迟
非常小的5引脚封装
输出能力：标准
从指定的
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC1G125 ; 74AHCT1G125
描述
该74AHC1G / AHCT1G125是一个高速硅栅
CMOS器件。
该74AHC1G / AHCT1G125提供了一个非反相
缓冲/线路驱动器，具有三态输出。三态输出
由输出使能输入端（ OE）的控制。一高在OE
导致呈现一个高阻抗输出
关断状态。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
功能表
见注1 。
输入
OE
L
L
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不关心;
Z =高阻关断状态。
2002年6月6日
2
A
L
H
X
产量
Y
L
H
Z
参数
传播延迟为Y
输入电容
条件
AHC1G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
3.4
1.5
AHCT1G
3.4
1.5
11
ns
pF
pF
单位
功率耗散电容C
L
= 50 pF的; F = 1兆赫;注1和2 9
飞利浦半导体
产品speci fi cation
总线缓冲器/线路驱动器;三态
推荐工作条件
74AHC1G125 ; 74AHCT1G125
74AHC1G
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
见直流和交流
每台设备的特点
V
CC
= 3.3
±0.3
V
V
CC
= 5
±0.5
V
条件
分钟。
2.0
0
0
40
74AHCT1G
单位
典型值。马克斯。
5.0
+25
5.5
5.5
V
CC
V
V
V
典型值。马克斯。分钟。
5.0
+25
5.5
5.5
V
CC
4.5
0
0
+125
40
100
20
+125
°C
20
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每包功耗温度范围
40
+125
°C
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。马克斯。单位
0.5
0.5
65
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
250
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
+150
°C
2002年6月6日
4
74AHC1G125
具有三态输出单缓冲门
描述
该74AHC1G125是一个非反相缓冲器/总线驱动器
与3态输出。输出进入高阻抗
状态时，一个高电平被施加到输出使能（OE ）
引脚。
该装置被设计成运行时与电源
引脚分配
（ TOP VIEW ）
OE 1
A 2
GND 3
4 Y
SOT25 / SOT353
5 VCC
电源电压范围2.0V至5.5V 。
新产品
特点
电源电压范围从2.0V到5.5V
±8 mA输出驱动电压为5.0V
CMOS低功耗
施密特触发器动作在所有输入使电路
宽容的输入速度较慢的上升和下降时间。
每JESD 22 ESD保护
o
o
o
超过200 -V机型号（ A115 -A ）
超过2000 -V人体模型（ A114 -A ）
超过1000 -V带电器件模型（ C101C ）
应用
通用逻辑
的产品，如各种各样的：
o
o
o
o
o
电脑，网络，笔记本电脑，上网本，掌上电脑
电脑外设，硬盘驱动器， CD / DVD-ROM
电视， DVD ， DVR ，机顶盒
手机，个人导航/全球定位系统
MP3播放器，摄像机，录像机
闭锁超过每JESD 78 ， II类100毫安
SOT25和SOT353 ：组装与“绿色”模塑
（无溴，锑）
无铅涂层/符合RoHS （注1 ）
1.欧盟指令2002/ 95 / EC （ RoHS指令） 。所有适用的RoHS指令的豁免申请。请访问我们的网站：
http://www.diodes.com/products/lead_free.html 。
注意事项：
74AHC1G125
文件编号： DS35176修订版1 - 2
1 9
www.diodes.com
2011年3月
Diodes公司
74AHC1G125
具有三态输出单缓冲门
绝对最大额定值
（注2 ）
符号
ESD HBM
防静电清洁发展机制
ESD MM
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
J
T
英镑
注意事项：
描述
人体模型ESD保护
带电器件模型ESD保护
机器模型ESD保护
电源电压范围
输入电压范围
电压施加到输出在高或低的状态
输入钳位电流V
I
<0
输出钳位电流（V
O
＆ LT ; 0或V
O
＆ GT ; V
CC
)
连续输出电流（V
O
= 0至V
CC
)
连续电流通过V
CC
连续电流通过GND
工作结温
储存温度
等级
2
1
200
-0.5 6.5
-0.5 6.5
-0.5到V
CC
+0.5
-20
±20
±25
50
-50
-40至150
-65到150
单位
KV
KV
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
新产品
2.强调超过绝对最大可能会导致立即出现故障或降低可靠性。这些都是强调价值观和设备操作应
在推荐值。
推荐工作条件
（注3）
符号
V
CC
V
IH
工作电压
V
CC
= 2V
高电平输入电压
V
CC
= 3V
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 2V
V
IL
V
I
V
O
I
OH
低电平输入电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 2V
高电平输出电流
V
CC
= 3.3V ± 0.3V
V
CC
= 5V ± 0.5V
V
CC
= 2V
I
OL
低电平输出电流
输入转换上升或下降
率
工作自由空气
温度
V
CC
= 5V ± 0.5V
V
CC
= 3V
ΔT/ ΔV
T
A
注意事项：
参数
民
2
1.5
2.1
3.85
最大
5.5
单位
V
V
0.5
0.9
1.65
0
0
5.5
V
CC
-50
-4
-8
50
4
8
100
20
-40
125
V
V
uA
mA
uA
mA
NS / V
C
V
V
CC
= 3V
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 3.3V ± 0.3V
V
CC
= 5V ± 0.5V
3.未使用的输入应在V举行
CC
或地面。
74AHC1G125
文件编号： DS35176修订版1 - 2
3 9
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2011年3月
Diodes公司
74AHC1G125
具有三态输出单缓冲门
电气特性
符号
参数
测试条件
V
CC
2V
3V
4.5V
3V
4.5V
2V
3V
4.5V
3V
4.5V
0至5.5V
5.5V
25C
典型值。
2
3
4.5
-40oC至85oC
民
最大
1.9
2.9
4.4
2.48
3.8
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
± 0.1
0.25
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
±1
2.5
-40oC至125oC
民
最大
1.9
2.9
4.4
2.40
3.70
0.1
0.1
0.1
0.55
0.55
±2
10
μA
μA
μA
pF
单位
V
OH
I
OH
= -50μA
高层
输出电压I = -4mA
OH
I
OH
= -8mA
民
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
最大
V
新产品
V
OL
低层
输出电压
I
OL
= 50μA
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
V
I
= 5.5V或GND
V
O
= 0至5.5V
V
I
= 5.5V或GND
I
O
=0
V
I
= V
CC
“或
GND
SOT25
V
I
I
I
OZ
I
CC
C
i
θ
JA
输入电流
Z状态
泄漏
当前
电源电流
输入
电容
热
阻力
结点到
环境
热
阻力
结点到
例
5.5V
5.5V
2.0
195
（注4 ）
430
58
（注4 ）
1
10
10
10
40
10
o
C / W
SOT353
SOT25
SOT353
θ
JC
注意：
o
C / W
155
4.测试条件为SOT25和SOT353 ：设备安装在FR-4基板的PC板， 2盎司覆铜，以最小的推荐焊盘布局。
74AHC1G125
文件编号： DS35176修订版1 - 2
4 9
www.diodes.com
2011年3月
Diodes公司
QQ：2880707522 复制
