飞利浦半导体
产品speci fi cation
缓冲带漏极开路输出
特点
高噪声抗扰度
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过1000 V.
低功耗
SOT353和SOT753封装
输出能力标准（漏极开路）
从指定的
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC1G07 ; 74AHCT1G07
描述
该74AHC1G / AHCT1G07是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74AHC1G / AHCT1G07提供非反相
缓冲区。
该74AHC1G / AHCT1G07器件的输出是
漏极开路，并且可以连接到其他的开漏
输出来实现低电平有效的线-OR或
高电平有效线与功能。对于数字操作
此设备必须有一个上拉电阻，以建立一个逻辑
高级别。
典型
符号
t
PZL
t
PLZ
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
功能表
见注1 。
输入
A
L
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平;
Z =高阻关断状态。
产量
Y
L
Z
参数
传播延迟为Y
传播延迟为Y
输入电容
功率耗散电容C
L
= 50 pF的; F = 1兆赫;注1和2
条件
AHC1G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
2.5
4.2
1.5
5
AHCT1G
2.8
3.9
1.5
6.5
ns
ns
pF
pF
单位
2002年10月2日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
缓冲带漏极开路输出
推荐工作条件
74AHC1G07 ; 74AHCT1G07
74AHC
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
（ΔT /ΔF ）
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境
温度
主动模式
高阻抗模式
条件
分钟。
2.0
0
0
0
典型值。
5.0
+25
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
6.0
+85
+125
100
20
分钟。
4.5
0
0
0
40
40
74AHCT
单位
典型值。
5.0
+25
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
6.0
+85
+125
20
V
V
V
V
°C
°C
NS / V
NS / V
见直流和交流
40
每台设备的特点
40
输入兴衰V
CC
= 3.3
±0.3
V
时间比率
V
CC
= 5
±0.5
V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
V
O
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
输出钳位二极管
当前
输出电压
输出灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个功率耗散
包
对于温度范围从
40
+125
°C
V
I
＆ LT ;
0.5
V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V ;注1
主动模式;注1
高阻抗模式;注1
V
O
＆ GT ;
0.5
V
条件
分钟。
0.5
0.5
0.5
0.5
65
马克斯。
+7.0
+7.0
20
±20
+7.0
+7.0
±25
±75
+150
250
V
V
mA
mA
V
V
mA
mA
°C
mW
单位
2002年10月2日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
缓冲带漏极开路输出
DC特性
74AHC1G07 ; 74AHCT1G07
74AHC1G家庭
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
测试条件
符号
参数
其他
V
IH
高级别输入
电压
V
CC
(V)
2.0
3.0
5.5
V
IL
低电平输入
电压
2.0
3.0
5.5
V
OL
低电平输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 4.0毫安
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 8.0毫安
I
LI
I
OZ
I
CC
C
I
输入漏
当前
V
I
= V
CC
或GND
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
分钟。
1.5
2.1
3.85
0
0
0
1.5
25
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.1
T
AMB
(°C)
40
+85
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
1.0
±2.5
10
10
40
+125
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.55
0.55
2.0
单位
TYP 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。
1.5
2.1
3.85
1.5
2.1
3.85
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
三态输出
V
I
= V
IH
或V
IL
;
5.5
截止电流V
O
= V
CC
或GND
静态电源
当前
输入电容
V
I
= V
CC
或GND ; 5.5
I
O
= 0
±0.25
1.0
10
±10.0 A
20
10
A
pF
2002年10月2日
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
缓冲带漏极开路输出
特点
高噪声抗扰度
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过1000 V.
