飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入或非门
特点
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过1000 V.
低功耗
平衡传输延迟
非常小的5引脚封装
输出能力：标准
从指定的
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC1G02 ; 74AHCT1G02
描述
该74AHC1G / AHCT1G02是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74AHC1G / AHCT1G02提供二输入NOR
功能。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
参数
传播延迟A和B为Y
输入电容
功率耗散电容
C
L
= 50 pF的; F = 1兆赫;
注1和2
条件
AHC1G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
3.2
1.5
18
AHCT1G
3.5
1.5
19
ns
pF
pF
单位
2002年5月27日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入或非门
74AHC1G02 ; 74AHCT1G02
手册， halfpage
1
2
≥
1
MNA104
手册， halfpage
B
Y
A
MNA105
4
图3 IEC逻辑符号。
图4的逻辑图。
推荐工作条件
74AHC1G
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入兴衰
时
见直流和交流
每个特性
设备
V
CC
= 3.3
±0.3
V
V
CC
= 5
±0.5
V
条件
分钟。
2.0
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
V
V
V
°C
74AHCT1G
单位
t
r
, t
f
（ΔT /ΔF ）
100
20
20
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
0.5
65
马克斯。
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2002年5月27日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入或非门
DC特性
74AHC1G02 ; 74AHCT1G02
家庭74AHC1G
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
测试条件
符号
参数
其他
V
IH
高级别输入
电压
V
CC
(V)
2.0
3.0
5.5
V
IL
低电平输入
电压
2.0
3.0
5.5
V
OH
高电平的输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
50 A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
50 A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
50 A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
4.0
mA
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
8.0
mA
V
OL
低电平输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 4.0毫安
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 8.0毫安
I
LI
I
CC
C
I
输入漏
当前
静态电源
当前
输入电容
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND ;
I
O
= 0
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
5.5
25
分钟。
1.5
2.1
3.85
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
2.0
3.0
4.5
0
0
0
1.5
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.1
1.0
10
T
AMB
(°C)
40
+85
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
1.0
10
10
40
+125
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.55
0.55
2.0
40
10
单位
TYP 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。
1.5
2.1
3.85
1.9
2.9
4.4
2.48
3.8
1.5
2.1
3.85
1.9
2.9
4.4
2.40
3.70
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
2002年5月27日
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入或非门
特点
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过1000 V.
低功耗
平衡传输延迟
非常小的5引脚封装
输出能力：标准
从指定的
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC1G02 ; 74AHCT1G02
描述
该74AHC1G / AHCT1G02是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74AHC1G / AHCT1G02提供二输入NOR
功能。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
参数
传播延迟A和B为Y
输入电容
功率耗散电容
C
L
= 50 pF的; F = 1兆赫;
注1和2
条件
AHC1G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
3.2
1.5
18
AHCT1G
3.5
1.5
19
ns
pF
pF
单位
2002年5月27日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入或非门
74AHC1G02 ; 74AHCT1G02
手册， halfpage
1
2
≥
1
MNA104
手册， halfpage
B
Y
A
MNA105
4
图3 IEC逻辑符号。
图4的逻辑图。
推荐工作条件
74AHC1G
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入兴衰
时
见直流和交流
每个特性
设备
V
CC
= 3.3
±0.3
V
V
CC
= 5
±0.5
V
条件
分钟。
2.0
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
V
V
V
°C
74AHCT1G
单位
t
r
, t
f
（ΔT /ΔF ）
100
20
20
NS / V
NS / V
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
参数
电源电压
输入电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出源或灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
每个封装功耗
对于温度范围从
40
+125
°C
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
O
＆ LT ;
0.5
或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
条件
分钟。
0.5
0.5
65
马克斯。
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
2002年5月27日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入或非门
DC特性
74AHC1G02 ; 74AHCT1G02
家庭74AHC1G
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
测试条件
符号
参数
其他
V
IH
高级别输入
电压
V
CC
(V)
2.0
3.0
5.5
V
IL
低电平输入
电压
2.0
3.0
5.5
V
OH
高电平的输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
50 A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
50 A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
50 A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
4.0
mA
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
8.0
mA
V
OL
低电平输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 50
A
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 4.0毫安
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 8.0毫安
I
LI
I
CC
C
I
输入漏
当前
静态电源
当前
输入电容
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND ;
I
O
= 0
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
5.5
25
分钟。
1.5
2.1
3.85
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
2.0
3.0
4.5
0
0
0
1.5
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.1
1.0
10
T
AMB
(°C)
40
+85
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
1.0
10
10
40
+125
0.5
0.9
1.65
0.1
0.1
0.1
0.55
0.55
2.0
40
10
单位
TYP 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。
1.5
2.1
3.85
1.9
2.9
4.4
2.48
3.8
1.5
2.1
3.85
1.9
2.9
4.4
2.40
3.70
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
2002年5月27日
5
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