飞利浦半导体
产品speci fi cation
六角反相施密特触发器
特点
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 -A
超过2000伏
MM EIA / JESD22 - A115 -A
超过200 V
CDM EIA / JESD22- C101
超过1000 V
平衡传输延迟
投入比接受更高的电压
V
CC
对于AHC只：
与CMOS输入电平工作
对于AHCT只：
与TTL电平输入操作
从指定的
40
至+85和+125
°C.
描述
该74AHC / AHCT14是高速
硅栅CMOS器件和引脚
低功耗肖特基兼容
TTL （ LSTTL ） 。它们是在指定
符合JEDEC标准
没有。 7A 。
该74AHC / AHCT14提供六
反相缓冲器带施密特触发器
采取行动。它们能够
转变缓慢变化的输入
信号转换成清晰的，无抖动
输出信号。
功能表
见注1 。
输入
nA
L
H
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平。
输出
nY
H
L
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC14 ; 74AHCT14
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
O
C
PD
参数
传播延迟
nA至纽约
输入电容
输出电容
功耗
电容
C
L
= 50 pF的;
F = 1兆赫;
注1和2
条件
AHC
C
L
= 15 pF的;
V
CC
= 5 V
V
I
= V
CC
或GND
3.2
3.0
4.0
10
AHCT
4.0
3.0
4.0
12
ns
pF
pF
pF
单位
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
钉扎
针
1，3， 5 ，9，11和13
2，4， 6，8， 10和12的
7
14
符号
1A至6A
1Y到6Y
GND
V
CC
描述
数据输入
数据输出
接地（ 0 V ）
直流电源电压
1999年09月27
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六角反相施密特触发器
推荐工作条件
74AHC
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
直流电源电压
输入电压
输出电压
工作环境温度
范围
见直流和交流
每个特性
设备
条件
分钟。
2.0
0
0
40
40
74AHC14 ; 74AHCT14
74AHCT
单位
典型值。马克斯。
5.0
+25
+25
5.5
5.5
V
CC
+85
V
V
V
°C
典型值。马克斯。分钟。
5.0
+25
+25
5.5
5.5
V
CC
+85
4.5
0
0
40
+125
40
+125
°C
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.对于SO封装： 70以上
°C
P的值
D
减额线性8毫瓦/ K 。
对于TSSOP封装： 60岁以上
°C
P的值
D
减额线性5.5毫瓦/ K 。
参数
直流电源电压
输入电压范围
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC V
CC
或GND电流
存储温度范围
每个封装功耗
对于温度范围：
40
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
条件
分钟。马克斯。单位
0.5
0.5
65
+7.0
+7.0
20
±20
±25
±75
500
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
DC输出源或灌电流
0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
+150
°C
1999年09月27
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六角反相施密特触发器
DC特性
74AHC14 ; 74AHCT14
类型74AHC14
在推荐工作条件;电压都参考GND（地= 0V）。
测试条件
符号
参数
其他
V
T+
正向
门槛
V
CC
(V)
3.0
4.5
5.5
V
T
负向
门槛
3.0
4.5
5.5
V
H
迟滞
(V
T+
V
T
)
高电平的输出V
I
= V
IH
或V
IL
;
电压;所有输出I
O
=
50 A
高电平的输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
4.0
mA
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
=
8.0
mA
V
OL
低电平输出V
I
= V
IH
或V
IL
;
电压;所有输出I
O
= 50
A
低电平输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 4毫安
V
I
= V
IH
或V
IL
;
I
O
= 8毫安
I
I
I
CC
C
I
输入漏
当前
静态电源
当前
输入电容
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND ;
I
O
= 0
3.0
4.5
5.5
V
OH
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
5.5
0.9
1.35
1.65
0.3
0.4
0.5
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
2.0
3.0
4.5
0
0
0
3
25
T
AMB
(°C)
40
+85
0.9
1.35
1.65
0.3
0.4
0.5
1.9
2.9
4.4
2.48
3.8
40
以125单位
0.9
1.35
1.65
0.25
0.35
0.45
1.9
2.9
4.4
2.40
3.70
MIN 。 TYP 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。
2.2
3.15
3.85
1.2
1.4
1.6
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.1
2.0
10
2.2
3.15
3.85
1.2
1.4
1.6
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
1.0
20
10
2.2
3.15
3.85
1.2
1.4
1.6
0.1
0.1
0.1
0.55
0.55
2.0
40
10
A
A
pF
V
V
V
V
V
V
V
1999年09月27
5
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