低功耗
SOT353和SOT753封装
输出能力标准（漏极开路）
从指定的
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC1G07 ; 74AHCT1G07
描述
该74AHC1G / AHCT1G07是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74AHC1G / AHCT1G07提供非反相
缓冲区。
该74AHC1G / AHCT1G07器件的输出是
漏极开路，并且可以连接到其他的开漏
输出来实现低电平有效的线-OR或
高电平有效线与功能。对于数字操作
此设备必须有一个上拉电阻，以建立一个逻辑
高级别。
典型
符号
t
PZL
t
PLZ
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
功能表
见注1 。
输入
A
L
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平;
Z =高阻关断状态。
产量
Y
L
Z
参数
传播延迟为Y
传播延迟为Y
输入电容
功率耗散电容C
L
= 50 pF的; F = 1兆赫;注1和2
条件
AHC1G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
2.5
4.2
1.5
5
AHCT1G
2.8
3.9
1.5
6.5
ns
ns
pF
pF
单位
2002年6月6日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
缓冲带漏极开路输出
推荐工作条件
74AHC1G07 ; 74AHCT1G07
74AHC
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
（ΔT /ΔF ）
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境
温度
主动模式
高阻抗模式
条件
分钟。
2.0
0
0
0
典型值。
5.0
+25
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
6.0
+85
+125
100
20
分钟。
4.5
0
0
0
40
40
74AHCT
单位
典型值。
5.0
+25
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
6.0
+85
+125
20
V
V
V
V
°C
°C
NS / V
NS / V
见直流和交流
40
每台设备的特点
40
输入兴衰V
CC
= 3.3
±0.3
V
时间比率
V
CC
= 5
±0.5
V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
V
O
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
输出钳位二极管
当前
输出电压
输出灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个功率耗散
包
对于温度范围从
40
+125
°C
V
I
＆ LT ;
0.5
V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V ;注1
主动模式;注1
高阻抗模式;注1
V
O
＆ GT ;
0.5
V
条件
分钟。
0.5
0.5
0.5
0.5
65
马克斯。
+7.0
+7.0
20
±20
V
CC
+ 0.5
+7.0
±25
±75
+150
250
V
V
mA
mA
V
V
mA
mA
°C
mW
单位
2002年6月6日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
缓冲带漏极开路输出
DC特性
74AHC1G07 ; 74AHCT1G07
74AHC1G家庭
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
测试条件
符号
参数
其他
V
IH
高级别输入
电压
V
CC
(V)
2.0
3.0
5.5
V
IL
低电平输入
电压
2.0
3.0
5.5
V
OL
低电平输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 4.0毫安
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 8.0毫安
I
LI
I
OZ
I
CC
C
I
输入漏
当前
V
I
= V
CC
或GND
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
分钟。
1.5
2.1
3.85
0
0
0
1.5
25
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.1
T
AMB
(°C)
40
+85
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
1.0
±2.5
10
10
40
+125
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.55
0.55
2.0
单位
TYP 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。
1.5
2.1
3.85
1.5
2.1
3.85
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
三态输出
V
I
= V
IH
或V
IL
;
5.5
截止电流V
O
= V
CC
或GND
静态电源
当前
输入电容
V
I
= V
CC
或GND ; 5.5
I
O
= 0
±0.25
1.0
10
±10.0 A
20
10
A
pF
2002年6月6日
5
74AHC1G07 ; 74AHCT1G07
缓冲带漏极开路输出
牧师06 - 2007年6月7日
产品数据表
1.概述
74AHC1G07和74AHCT1G07是高速硅栅CMOS器件。它们提供了一个
非反相缓冲器。
这些设备的输出是漏极开路，并且可以连接到其他的开漏
输出实现低有效线或有效或高电平有效线与功能。为
数字化操作此设备必须有一个上拉电阻，以建立一个逻辑高电平。
该AHC设备具有CMOS输入电平转换和电源电压范围为2 V至5.5 V.
该AHCT器件具有TTL输入电平转换和电源电压范围为4.5 V至5.5 V.
2.特点
I
I
I
I
高噪声抗扰度
低功耗
SOT353-1和SOT753封装选项
ESD保护：
N
HBM JESD22 - A114E ：超过2000 V
N
MM JESD22 - A115 -A ：超过200 V
N
CDM JESD22 - C101C ：超过1000 V
I
从特定网络版
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74AHC1G07GW
74AHCT1G07GW
74AHC1G07GV
74AHCT1G07GV
40 °C
+125
°C
SC-74A
40 °C
+125
°C
名字
TSSOP5
描述
塑料薄小外形封装;
5线索;体宽1.25毫米
塑料表面贴装封装; 5线索
VERSION
SOT353-1
SOT753
类型编号
恩智浦半导体
74AHC1G07 ; 74AHCT1G07
缓冲带漏极开路输出
7.功能描述
表4 。
功能表
H =高电压电平; L =低电压电平; Z =高阻关断状态
输入
A
L
H
产量
Y
L
Z
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
V
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
输出电压
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
民
0.5
0.5
最大
+7.0
+7.0
-
±20
±25
+7.0
+7.0
75
-
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
V
V
mA
mA
°C
mW
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ GT ;
0.5
V
主动模式
高阻抗模式
[1]
[1]
[1]
20
-
-
0.5
0.5
-
75
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于这两种TSSOP5和SC - 74A封装： 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表6 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入转换崛起
和下降率
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
主动模式
高阻抗模式
条件
民
2.0
0
0
0
40
-
-
74AHC1G07
典型值
5.0
-
-
-
+25
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
6.0
+125
100
20
4.5
0
0
0
40
-
-
74AHCT1G07
民
典型值
5.0
-
-
-
+25
-
-
最大
5.5
5.5
V
CC
6.0
+125
-
20
V
V
V
V
°C
NS / V
NS / V
单位
74AHC_AHCT1G07_6
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师06 - 2007年6月7日
3 11
QQ：2880707522 复制
